Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > Всі товари виробника LUGUANG ELECTRONIC (1241) > Сторінка 15 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KTC3875 KTC3875 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A354821D88C0D6&compId=KTC3875.pdf?ci_sign=6d10af42bf851c448c955217152c60f0e37d1cf7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70...700
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+7.11 грн
70+4.25 грн
250+3.68 грн
1000+3.26 грн
3000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201 LUGUANG ELECTRONIC LGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.18 грн
100+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
на замовлення 13020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
160+2.92 грн
180+2.43 грн
500+2.15 грн
3000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 13020 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.03 грн
500+2.59 грн
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.36 грн
410+2.75 грн
1120+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
115+3.77 грн
135+2.94 грн
405+2.28 грн
1115+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.52 грн
100+3.66 грн
405+2.74 грн
1115+2.59 грн
12000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0BA162DD698BF&compId=LGE2304.pdf?ci_sign=627d3ea813cfabcdf9f3367816be162e90eeb118 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.7nC
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.56 грн
135+3.00 грн
400+2.31 грн
1100+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0BA162DD698BF&compId=LGE2304.pdf?ci_sign=627d3ea813cfabcdf9f3367816be162e90eeb118 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.7nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
75+4.27 грн
100+3.74 грн
400+2.77 грн
1100+2.62 грн
12000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+9.48 грн
65+6.10 грн
110+3.66 грн
330+2.83 грн
900+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+11.38 грн
40+7.60 грн
100+4.40 грн
330+3.40 грн
900+3.21 грн
12000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+8.54 грн
50+5.88 грн
250+4.51 грн
1000+3.98 грн
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590F71E090D00D6&compId=LGE3D06065A.pdf?ci_sign=386dbc874955b46aa1e1873bf088a6c31809136d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 108uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 35A
Leakage current: 108µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065G LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590B0E138B460D6&compId=LGE3D06065G.pdf?ci_sign=73f7cff2ba49d1f86c8f3296f2c927a433c6ba7f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Leakage current: 0.1mA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Max. load current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M18120Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4923C6E793580D6&compId=LGE3M18120Q.pdf?ci_sign=7e83c72936c316ad271cc8a523a6e575f09dad6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 235nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 428W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M60065Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4927F3EACA840D6&compId=LGE3M60065Q.pdf?ci_sign=907c8c1536ad74714cc94e9f74bd938f415f844e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 97A
Power dissipation: 208W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.5 LGEA1117-1.5 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.8 LGEA1117-1.8 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-2.5 LGEA1117-2.5 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: 0...125°C
Mounting: SMD
Output current: 1A
Number of channels: 1
Tolerance: ±1%
Case: SOT89
Output voltage: 3.3V
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.04 грн
55+7.77 грн
100+6.46 грн
500+5.49 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Voltage drop: 1.15V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.04 грн
55+7.77 грн
100+6.52 грн
500+5.53 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.18 грн
60+6.70 грн
100+5.60 грн
500+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: 0...125°C
Mounting: SMD
Output current: 1A
Number of channels: 1
Tolerance: ±1%
Case: SOT89
Output voltage: 3.3V
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.65 грн
35+9.68 грн
100+7.75 грн
500+6.59 грн
1000+6.18 грн
2000+5.59 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Voltage drop: 1.15V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.65 грн
35+9.68 грн
100+7.82 грн
500+6.63 грн
1000+6.22 грн
2000+5.62 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.41 грн
40+8.35 грн
100+6.72 грн
500+5.67 грн
1000+5.35 грн
2000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.73 грн
11+38.45 грн
25+34.21 грн
100+31.69 грн
400+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.88 грн
10+47.92 грн
25+41.05 грн
100+38.03 грн
400+35.67 грн
800+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 30.6W
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.73 грн
11+38.30 грн
12+34.21 грн
50+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 30.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.88 грн
7+47.72 грн
10+41.05 грн
50+38.03 грн
250+35.67 грн
1000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.73 грн
11+38.30 грн
12+34.21 грн
50+31.69 грн
250+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.88 грн
7+47.72 грн
10+41.05 грн
50+38.03 грн
250+35.67 грн
1000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+401.40 грн
3+335.77 грн
10+296.45 грн
30+275.22 грн
120+259.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.68 грн
3+418.42 грн
10+355.74 грн
30+330.27 грн
120+311.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.59 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
240+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.66 грн
3+144.05 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EAC9DBB7DB80DF&compId=LGEGW20N65SEK.pdf?ci_sign=f1bb955e3d23fffc73018e47e81a2311210d6ead Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.59 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EAC9DBB7DB80DF&compId=LGEGW20N65SEK.pdf?ci_sign=f1bb955e3d23fffc73018e47e81a2311210d6ead Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.66 грн
3+144.05 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.76 грн
10+124.24 грн
30+115.59 грн
120+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.23 грн
3+175.40 грн
10+149.09 грн
30+138.71 грн
120+129.28 грн
240+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.46 грн
3+233.55 грн
10+206.81 грн
30+191.87 грн
120+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.35 грн
3+291.03 грн
10+248.17 грн
30+230.24 грн
120+215.15 грн
240+210.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.46 грн
3+233.55 грн
10+206.81 грн
30+191.87 грн
120+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.35 грн
3+291.03 грн
10+248.17 грн
30+230.24 грн
120+215.15 грн
240+210.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.46 грн
3+233.55 грн
10+206.81 грн
30+191.87 грн
120+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.35 грн
3+291.03 грн
10+248.17 грн
30+230.24 грн
120+215.15 грн
240+210.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F72E2E9CC560E1&compId=LGEGW40N65F1.pdf?ci_sign=dbf9432a3264ffd940793c0d3a43f1989f5421ee Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.59 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F72E2E9CC560E1&compId=LGEGW40N65F1.pdf?ci_sign=dbf9432a3264ffd940793c0d3a43f1989f5421ee Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.64 грн
3+144.05 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.69 грн
10+127.39 грн
30+118.74 грн
120+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.32 грн
3+180.30 грн
10+152.87 грн
30+142.49 грн
120+133.99 грн
240+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.69 грн
10+127.39 грн
30+118.74 грн
120+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.32 грн
3+180.30 грн
10+152.87 грн
30+142.49 грн
120+133.99 грн
240+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.69 грн
10+127.39 грн
30+118.74 грн
120+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.32 грн
3+180.30 грн
10+152.87 грн
30+142.49 грн
120+133.99 грн
240+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU LGEGW60N65SEU LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D55FCBD4FC00DF&compId=LGEGW60N65SEU.pdf?ci_sign=70d49fdb0691e0ba94e987387f0bcf579731a287 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.64 грн
10+151.77 грн
30+140.76 грн
120+130.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU LGEGW60N65SEU LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D55FCBD4FC00DF&compId=LGEGW60N65SEU.pdf?ci_sign=70d49fdb0691e0ba94e987387f0bcf579731a287 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.91 грн
3+212.64 грн
10+182.12 грн
30+168.91 грн
120+156.64 грн
240+153.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 192nC
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Power dissipation: 71W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.52 грн
3+219.39 грн
10+193.44 грн
30+180.07 грн
120+168.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A354821D88C0D6&compId=KTC3875.pdf?ci_sign=6d10af42bf851c448c955217152c60f0e37d1cf7
KTC3875
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70...700
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+7.11 грн
70+4.25 грн
250+3.68 грн
1000+3.26 грн
3000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE201-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.18 грн
100+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
на замовлення 13020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
160+2.92 грн
180+2.43 грн
500+2.15 грн
3000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 13020 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.03 грн
500+2.59 грн
3000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2301-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.36 грн
410+2.75 грн
1120+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
115+3.77 грн
135+2.94 грн
405+2.28 грн
1115+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.52 грн
100+3.66 грн
405+2.74 грн
1115+2.59 грн
12000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0BA162DD698BF&compId=LGE2304.pdf?ci_sign=627d3ea813cfabcdf9f3367816be162e90eeb118
LGE2304
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.7nC
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.56 грн
135+3.00 грн
400+2.31 грн
1100+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0BA162DD698BF&compId=LGE2304.pdf?ci_sign=627d3ea813cfabcdf9f3367816be162e90eeb118
LGE2304
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.7nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.27 грн
100+3.74 грн
400+2.77 грн
1100+2.62 грн
12000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+9.48 грн
65+6.10 грн
110+3.66 грн
330+2.83 грн
900+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+11.38 грн
40+7.60 грн
100+4.40 грн
330+3.40 грн
900+3.21 грн
12000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.54 грн
50+5.88 грн
250+4.51 грн
1000+3.98 грн
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590F71E090D00D6&compId=LGE3D06065A.pdf?ci_sign=386dbc874955b46aa1e1873bf088a6c31809136d
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 108uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 35A
Leakage current: 108µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590B0E138B460D6&compId=LGE3D06065G.pdf?ci_sign=73f7cff2ba49d1f86c8f3296f2c927a433c6ba7f
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Leakage current: 0.1mA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Max. load current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M18120Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4923C6E793580D6&compId=LGE3M18120Q.pdf?ci_sign=7e83c72936c316ad271cc8a523a6e575f09dad6e
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 235nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 428W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M60065Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4927F3EACA840D6&compId=LGE3M60065Q.pdf?ci_sign=907c8c1536ad74714cc94e9f74bd938f415f844e
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 78nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 97A
Power dissipation: 208W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e
LGEA1117-1.5
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e
LGEA1117-1.8
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-2.5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e
LGEA1117-2.5
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: 0...125°C
Mounting: SMD
Output current: 1A
Number of channels: 1
Tolerance: ±1%
Case: SOT89
Output voltage: 3.3V
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.04 грн
55+7.77 грн
100+6.46 грн
500+5.49 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Voltage drop: 1.15V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.04 грн
55+7.77 грн
100+6.52 грн
500+5.53 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.18 грн
60+6.70 грн
100+5.60 грн
500+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: 0...125°C
Mounting: SMD
Output current: 1A
Number of channels: 1
Tolerance: ±1%
Case: SOT89
Output voltage: 3.3V
Input voltage: 4.75...10V
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.65 грн
35+9.68 грн
100+7.75 грн
500+6.59 грн
1000+6.18 грн
2000+5.59 грн
5000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
Voltage drop: 1.15V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.65 грн
35+9.68 грн
100+7.82 грн
500+6.63 грн
1000+6.22 грн
2000+5.62 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB3F2B1AA19FB80D2&compId=LGEx1117x_SER.pdf?ci_sign=513116540c7a08c126fda250f320596a62d4753e
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.41 грн
40+8.35 грн
100+6.72 грн
500+5.67 грн
1000+5.35 грн
2000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.73 грн
11+38.45 грн
25+34.21 грн
100+31.69 грн
400+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.88 грн
10+47.92 грн
25+41.05 грн
100+38.03 грн
400+35.67 грн
800+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 30.6W
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.73 грн
11+38.30 грн
12+34.21 грн
50+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 30.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.88 грн
7+47.72 грн
10+41.05 грн
50+38.03 грн
250+35.67 грн
1000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.73 грн
11+38.30 грн
12+34.21 грн
50+31.69 грн
250+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.88 грн
7+47.72 грн
10+41.05 грн
50+38.03 грн
250+35.67 грн
1000+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57
LGEGW100N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.40 грн
3+335.77 грн
10+296.45 грн
30+275.22 грн
120+259.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57
LGEGW100N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.68 грн
3+418.42 грн
10+355.74 грн
30+330.27 грн
120+311.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.59 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
240+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.66 грн
3+144.05 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EAC9DBB7DB80DF&compId=LGEGW20N65SEK.pdf?ci_sign=f1bb955e3d23fffc73018e47e81a2311210d6ead
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.59 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EAC9DBB7DB80DF&compId=LGEGW20N65SEK.pdf?ci_sign=f1bb955e3d23fffc73018e47e81a2311210d6ead
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.66 грн
3+144.05 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.76 грн
10+124.24 грн
30+115.59 грн
120+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 460ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.23 грн
3+175.40 грн
10+149.09 грн
30+138.71 грн
120+129.28 грн
240+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.46 грн
3+233.55 грн
10+206.81 грн
30+191.87 грн
120+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.35 грн
3+291.03 грн
10+248.17 грн
30+230.24 грн
120+215.15 грн
240+210.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.46 грн
3+233.55 грн
10+206.81 грн
30+191.87 грн
120+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.35 грн
3+291.03 грн
10+248.17 грн
30+230.24 грн
120+215.15 грн
240+210.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.46 грн
3+233.55 грн
10+206.81 грн
30+191.87 грн
120+179.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.35 грн
3+291.03 грн
10+248.17 грн
30+230.24 грн
120+215.15 грн
240+210.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F72E2E9CC560E1&compId=LGEGW40N65F1.pdf?ci_sign=dbf9432a3264ffd940793c0d3a43f1989f5421ee
LGEGW40N65F1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.59 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N65F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F72E2E9CC560E1&compId=LGEGW40N65F1.pdf?ci_sign=dbf9432a3264ffd940793c0d3a43f1989f5421ee
LGEGW40N65F1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 187ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.64 грн
3+144.05 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.69 грн
10+127.39 грн
30+118.74 грн
120+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65F1A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80
LGEGW50N65F1A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.32 грн
3+180.30 грн
10+152.87 грн
30+142.49 грн
120+133.99 грн
240+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.69 грн
10+127.39 грн
30+118.74 грн
120+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5
LGEGW50N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.32 грн
3+180.30 грн
10+152.87 грн
30+142.49 грн
120+133.99 грн
240+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.69 грн
10+127.39 грн
30+118.74 грн
120+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW50N65SEU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442
LGEGW50N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.32 грн
3+180.30 грн
10+152.87 грн
30+142.49 грн
120+133.99 грн
240+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D55FCBD4FC00DF&compId=LGEGW60N65SEU.pdf?ci_sign=70d49fdb0691e0ba94e987387f0bcf579731a287
LGEGW60N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.64 грн
10+151.77 грн
30+140.76 грн
120+130.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW60N65SEU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D55FCBD4FC00DF&compId=LGEGW60N65SEU.pdf?ci_sign=70d49fdb0691e0ba94e987387f0bcf579731a287
LGEGW60N65SEU
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.91 грн
3+212.64 грн
10+182.12 грн
30+168.91 грн
120+156.64 грн
240+153.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW75N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5662C38B000DF&compId=LGEGW75N65F.pdf?ci_sign=8e2d7dc03b7c2dd188e1820e576a0115bba7b380
LGEGW75N65F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 192nC
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Power dissipation: 71W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.52 грн
3+219.39 грн
10+193.44 грн
30+180.07 грн
120+168.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]