Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (359187) > Сторінка 3390 з 5987
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT30M70BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT30M75BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT30M75BFLLG THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
APT30M75BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT30M75BLLG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT30M85BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
APT30N60BC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 219W Gate charge: 88nC Technology: CoolMOS™ Pulsed drain current: 89A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
APT30S20BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 45Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.91V Mounting: THT Case: TO247-3 Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 121A Max. forward voltage: 0.91V Load current: 45A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 0.32kA Leakage current: 15mA Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
APT30S20BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT31M100B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT31M100L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT32F120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT32M80J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT33GF120B2RDQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
APT33GF120BRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1200V; 33A; 297W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Fast IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 33A Power dissipation: 297W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 104A Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 284ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
APT33GF120LRDQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT34F100B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT34F100L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT34F60B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT34F60S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT34M120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT34M60B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT34M60S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT35GA90B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
APT35GA90BD15 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 8®; PT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 35A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 25ns Turn-off time: 298ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
APT35GN120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT35GN120L2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT35GN120SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT35GP120B2D2G | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT35GP120B2D2G THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT35GP120B2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
APT35GP120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
APT35GP120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
APT35GP120JDQ2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT35GT120JU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT35GT120JU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT36GA60B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT36GA60BD15 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT36GA60SD15 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
APT37F50B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 115A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 145nC Technology: POWER MOS 8® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
APT37F50S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT37M100B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT37M100L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT38F50J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
APT38F80B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 26A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 260nC Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 150A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
APT38F80L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT38M50J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
APT38N60BC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 278W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
APT39F60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT39M60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
APT4014BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A Polarisation: unipolar Mounting: THT Drain-source voltage: 400V Drain current: 28A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Kind of package: tube Gate charge: 160nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
APT4020BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 23A; Idm: 92A Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 92A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 400V Drain current: 23A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 5® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
APT40DQ100BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 40A; tube; TO247-3; FRED Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 40A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Application: automotive industry Technology: FRED кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
APT40DQ100BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT40DQ120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT40DQ120SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
APT40DQ60BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 40A; tube; TO247-3; FRED Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 40A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Application: automotive industry Technology: FRED кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
APT40DQ60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT40DR160HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 40A; Ifsm: 400A Case: SOT227B Leads: M4 screws Max. off-state voltage: 1.6kV Max. forward voltage: 1.3V Load current: 40A Max. forward impulse current: 0.4kA Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Version: module Type of bridge rectifier: single-phase кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT40GF120JRD | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT40GF120JRD IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT40GF120JRDQ2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT40GL120JU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
APT40GL120JU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
APT30M70BVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30M70BVRG THT N channel transistors
APT30M70BVRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT30M75BFLLG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30M75BFLLG THT N channel transistors
APT30M75BFLLG THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1134.81 грн |
3+ | 1073.42 грн |
APT30M75BLLG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30M75BLLG THT N channel transistors
APT30M75BLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT30M85BVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30M85BVRG THT N channel transistors
APT30M85BVRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT30N60BC6 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 678.17 грн |
APT30S20BCTG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 45Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.91V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 121A
Max. forward voltage: 0.91V
Load current: 45A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 15mA
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 45Ax2; TO247-3; Ufmax: 0.91V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 121A
Max. forward voltage: 0.91V
Load current: 45A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 15mA
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 881.52 грн |
2+ | 623.04 грн |
3+ | 599.03 грн |
6+ | 566.48 грн |
APT30S20BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30S20BG THT Schottky diodes
APT30S20BG THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT31M100B2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT31M100B2 THT N channel transistors
APT31M100B2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT31M100L |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT31M100L THT N channel transistors
APT31M100L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT32F120J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT32F120J Transistor modules MOSFET
APT32F120J Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT32M80J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT32M80J Transistor modules MOSFET
APT32M80J Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT33GF120B2RDQ2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT33GF120B2RDQ2G THT IGBT transistors
APT33GF120B2RDQ2G THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT33GF120BRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 33A; 297W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Fast IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 33A
Power dissipation: 297W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 104A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 284ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 33A; 297W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Fast IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 33A
Power dissipation: 297W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 104A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 284ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT33GF120LRDQ2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT33GF120LRDQ2G THT IGBT transistors
APT33GF120LRDQ2G THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT34F100B2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34F100B2 THT N channel transistors
APT34F100B2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT34F100L |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34F100L THT N channel transistors
APT34F100L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT34F60B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34F60B THT N channel transistors
APT34F60B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT34F60S |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34F60S SMD N channel transistors
APT34F60S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT34M120J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34M120J Transistor modules MOSFET
APT34M120J Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT34M60B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34M60B THT N channel transistors
APT34M60B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT34M60S |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34M60S SMD N channel transistors
APT34M60S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT35GA90B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GA90B THT IGBT transistors
APT35GA90B THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT35GA90BD15 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: POWER MOS 8®; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 35A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: POWER MOS 8®; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 35A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT35GN120BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GN120BG THT IGBT transistors
APT35GN120BG THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT35GN120L2DQ2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GN120L2DQ2G THT IGBT transistors
APT35GN120L2DQ2G THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT35GN120SG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GN120SG SMD IGBT transistors
APT35GN120SG SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT35GP120B2D2G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120B2D2G THT IGBT transistors
APT35GP120B2D2G THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT35GP120B2DQ2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120B2DQ2G THT IGBT transistors
APT35GP120B2DQ2G THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4894.57 грн |
APT35GP120BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120BG THT IGBT transistors
APT35GP120BG THT IGBT transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1358.98 грн |
3+ | 1284.57 грн |
APT35GP120J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120J IGBT modules
APT35GP120J IGBT modules
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2976.55 грн |
APT35GP120JDQ2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120JDQ2 IGBT modules
APT35GP120JDQ2 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT35GT120JU2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GT120JU2 IGBT modules
APT35GT120JU2 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT35GT120JU3 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GT120JU3 IGBT modules
APT35GT120JU3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT36GA60B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT36GA60B THT IGBT transistors
APT36GA60B THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT36GA60BD15 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT36GA60BD15 THT IGBT transistors
APT36GA60BD15 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT36GA60SD15 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT36GA60SD15 SMD IGBT transistors
APT36GA60SD15 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT37F50B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 115A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 145nC
Technology: POWER MOS 8®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 115A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 145nC
Technology: POWER MOS 8®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT37F50S |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37F50S SMD N channel transistors
APT37F50S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT37M100B2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37M100B2 THT N channel transistors
APT37M100B2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT37M100L |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37M100L THT N channel transistors
APT37M100L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT38F50J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT38F50J Transistor modules MOSFET
APT38F50J Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT38F80B2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1675.88 грн |
3+ | 1598.64 грн |
APT38F80L |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT38F80L THT N channel transistors
APT38F80L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT38M50J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT38M50J Transistor modules MOSFET
APT38M50J Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT38N60BC6 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT39F60J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT39F60J Transistor modules MOSFET
APT39F60J Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT39M60J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT39M60J Transistor modules MOSFET
APT39M60J Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT4014BVFRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT4020BVFRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 23A; Idm: 92A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 5®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 23A; Idm: 92A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 92A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 5®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40DQ100BCTG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 40A; tube; TO247-3; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 40A; tube; TO247-3; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40DQ100BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ100BG THT universal diodes
APT40DQ100BG THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40DQ120BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ120BG THT universal diodes
APT40DQ120BG THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40DQ120SG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ120SG SMD universal diodes
APT40DQ120SG SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40DQ60BCTG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 40A; tube; TO247-3; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 40A; tube; TO247-3; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40DQ60BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ60BG THT universal diodes
APT40DQ60BG THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40DR160HJ |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 40A; Ifsm: 400A
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 40A; Ifsm: 400A
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40GF120JRD |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GF120JRD IGBT modules
APT40GF120JRD IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40GF120JRDQ2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GF120JRDQ2 IGBT modules
APT40GF120JRDQ2 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40GL120JU2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GL120JU2 IGBT modules
APT40GL120JU2 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT40GL120JU3 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GL120JU3 IGBT modules
APT40GL120JU3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.