Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > Всі товари виробника MICRO COMMERCIAL CO (6274) > Сторінка 58 з 105

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 70 80 90 100 105  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMA3EZ13D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ130D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA3EZ130D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ13D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB1245-TP SB1245-TP Micro Commercial Co Description: DIODE SCHOTTKY 12A DO-201AD
Supplier Device Package: DO-201AD
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCAC95N065Y-TP MCAC95N065Y-TP Micro Commercial Co MCAC95N065Y(DFN5060).pdf Description: MOSFET N-CH DFN5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCAC95N065Y-TP MCAC95N065Y-TP Micro Commercial Co MCAC95N065Y(DFN5060).pdf Description: MOSFET N-CH DFN5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+111.43 грн
100+76.31 грн
500+57.49 грн
1000+52.94 грн
2000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6X1NA-TP UM6X1NA-TP Micro Commercial Co UM6X1NA(SOT-563).pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6X1NA-TP UM6X1NA-TP Micro Commercial Co UM6X1NA(SOT-563).pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
22+14.13 грн
100+6.90 грн
500+5.40 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR606GP-AP FR606GP-AP Micro Commercial Co FR601GP-FR607GP(R-6).pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR606GP-TP FR606GP-TP Micro Commercial Co FR601GP-FR607GP(R-6).pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: R-6
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: R-6, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B18-TP Micro Commercial Co BZT52B2V4-BZT52B75(SOD-123).pdf Description: DIODE ZENER 18V 410MW SOD123
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B18-TP Micro Commercial Co BZT52B2V4-BZT52B75(SOD-123).pdf Description: DIODE ZENER 18V 410MW SOD123
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
18+17.43 грн
100+9.25 грн
500+5.71 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS310LHE-TP SS310LHE-TP Micro Commercial Co SS34LHE-SS310LHE.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS310LHE-TP SS310LHE-TP Micro Commercial Co SS34LHE-SS310LHE.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDPLC5V0AE2-TP ESDPLC5V0AE2-TP Micro Commercial Co ESDPLC5V0AE2(0201-A).pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 0201-A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 0201-A
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDPLC5V0AE2-TP ESDPLC5V0AE2-TP Micro Commercial Co ESDPLC5V0AE2(0201-A).pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 0201-A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 0201-A
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 19971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
15+20.49 грн
100+10.34 грн
500+7.91 грн
1000+5.87 грн
2000+4.94 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR201GP-AP FR201GP-AP Micro Commercial Co FR201GP-FR207GP(DO-15).pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616A-G-BP Micro Commercial Co KSD1616_16A-Y_G_Rev3-2_12-1-2020.pdf Description: TRANS NPN 120V 1A TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT3946HE3-TP MMDT3946HE3-TP Micro Commercial Co MMDT3946HE3(SOT-363).pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT-363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT3946HE3-TP MMDT3946HE3-TP Micro Commercial Co MMDT3946HE3(SOT-363).pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS320HE-TP SS320HE-TP Micro Commercial Co SS32HE_thru_SS320HE.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS320HE-TP SS320HE-TP Micro Commercial Co SS32HE_thru_SS320HE.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB2EZ10D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA2EZ10D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB1540-TP Micro Commercial Co Description: DIODE SCHOTTKY 15A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF14-AP SF14-AP Micro Commercial Co SF11_-_SF18.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-41
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF14-TP SF14-TP Micro Commercial Co SF11_-_SF18.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB90N12A-TP MCB90N12A-TP Micro Commercial Co MCB90N12A(D2-PAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB90N12A-TP MCB90N12A-TP Micro Commercial Co MCB90N12A(D2-PAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU40N10-TP MCU40N10-TP Micro Commercial Co Description: MOSFET N-CH 100VDS 20VGS 40A 160
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF21-TP SF21-TP Micro Commercial Co SF21-SF28.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJL1504-BP Micro Commercial Co GBJL15005-GBJL1510.pdf Description: DIODE BRIDGE GBJL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: GBJL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3139KL3A-TP SI3139KL3A-TP Micro Commercial Co SI3139KL3A(DFN1006-3).pdf Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3139KL3A-TP SI3139KL3A-TP Micro Commercial Co SI3139KL3A(DFN1006-3).pdf Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
14+22.81 грн
100+12.09 грн
500+7.46 грн
1000+5.07 грн
2000+4.58 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B27-TP Micro Commercial Co BZT52B2V4-BZT52B75(SOD-123).pdf Description: DIODE ZENER 27V 410MW SOD123
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF13M-TP Micro Commercial Co SM11M-SF18M_RevB_01-01-13.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13-TP SF13-TP Micro Commercial Co SF11_-_SF18.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13G-TP SF13G-TP Micro Commercial Co SF11G-SF18G(DO-41).pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF13G-AP SF13G-AP Micro Commercial Co SF11G-SF18G(DO-41).pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF13-AP SF13-AP Micro Commercial Co SF11_-_SF18.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101-TP HER101-TP Micro Commercial Co HER101-108(DO-41).pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101S-TP Micro Commercial Co HER101S-HER108S.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A A-405
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: A-405
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101S-AP Micro Commercial Co HER101S-HER108S.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A A-405
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: A-405
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101-AP HER101-AP Micro Commercial Co HER101-108(DO-41).pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU40N10AHE3-TP MCU40N10AHE3-TP Micro Commercial Co Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10YA-TP MCU65N10YA-TP Micro Commercial Co MCU65N10YA(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2431 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10YA-TP MCU65N10YA-TP Micro Commercial Co MCU65N10YA(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2431 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+96.62 грн
100+76.93 грн
500+61.09 грн
1000+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y-TP Micro Commercial Co MCU65N10Y(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y-TP Micro Commercial Co MCU65N10Y(DPAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+109.94 грн
100+75.08 грн
500+56.48 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI0205-TP SI0205-TP Micro Commercial Co SI0205(SOT-523).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI0205-TP SI0205-TP Micro Commercial Co SI0205(SOT-523).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCQ15N10B-TP Micro Commercial Co Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014HE3-TP MCMN2014HE3-TP Micro Commercial Co MCMN2014HE3(DFN2020-6LE).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6LE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014HE3-TP MCMN2014HE3-TP Micro Commercial Co MCMN2014HE3(DFN2020-6LE).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6LE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
11+28.79 грн
100+19.60 грн
500+13.80 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5989B-TP 1N5989B-TP Micro Commercial Co 1N5985B-1N6016B_DS.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR2504-BP FR2504-BP Micro Commercial Co Description: DIODE GEN PURP 400V 25A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA3EZ15D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ15D5-TP Micro Commercial Co Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014A-TP MCMN2014A-TP Micro Commercial Co MCMN2014A(DFN2020-6J).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-6J
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMA3EZ13D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ130D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA3EZ130D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ13D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB1245-TP
SB1245-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 12A DO-201AD
Supplier Device Package: DO-201AD
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCAC95N065Y-TP MCAC95N065Y(DFN5060).pdf
MCAC95N065Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH DFN5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCAC95N065Y-TP MCAC95N065Y(DFN5060).pdf
MCAC95N065Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH DFN5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.40 грн
10+111.43 грн
100+76.31 грн
500+57.49 грн
1000+52.94 грн
2000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6X1NA-TP UM6X1NA(SOT-563).pdf
UM6X1NA-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6X1NA-TP UM6X1NA(SOT-563).pdf
UM6X1NA-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.97 грн
22+14.13 грн
100+6.90 грн
500+5.40 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR606GP-AP FR601GP-FR607GP(R-6).pdf
FR606GP-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR606GP-TP FR601GP-FR607GP(R-6).pdf
FR606GP-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: R-6
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: R-6, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B18-TP BZT52B2V4-BZT52B75(SOD-123).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 18V 410MW SOD123
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B18-TP BZT52B2V4-BZT52B75(SOD-123).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 18V 410MW SOD123
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.75 грн
18+17.43 грн
100+9.25 грн
500+5.71 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS310LHE-TP SS34LHE-SS310LHE.pdf
SS310LHE-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS310LHE-TP SS34LHE-SS310LHE.pdf
SS310LHE-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDPLC5V0AE2-TP ESDPLC5V0AE2(0201-A).pdf
ESDPLC5V0AE2-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 0201-A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 0201-A
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDPLC5V0AE2-TP ESDPLC5V0AE2(0201-A).pdf
ESDPLC5V0AE2-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 0201-A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 0201-A
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 19971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.29 грн
15+20.49 грн
100+10.34 грн
500+7.91 грн
1000+5.87 грн
2000+4.94 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR201GP-AP FR201GP-FR207GP(DO-15).pdf
FR201GP-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616A-G-BP KSD1616_16A-Y_G_Rev3-2_12-1-2020.pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS NPN 120V 1A TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT3946HE3-TP MMDT3946HE3(SOT-363).pdf
MMDT3946HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT-363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT3946HE3-TP MMDT3946HE3(SOT-363).pdf
MMDT3946HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS320HE-TP SS32HE_thru_SS320HE.pdf
SS320HE-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS320HE-TP SS32HE_thru_SS320HE.pdf
SS320HE-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SOD123HE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-123HE
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123H
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB2EZ10D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA2EZ10D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB1540-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SCHOTTKY 15A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF14-AP SF11_-_SF18.pdf
SF14-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-41
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF14-TP SF11_-_SF18.pdf
SF14-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB90N12A-TP MCB90N12A(D2-PAK).pdf
MCB90N12A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCB90N12A-TP MCB90N12A(D2-PAK).pdf
MCB90N12A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU40N10-TP
MCU40N10-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 100VDS 20VGS 40A 160
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF21-TP SF21-SF28.pdf
SF21-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJL1504-BP GBJL15005-GBJL1510.pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE BRIDGE GBJL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Supplier Device Package: GBJL
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3139KL3A-TP SI3139KL3A(DFN1006-3).pdf
SI3139KL3A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3139KL3A-TP SI3139KL3A(DFN1006-3).pdf
SI3139KL3A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.74 грн
14+22.81 грн
100+12.09 грн
500+7.46 грн
1000+5.07 грн
2000+4.58 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B27-TP BZT52B2V4-BZT52B75(SOD-123).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 27V 410MW SOD123
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF13M-TP SM11M-SF18M_RevB_01-01-13.pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13-TP SF11_-_SF18.pdf
SF13-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SF13G-TP SF11G-SF18G(DO-41).pdf
SF13G-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF13G-AP SF11G-SF18G(DO-41).pdf
SF13G-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SF13-AP SF11_-_SF18.pdf
SF13-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101-TP HER101-108(DO-41).pdf
HER101-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101S-TP HER101S-HER108S.pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A A-405
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: A-405
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101S-AP HER101S-HER108S.pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A A-405
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: A-405
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER101-AP HER101-108(DO-41).pdf
HER101-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU40N10AHE3-TP
MCU40N10AHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1218 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10YA-TP MCU65N10YA(DPAK).pdf
MCU65N10YA-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2431 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10YA-TP MCU65N10YA(DPAK).pdf
MCU65N10YA-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2431 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.38 грн
10+96.62 грн
100+76.93 грн
500+61.09 грн
1000+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y(DPAK).pdf
MCU65N10Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCU65N10Y-TP MCU65N10Y(DPAK).pdf
MCU65N10Y-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.85 грн
10+109.94 грн
100+75.08 грн
500+56.48 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI0205-TP SI0205(SOT-523).pdf
SI0205-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI0205-TP SI0205(SOT-523).pdf
SI0205-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCQ15N10B-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014HE3-TP MCMN2014HE3(DFN2020-6LE).pdf
MCMN2014HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6LE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014HE3-TP MCMN2014HE3(DFN2020-6LE).pdf
MCMN2014HE3-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN2020-6LE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6LE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.28 грн
11+28.79 грн
100+19.60 грн
500+13.80 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5989B-TP 1N5985B-1N6016B_DS.pdf
1N5989B-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR2504-BP
FR2504-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA3EZ15D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB3EZ15D5-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE ZENER DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMN2014A-TP MCMN2014A(DFN2020-6J).pdf
MCMN2014A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1791 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-6J
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 70 80 90 100 105  [ Наступна Сторінка >> ]