Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > Всі товари виробника LUGUANG ELECTRONIC (1295) > Сторінка 15 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KBJ2B LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2D LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2K LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2M LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP08 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP10 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTA1273 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59DDA5BE36A00D6&compId=KTA1273.pdf?ci_sign=e34496784c14fd89d0b9603dfa5401e7d053ef27 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92L
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTA1A60 LUGUANG ELECTRONIC Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT89; Igt: 5mA; Ufmax: 1.6V
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT89
Gate current: 5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 KTC3875 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A354821D88C0D6&compId=KTC3875.pdf?ci_sign=6d10af42bf851c448c955217152c60f0e37d1cf7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT23
Current gain: 70...700
Mounting: SMD
Frequency: 80MHz
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+6.07 грн
120+3.48 грн
250+3.14 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 KTC3875 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A354821D88C0D6&compId=KTC3875.pdf?ci_sign=6d10af42bf851c448c955217152c60f0e37d1cf7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT23
Current gain: 70...700
Mounting: SMD
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+7.28 грн
70+4.33 грн
250+3.77 грн
1000+3.33 грн
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2005 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201 LGE201 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 60A
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.53 грн
68+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201 LGE201 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.44 грн
41+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LGE202 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE204 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE206 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE208 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE210 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Version: flat
Case: D3K
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.05V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
160+2.99 грн
180+2.50 грн
500+2.21 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.11 грн
500+2.65 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.46 грн
410+2.81 грн
1120+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.64 грн
145+2.83 грн
500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
75+4.37 грн
100+3.52 грн
500+3.05 грн
3000+2.69 грн
12000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
69+4.58 грн
405+2.82 грн
1115+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC LGE2305-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
26+12.09 грн
335+3.44 грн
915+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+7.28 грн
100+4.23 грн
250+3.82 грн
1000+3.36 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+8.74 грн
60+5.28 грн
250+4.58 грн
1000+4.04 грн
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590F71E090D00D6&compId=LGE3D06065A.pdf?ci_sign=386dbc874955b46aa1e1873bf088a6c31809136d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 108uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 35A
Leakage current: 108µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590E1021B8A80D6&compId=LGE3D06065F.pdf?ci_sign=086220e6f6459f4512031e79e63bd98de2fe33e1 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.72V
Max. load current: 30A
Leakage current: 110µA
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065G LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590B0E138B460D6&compId=LGE3D06065G.pdf?ci_sign=73f7cff2ba49d1f86c8f3296f2c927a433c6ba7f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Leakage current: 0.1mA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Max. load current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40120H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5916299374040D6&compId=LGE3D40120H.pdf?ci_sign=7d588c5272e93e59f476c2a8f0fc99a1ef4e61b7 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 240A
Max. forward impulse current: 260A
Kind of package: tube
Leakage current: 46µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M18120Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4923C6E793580D6&compId=LGE3M18120Q.pdf?ci_sign=7e83c72936c316ad271cc8a523a6e575f09dad6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 235nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 428W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M40120Q LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4925CDC62E240D6&compId=LGE3M40120Q.pdf?ci_sign=c3d05075cc59a080e5769347ee8254d749d1c172 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 117A; 300W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 145nC
On-state resistance: 69mΩ
Power dissipation: 300W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.5 LGEA1117-1.5 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.8 LGEA1117-1.8 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-2.5 LGEA1117-2.5 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.17 грн
55+7.86 грн
100+6.52 грн
500+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.17 грн
55+7.86 грн
100+6.58 грн
500+5.58 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.44 грн
60+6.76 грн
100+5.65 грн
500+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEA1117-3.3 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.81 грн
35+9.79 грн
100+7.82 грн
500+6.65 грн
1000+6.25 грн
2000+5.64 грн
5000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEA1117-5.0 LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.81 грн
35+9.79 грн
100+7.90 грн
500+6.69 грн
1000+6.28 грн
2000+5.68 грн
5000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEA1117-ADJ LUGUANG ELECTRONIC LGEx1117x_SER.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.73 грн
40+8.42 грн
100+6.78 грн
500+5.73 грн
1000+5.40 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.81 грн
11+38.87 грн
25+34.61 грн
100+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.17 грн
10+48.44 грн
25+41.53 грн
100+38.44 грн
400+36.12 грн
800+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.81 грн
11+39.20 грн
12+34.69 грн
50+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGF15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.17 грн
7+48.84 грн
10+41.63 грн
50+38.63 грн
250+36.22 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.81 грн
11+39.20 грн
12+34.69 грн
50+32.19 грн
250+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGP15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGx15N65.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.17 грн
7+48.84 грн
10+41.63 грн
50+38.63 грн
250+36.22 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+428.18 грн
3+357.35 грн
10+316.31 грн
30+293.77 грн
120+274.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP LGEGW100N65FP LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+513.82 грн
3+445.32 грн
10+379.57 грн
30+352.53 грн
120+329.35 грн
240+321.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.31 грн
10+104.63 грн
30+97.39 грн
120+90.95 грн
240+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.58 грн
3+147.44 грн
10+125.56 грн
30+116.86 грн
120+109.14 грн
240+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW20N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.31 грн
10+105.44 грн
30+97.39 грн
120+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK LUGUANG ELECTRONIC LGEGW20N65SEK.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.58 грн
3+147.44 грн
10+126.52 грн
30+116.86 грн
120+109.14 грн
240+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.26 грн
10+126.36 грн
30+117.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.94 грн
3+178.53 грн
10+151.63 грн
30+141.01 грн
120+131.35 грн
240+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.30 грн
3+237.43 грн
10+210.87 грн
30+195.58 грн
120+182.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2B
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2D
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2K
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2M
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBJ2
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP08
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP10
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 50A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTA1273 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59DDA5BE36A00D6&compId=KTA1273.pdf?ci_sign=e34496784c14fd89d0b9603dfa5401e7d053ef27
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO92L
Current gain: 100...320
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTA1A60
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT89; Igt: 5mA; Ufmax: 1.6V
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT89
Gate current: 5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A354821D88C0D6&compId=KTC3875.pdf?ci_sign=6d10af42bf851c448c955217152c60f0e37d1cf7
KTC3875
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT23
Current gain: 70...700
Mounting: SMD
Frequency: 80MHz
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+6.07 грн
120+3.48 грн
250+3.14 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A354821D88C0D6&compId=KTC3875.pdf?ci_sign=6d10af42bf851c448c955217152c60f0e37d1cf7
KTC3875
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT23
Current gain: 70...700
Mounting: SMD
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+7.28 грн
70+4.33 грн
250+3.77 грн
1000+3.33 грн
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2005
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201
LGE201
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 60A
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.53 грн
68+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201
LGE201
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.44 грн
41+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
LGE202
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE204
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE206
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE208
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Case: D3K
Version: flat
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE210
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Version: flat
Case: D3K
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.05V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
160+2.99 грн
180+2.50 грн
500+2.21 грн
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.11 грн
500+2.65 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2301-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.46 грн
410+2.81 грн
1120+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.64 грн
145+2.83 грн
500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.37 грн
100+3.52 грн
500+3.05 грн
3000+2.69 грн
12000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
69+4.58 грн
405+2.82 грн
1115+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2305-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
26+12.09 грн
335+3.44 грн
915+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
60+7.28 грн
100+4.23 грн
250+3.82 грн
1000+3.36 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988F2B4974F43D8BF&compId=LGE2312.pdf?ci_sign=2ab10d288b67574288214d76005e5b2af17ec41e
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.74 грн
60+5.28 грн
250+4.58 грн
1000+4.04 грн
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590F71E090D00D6&compId=LGE3D06065A.pdf?ci_sign=386dbc874955b46aa1e1873bf088a6c31809136d
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 108uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 35A
Leakage current: 108µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590E1021B8A80D6&compId=LGE3D06065F.pdf?ci_sign=086220e6f6459f4512031e79e63bd98de2fe33e1
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.72V
Max. load current: 30A
Leakage current: 110µA
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB590B0E138B460D6&compId=LGE3D06065G.pdf?ci_sign=73f7cff2ba49d1f86c8f3296f2c927a433c6ba7f
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Leakage current: 0.1mA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
Max. load current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5916299374040D6&compId=LGE3D40120H.pdf?ci_sign=7d588c5272e93e59f476c2a8f0fc99a1ef4e61b7
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 240A
Max. forward impulse current: 260A
Kind of package: tube
Leakage current: 46µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M18120Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4923C6E793580D6&compId=LGE3M18120Q.pdf?ci_sign=7e83c72936c316ad271cc8a523a6e575f09dad6e
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 235nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 428W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M40120Q pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4925CDC62E240D6&compId=LGE3M40120Q.pdf?ci_sign=c3d05075cc59a080e5769347ee8254d749d1c172
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 117A; 300W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 145nC
On-state resistance: 69mΩ
Power dissipation: 300W
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.5 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-1.5
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-1.8 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-1.8
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.8V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.2...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-2.5 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-2.5
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 2.5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.9...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.17 грн
55+7.86 грн
100+6.52 грн
500+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+13.17 грн
55+7.86 грн
100+6.58 грн
500+5.58 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.44 грн
60+6.76 грн
100+5.65 грн
500+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-3.3 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-3.3
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.75...10V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.81 грн
35+9.79 грн
100+7.82 грн
500+6.65 грн
1000+6.25 грн
2000+5.64 грн
5000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-5.0 LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-5.0
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 1A; SOT89; SMD; ±1%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 5V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 6.5...12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.81 грн
35+9.79 грн
100+7.90 грн
500+6.69 грн
1000+6.28 грн
2000+5.68 грн
5000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
LGEA1117-ADJ LGEx1117x_SER.pdf
LGEA1117-ADJ
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷12V; 1A; SOT89
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.15V
Output voltage: 1.25...12V
Output current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.4...8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.73 грн
40+8.42 грн
100+6.78 грн
500+5.73 грн
1000+5.40 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.81 грн
11+38.87 грн
25+34.61 грн
100+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGB15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGB15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.17 грн
10+48.44 грн
25+41.53 грн
100+38.44 грн
400+36.12 грн
800+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.81 грн
11+39.20 грн
12+34.69 грн
50+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGF15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGF15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 30.6W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 30.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.17 грн
7+48.84 грн
10+41.63 грн
50+38.63 грн
250+36.22 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.81 грн
11+39.20 грн
12+34.69 грн
50+32.19 грн
250+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGP15N65T2 LGEGx15N65.pdf
LGEGP15N65T2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.17 грн
7+48.84 грн
10+41.63 грн
50+38.63 грн
250+36.22 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57
LGEGW100N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+428.18 грн
3+357.35 грн
10+316.31 грн
30+293.77 грн
120+274.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW100N65FP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F745FFB27240E1&compId=LGEGW100N65FP.pdf?ci_sign=ebce744619685da1f49d64e0d77d4324af015b57
LGEGW100N65FP
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 500W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 375ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.82 грн
3+445.32 грн
10+379.57 грн
30+352.53 грн
120+329.35 грн
240+321.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.31 грн
10+104.63 грн
30+97.39 грн
120+90.95 грн
240+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.58 грн
3+147.44 грн
10+125.56 грн
30+116.86 грн
120+109.14 грн
240+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK.pdf
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.31 грн
10+105.44 грн
30+97.39 грн
120+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW20N65SEK LGEGW20N65SEK.pdf
LGEGW20N65SEK
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 82W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 74ns
Gate charge: 82nC
Turn-off time: 232ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.58 грн
3+147.44 грн
10+126.52 грн
30+116.86 грн
120+109.14 грн
240+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.26 грн
10+126.36 грн
30+117.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW25N120S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D585940B18A0DF&compId=LGEGW25N120S.pdf?ci_sign=46757ba5e0f909fc6b49ea5dc379992dcb5afacf
LGEGW25N120S
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.94 грн
3+178.53 грн
10+151.63 грн
30+141.01 грн
120+131.35 грн
240+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.30 грн
3+237.43 грн
10+210.87 грн
30+195.58 грн
120+182.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]