Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (358136) > Сторінка 3386 з 5969
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT75DQ120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 75A; tube; Ifsm: 540A; TO247AC; 325ns Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 75A Max. load current: 121A Case: TO247AC Mounting: THT Max. forward impulse current: 540A Max. forward voltage: 2.8V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 325ns Features of semiconductor devices: ultrafast switching Technology: FRED кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT75DQ120SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75DQ60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75DQ60SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75F50B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT75F50L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; Idm: 230A; 1.04kW; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 47A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT75GN120B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75GN120JDQ3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: Field Stop; Trench Collector current: 57A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Kind of package: tube Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75GN120LG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT75GN60BDQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 93A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 485nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 485ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT75GN60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 93A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 485nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 485ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT75GN60LDQ3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 93A Power dissipation: 536W Case: TO264 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 485nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 485ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT75GN60SDQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 93A Power dissipation: 536W Case: D3PAK Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: SMD Gate charge: 485nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 485ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT75GP120B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75GP120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT75GP120JDQ3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 543W Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: POWER MOS 7® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
APT75GT120JRDQ3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Type of module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: NPT; POWER MOS 7® Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75GT120JU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75GT120JU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75M50B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT75M50L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT77N60BC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 49A Pulsed drain current: 272A Power dissipation: 481W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT77N60SC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 49A Pulsed drain current: 272A Power dissipation: 481W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT7F100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT7F120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT7F120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT7M120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
APT7M120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8011JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8011JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8014JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT8014JFLL Transistor modules MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8014JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8014L2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8014L2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8015JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8015JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8020B2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8020B2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8020JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 800V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 132A; 520W Drain-source voltage: 800V Drain current: 33A On-state resistance: 0.22Ω Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 132A Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8020JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8020LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8020LLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8024JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT8024JFLL Transistor modules MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8024JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8024LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8030B2VRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Case: TO247MAX Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8030JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT8030LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT8030LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT8043BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT8043BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT8043SFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 80A; 403W; D3PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A On-state resistance: 0.43Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 403W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 85nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 80A Case: D3PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT8052BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 On-state resistance: 0.52Ω Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Polarisation: unipolar Gate charge: 75nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT8052BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 On-state resistance: 0.52Ω Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Polarisation: unipolar Gate charge: 75nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT8056BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
APT8065BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A Technology: POWER MOS 5® Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A On-state resistance: 0.65Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 52A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT8065BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A Technology: POWER MOS 5® Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A On-state resistance: 0.65Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 52A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
APT8065SVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A Technology: POWER MOS 5® Mounting: SMD Case: D3PAK Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A On-state resistance: 0.65Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 52A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
APT80F60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
APT80GA60B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
APT75DQ120BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 75A; tube; Ifsm: 540A; TO247AC; 325ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 75A
Max. load current: 121A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 2.8V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 325ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 75A; tube; Ifsm: 540A; TO247AC; 325ns
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 75A
Max. load current: 121A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 540A
Max. forward voltage: 2.8V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 325ns
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75DQ120SG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DQ120SG SMD universal diodes
APT75DQ120SG SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75DQ60BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DQ60BG THT universal diodes
APT75DQ60BG THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75DQ60SG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75DQ60SG SMD universal diodes
APT75DQ60SG SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75F50B2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75F50B2 THT N channel transistors
APT75F50B2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75F50L |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; Idm: 230A; 1.04kW; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; Idm: 230A; 1.04kW; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GN120B2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GN120B2G THT IGBT transistors
APT75GN120B2G THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GN120JDQ3 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: Field Stop; Trench
Collector current: 57A
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: Field Stop; Trench
Collector current: 57A
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GN120LG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GN120LG THT IGBT transistors
APT75GN120LG THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GN60BDQ2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GN60BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GN60LDQ3G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GN60SDQ2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: D3PAK
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: SMD
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 93A
Power dissipation: 536W
Case: D3PAK
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: SMD
Gate charge: 485nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 485ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GP120B2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GP120B2G THT IGBT transistors
APT75GP120B2G THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GP120J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GP120J IGBT modules
APT75GP120J IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GP120JDQ3 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 543W
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: POWER MOS 7®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 543W
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: POWER MOS 7®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4132.09 грн |
APT75GT120JRDQ3 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Type of module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT; POWER MOS 7®
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Type of module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT; POWER MOS 7®
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GT120JU2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GT120JU2 IGBT modules
APT75GT120JU2 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75GT120JU3 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GT120JU3 IGBT modules
APT75GT120JU3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75M50B2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75M50B2 THT N channel transistors
APT75M50B2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT75M50L |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75M50L THT N channel transistors
APT75M50L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT77N60BC6 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT77N60SC6 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 272A
Power dissipation: 481W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT7F100B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7F100B THT N channel transistors
APT7F100B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT7F120B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7F120B THT N channel transistors
APT7F120B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT7F120S |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7F120S SMD N channel transistors
APT7F120S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT7M120B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7M120B THT N channel transistors
APT7M120B THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1024.72 грн |
2+ | 626.79 грн |
5+ | 593.23 грн |
APT7M120S |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7M120S SMD N channel transistors
APT7M120S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8011JFLL |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8011JFLL Transistor modules MOSFET
APT8011JFLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8011JLL |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8011JLL Transistor modules MOSFET
APT8011JLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8014JFLL |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8014JFLL Transistor modules MOSFET
APT8014JFLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8014JLL |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8014JLL Transistor modules MOSFET
APT8014JLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8014L2FLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8014L2FLLG THT N channel transistors
APT8014L2FLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8014L2LLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8014L2LLG THT N channel transistors
APT8014L2LLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8015JVFR |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8015JVFR Transistor modules MOSFET
APT8015JVFR Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8015JVR |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8015JVR Transistor modules MOSFET
APT8015JVR Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8020B2FLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020B2FLLG THT N channel transistors
APT8020B2FLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8020B2LLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020B2LLG THT N channel transistors
APT8020B2LLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8020JFLL |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 132A; 520W
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 33A
On-state resistance: 0.22Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 132A; 520W
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 33A
On-state resistance: 0.22Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8020JLL |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020JLL Transistor modules MOSFET
APT8020JLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8020LFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020LFLLG THT N channel transistors
APT8020LFLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8020LLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8020LLLG THT N channel transistors
APT8020LLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8024JFLL |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8024JFLL Transistor modules MOSFET
APT8024JFLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8024JLL |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8024JLL Transistor modules MOSFET
APT8024JLL Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8024LFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8024LFLLG THT N channel transistors
APT8024LFLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8030B2VRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8030JVFR |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8030LVFRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8030LVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8043BFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8043BFLLG THT N channel transistors
APT8043BFLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8043BLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8043BLLG THT N channel transistors
APT8043BLLG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8043SFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 80A; 403W; D3PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Case: D3PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 80A; 403W; D3PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Case: D3PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8052BFLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8052BLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.52Ω
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8056BVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT8056BVRG THT N channel transistors
APT8056BVRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8065BVFRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8065BVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT8065SVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT80F60J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80F60J Transistor modules MOSFET
APT80F60J Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
APT80GA60B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT80GA60B THT IGBT transistors
APT80GA60B THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.