Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (359197) > Сторінка 3385 з 5987
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT100GN60B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT100GN60LDQ4G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT100GT120JR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 67A Pulsed collector current: 200A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT100GT120JRDQ4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 67A Pulsed collector current: 200A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT100GT120JU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT100GT120JU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; motors Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 280A Application: motors Electrical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: buck chopper Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT100M50J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 65A On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 490A Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT100MC120JCU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT100MC120JCU2 Transistor modules MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT100S20BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
APT100S20LCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT102GA60B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 102A Pulsed collector current: 307A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 389ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Gate charge: 294nC Technology: POWER MOS 8®; PT Mounting: THT Case: T-Max кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT102GA60L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 102A Pulsed collector current: 307A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 313ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Gate charge: 294nC Technology: POWER MOS 8® Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT106N60B2C6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT106N60LC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M07JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A Drain-source voltage: 100V Drain current: 225A On-state resistance: 7mΩ Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 900A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M09LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M11JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A Drain-source voltage: 100V Drain current: 144A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 576A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M11JVRU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper Pulsed drain current: 576A Semiconductor structure: diode/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M11JVRU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: buck chopper Pulsed drain current: 576A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M11LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M19BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M19SVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M19SVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT10M25BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT11F80B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT11N80BC3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 60nC Pulsed drain current: 33A Part status: Not recommended for new designs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT1201R2BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT1201R2BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R2BLLG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT1201R4BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT1201R4BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R4BLLG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT1201R4SFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT1201R5BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R5BVFRG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT1201R5BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT1201R6BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT1201R6BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT1201R6SVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12031JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12040JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12040L2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12040L2FLLG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT1204R7BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT1204R7SFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12057B2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12057B2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX Mounting: THT Case: TO247MAX Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 22A On-state resistance: 570mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 290nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 88A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12057JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12057LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12060LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12060LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12060LVRG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12067JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12067LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12080JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw On-state resistance: 0.8Ω Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 450W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT12080LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12080LVRG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT12M80B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 45A; 335W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 335W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT13F120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT13F120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT13GP120BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
APT13GP120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT14F100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; 500W; TO247 Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO247 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A On-state resistance: 980mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT14F100S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 56A; 500W; D3PAK Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 56A Case: D3PAK Drain-source voltage: 1kV Drain current: 9A On-state resistance: 980mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT14M100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3 Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 55A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 9A On-state resistance: 880mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT14M100S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; D3PAK Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 55A Case: D3PAK Drain-source voltage: 1kV Drain current: 9A On-state resistance: 880mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
APT100GN60B2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100GN60B2G THT IGBT transistors
APT100GN60B2G THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT100GN60LDQ4G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100GN60LDQ4G THT IGBT transistors
APT100GN60LDQ4G THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT100GT120JR |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT100GT120JRDQ4 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT100GT120JU2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100GT120JU2 IGBT modules
APT100GT120JU2 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT100GT120JU3 |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; motors
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; motors
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT100M50J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 490A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 490A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT100MC120JCU2 |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100MC120JCU2 Transistor modules MOSFET
APT100MC120JCU2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT100S20BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100S20BG THT Schottky diodes
APT100S20BG THT Schottky diodes
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1012.74 грн |
2+ | 615.77 грн |
5+ | 582.29 грн |
APT100S20LCTG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100S20LCTG THT Schottky diodes
APT100S20LCTG THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT102GA60B2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 389ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®; PT
Mounting: THT
Case: T-Max
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 389ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®; PT
Mounting: THT
Case: T-Max
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT102GA60L |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 313ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 313ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT106N60B2C6 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT106N60B2C6 THT N channel transistors
APT106N60B2C6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT106N60LC6 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT106N60LC6 THT N channel transistors
APT106N60LC6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M07JVFR |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M09LVFRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M09LVFRG THT N channel transistors
APT10M09LVFRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M11JVFR |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 144A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 576A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 144A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 576A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M11JVRU2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 576A
Semiconductor structure: diode/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 576A
Semiconductor structure: diode/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M11JVRU3 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 576A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 576A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M11LVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M11LVRG THT N channel transistors
APT10M11LVRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M19BVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M19BVRG THT N channel transistors
APT10M19BVRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M19SVFRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M19SVFRG SMD N channel transistors
APT10M19SVFRG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M19SVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M19SVRG SMD N channel transistors
APT10M19SVRG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT10M25BVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M25BVRG THT N channel transistors
APT10M25BVRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT11F80B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT11F80B THT N channel transistors
APT11F80B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT11N80BC3G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Pulsed drain current: 33A
Part status: Not recommended for new designs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Pulsed drain current: 33A
Part status: Not recommended for new designs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R2BFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R2BFLLG THT N channel transistors
APT1201R2BFLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R2BLLG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R2BLLG THT N channel transistors
APT1201R2BLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R4BFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R4BFLLG THT N channel transistors
APT1201R4BFLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R4BLLG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R4BLLG THT N channel transistors
APT1201R4BLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R4SFLLG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors
APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R5BVFRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R5BVFRG THT N channel transistors
APT1201R5BVFRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R5BVRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R6BVFRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R6BVFRG THT N channel transistors
APT1201R6BVFRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R6BVRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1201R6SVFRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors
APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12031JFLL |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12031JFLL Transistor modules MOSFET
APT12031JFLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12040JVR |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12040JVR Transistor modules MOSFET
APT12040JVR Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12040L2FLLG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12040L2FLLG THT N channel transistors
APT12040L2FLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1204R7BFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1204R7BFLLG THT N channel transistors
APT1204R7BFLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT1204R7SFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1204R7SFLLG SMD N channel transistors
APT1204R7SFLLG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12057B2FLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057B2FLLG THT N channel transistors
APT12057B2FLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12057B2LLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 290nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 290nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12057JFLL |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057JFLL Transistor modules MOSFET
APT12057JFLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12057LFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057LFLLG THT N channel transistors
APT12057LFLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12060LVFRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12060LVFRG THT N channel transistors
APT12060LVFRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12060LVRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12060LVRG THT N channel transistors
APT12060LVRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12067JFLL |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12067JFLL Transistor modules MOSFET
APT12067JFLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12067LFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12067LFLLG THT N channel transistors
APT12067LFLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12080JVFR |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.8Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.8Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12080LVRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12080LVRG THT N channel transistors
APT12080LVRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT12M80B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 45A; 335W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 335W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 45A; 335W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 335W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT13F120B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13F120B THT N channel transistors
APT13F120B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT13F120S |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13F120S SMD N channel transistors
APT13F120S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT13GP120BDQ1G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13GP120BDQ1G THT IGBT transistors
APT13GP120BDQ1G THT IGBT transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1136.96 грн |
2+ | 724.60 грн |
5+ | 684.61 грн |
APT13GP120BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13GP120BG THT IGBT transistors
APT13GP120BG THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT14F100B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; 500W; TO247
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 980mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; 500W; TO247
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 980mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT14F100S |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 56A; 500W; D3PAK
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 980mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 56A; 500W; D3PAK
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 980mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT14M100B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 880mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 880mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT14M100S |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; D3PAK
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 880mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; D3PAK
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 880mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.