Результат пошуку "4nk" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP14NK50ZFP Код товару: 2275 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 116 шт
|
|
|||||||||||||
STP14NK60ZFP Код товару: 901 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 12 А Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 98 шт
|
|
|||||||||||||
STP4NK60Z Код товару: 2561 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 4 А Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 192 шт
|
|
|||||||||||||
STP4NK60ZFP Код товару: 3364 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 4 А Rds(on), Ohm: 2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 141 шт
очікується:
500 шт
|
|
|||||||||||||
STW14NK50Z Код товару: 3300 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69 Монтаж: THT |
у наявності: 41 шт
|
|
|||||||||||||
Вилка USBB-SP (USB-B1S01M-0N4N)(KLS1-184) Код товару: 22487 |
CZT |
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB Опис: Вилка USB тип B на кабель, під пайку, тип 1, Gold Flash Тип: USB-B Вилка/гніздо: Вилка Мех.монтаж: на кабель Орієнтація в просторі: Прямий |
у наявності: 741 шт
|
|
|||||||||||||
+1 |
Реле JS-24N-K Код товару: 52789 |
Fujitsu |
Реле Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 24В; Iкомутації: 8А; -40C ... + 85 ° C Габарити: 29х10х12,5 mm Напруга котушки: 24 VDC Струм макс.: 8 A |
у наявності: 47 шт
|
|
||||||||||||
JS-24N-K | FUJITSU |
Category: Miniature Electromagnetic Relays Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC Type of relay: electromagnetic Contacts configuration: SPDT Rated coil voltage: 24V DC Contact current max.: 8A AC contacts rating @R: 8A / 250V AC DC contacts rating @R: 8A / 24V DC Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC Relay variant: miniature Mounting: PCB Coil resistance: 2.35kΩ Coil voltage min.: 16.8V DC Coil voltage max.: 56.6V DC Operate time: 10ms Body dimensions: 29x10x12.5mm Release time: 5ms Coil power consumption: 400mW Operating temperature: -40...85°C Relay series: JS Contact resistance: 100mΩ Contact material: AgSnO2 Terminal pitch: 3.2mm Contact plating: gold-plated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13563 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
JS24N-K; (24VDC); 10A 250VAC/24VDC; 2350 Ohm; 1гр.пер (SPDT); 29x10x12,5мм; 5 контактов; TAKAMISAWA |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
JSL-D24N-K | FUJITSU | JSL-D24N-K Miniature Electromagnetic Relays |
на замовлення 312 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD4NK50Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.9A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2700mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD4NK50Z-1 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,7Ohm; 3A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD4NK50Z-1 TSTD4NK50Z-1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD4NK60ZT4 | ST |
N-Kanal Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD4NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 80W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP14NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP14NK50Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP14NK50Z TSTP14NK50Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP14NK50ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP14NK60Z; 13,5A; 600V; 160W; 0,5R; N-канальний; Корпус: TO-220; Toohong |
на замовлення 38 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP14NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP4NK50ZD | ST MICROELECTRONICS | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод |
на замовлення 44 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP4NK60Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP4NK60ZFP | STM | MOSFET силовой транзистор, N-канал; TO-220FP; 600 V; 4 A; 2 Ohm |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP4NK60ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP4NK60ZFP | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60ZFP TSTP4NK60ZFP кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 177 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP4NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 152 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP4NK80Z | ST |
N-MOSFET 3A 800V 80W 3Ω STP4NK80Z TSTP4NK80 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP4NK80Z; 3A; 800V; 3,5R; 80W; N-канальный; Корпус: TO-220; STM |
на замовлення 68 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK80ZFP | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STW14NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
Транзистор польовий STD4NK50ZT4 3A 500V N-ch DPAK |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий STP14NK50ZFP 14A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 34 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий STP14NK60ZFP 13.5А 600V N-ch TO-220F |
на замовлення 51 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий STP4NK60Z 4A 600V N-ch ТО-220 |
на замовлення 55 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
0124NKR | PLCC |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
32E4NKK | SOP18 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
59AV4NKHCT04 | TEXAS | 09+ |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
82A94NK |
на замовлення 172 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AD1864N-K | AD |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
AD1864NK | AD |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
ADSP-2184NKCA-320 | AD |
на замовлення 243 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
ADSP-2184NKST-320 | AD | 04+ QFP |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
ADSP2184NKST-320 | ADI | QFP |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
ADSP2184NKST320 | ADSP |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
BN1F4NK277L |
на замовлення 1652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
D4NK50Z | ST | 05+ |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
EP2S30F4I4NK | ALTERA | BGA |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
HM324NKN-E | NDK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
LQH31HN54NK01L | 1206L |
на замовлення 5944 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
LQH31HN54NK03L/3216-54N | MURATA |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
LQN1A84NK04M | MURATA | 2006 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
LQN2A74NK | MURATA |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
LQP11A14NK04M00-01 |
на замовлення 23803 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
P14NK50Z |
на замовлення 12220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
P14NK50ZFP |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
P14NK60Z | ST | 09+ |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
P4NK50ZI | ST | 2002 TO-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
P4NK602FP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
P4NK60ZFP |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
STP14NK50ZFP Код товару: 2275 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 75 грн |
10+ | 68 грн |
STP14NK60ZFP Код товару: 901 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 98 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 47 грн |
10+ | 44.3 грн |
STP4NK60ZFP Код товару: 3364 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 141 шт
очікується:
500 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
100+ | 13.1 грн |
STW14NK50Z Код товару: 3300 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Монтаж: THT
у наявності: 41 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 68 грн |
10+ | 62.5 грн |
Вилка USBB-SP (USB-B1S01M-0N4N)(KLS1-184) Код товару: 22487 |
Виробник: CZT
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
Опис: Вилка USB тип B на кабель, під пайку, тип 1, Gold Flash
Тип: USB-B
Вилка/гніздо: Вилка
Мех.монтаж: на кабель
Орієнтація в просторі: Прямий
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
Опис: Вилка USB тип B на кабель, під пайку, тип 1, Gold Flash
Тип: USB-B
Вилка/гніздо: Вилка
Мех.монтаж: на кабель
Орієнтація в просторі: Прямий
у наявності: 741 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 4.9 грн |
100+ | 3.8 грн |
Реле JS-24N-K Код товару: 52789 |
Виробник: Fujitsu
Реле
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 24В; Iкомутації: 8А; -40C ... + 85 ° C
Габарити: 29х10х12,5 mm
Напруга котушки: 24 VDC
Струм макс.: 8 A
Реле
Опис: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 24В; Iкомутації: 8А; -40C ... + 85 ° C
Габарити: 29х10х12,5 mm
Напруга котушки: 24 VDC
Струм макс.: 8 A
у наявності: 47 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 215 грн |
10+ | 199 грн |
JS-24N-K |
Виробник: FUJITSU
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V DC
Contact current max.: 8A
AC contacts rating @R: 8A / 250V AC
DC contacts rating @R: 8A / 24V DC
Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB
Coil resistance: 2.35kΩ
Coil voltage min.: 16.8V DC
Coil voltage max.: 56.6V DC
Operate time: 10ms
Body dimensions: 29x10x12.5mm
Release time: 5ms
Coil power consumption: 400mW
Operating temperature: -40...85°C
Relay series: JS
Contact resistance: 100mΩ
Contact material: AgSnO2
Terminal pitch: 3.2mm
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 8A; 8A/250VAC; 8A/24VDC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V DC
Contact current max.: 8A
AC contacts rating @R: 8A / 250V AC
DC contacts rating @R: 8A / 24V DC
Switched voltage: max. 150V DC; max. 400V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB
Coil resistance: 2.35kΩ
Coil voltage min.: 16.8V DC
Coil voltage max.: 56.6V DC
Operate time: 10ms
Body dimensions: 29x10x12.5mm
Release time: 5ms
Coil power consumption: 400mW
Operating temperature: -40...85°C
Relay series: JS
Contact resistance: 100mΩ
Contact material: AgSnO2
Terminal pitch: 3.2mm
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13563 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.3 грн |
5+ | 109.78 грн |
12+ | 85.74 грн |
31+ | 80.74 грн |
500+ | 78.25 грн |
JS24N-K; (24VDC); 10A 250VAC/24VDC; 2350 Ohm; 1гр.пер (SPDT); 29x10x12,5мм; 5 контактов; TAKAMISAWA |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 222.32 грн |
JSL-D24N-K |
Виробник: FUJITSU
JSL-D24N-K Miniature Electromagnetic Relays
JSL-D24N-K Miniature Electromagnetic Relays
на замовлення 312 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 293.14 грн |
5+ | 197.28 грн |
14+ | 186.46 грн |
STD4NK50Z-1 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2700mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2700mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 73.51 грн |
7+ | 42.36 грн |
25+ | 33.3 грн |
32+ | 28.3 грн |
87+ | 26.64 грн |
STD4NK50Z-1 |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,7Ohm; 3A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD4NK50Z-1 TSTD4NK50Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,7Ohm; 3A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD4NK50Z-1 TSTD4NK50Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.93 грн |
STD4NK60Z-1 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 59.17 грн |
9+ | 31.12 грн |
10+ | 26.89 грн |
43+ | 22.97 грн |
117+ | 21.73 грн |
STD4NK60ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.54 грн |
6+ | 48.75 грн |
25+ | 36.71 грн |
32+ | 30.8 грн |
86+ | 29.13 грн |
500+ | 28.14 грн |
STD4NK60ZT4 |
Виробник: ST
N-Kanal Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4
кількість в упаковці: 10 шт
N-Kanal Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 23.43 грн |
STD4NK80ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 95.02 грн |
5+ | 60.51 грн |
25+ | 40.06 грн |
67+ | 37.87 грн |
STP14NK50Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.38 грн |
10+ | 99.89 грн |
11+ | 89.9 грн |
30+ | 84.91 грн |
250+ | 84.07 грн |
STP14NK50Z |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP14NK50Z TSTP14NK50Z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP14NK50Z TSTP14NK50Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 68.24 грн |
STP14NK50ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 135.36 грн |
3+ | 117.56 грн |
10+ | 100.72 грн |
12+ | 87.4 грн |
31+ | 82.41 грн |
STP14NK60Z; 13,5A; 600V; 160W; 0,5R; N-канальний; Корпус: TO-220; Toohong |
на замовлення 38 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 46.69 грн |
STP14NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 173.91 грн |
3+ | 149.55 грн |
9+ | 119.04 грн |
23+ | 112.38 грн |
250+ | 108.21 грн |
STP4NK50ZD |
Виробник: ST MICROELECTRONICS
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 178.62 грн |
STP4NK60Z |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
STP4NK60ZFP |
Виробник: STM
MOSFET силовой транзистор, N-канал; TO-220FP; 600 V; 4 A; 2 Ohm
MOSFET силовой транзистор, N-канал; TO-220FP; 600 V; 4 A; 2 Ohm
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 36.68 грн |
10+ | 34.06 грн |
STP4NK60ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.88 грн |
4+ | 76.07 грн |
10+ | 61.6 грн |
18+ | 54.94 грн |
49+ | 51.61 грн |
250+ | 50.78 грн |
STP4NK60ZFP |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60ZFP TSTP4NK60ZFP
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60ZFP TSTP4NK60ZFP
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
STP4NK80Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 64.83 грн |
10+ | 52.94 грн |
21+ | 48.78 грн |
56+ | 46.12 грн |
250+ | 45.03 грн |
STP4NK80Z |
на замовлення 96 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 34.03 грн |
STP4NK80Z; 3A; 800V; 3,5R; 80W; N-канальный; Корпус: TO-220; STM |
на замовлення 68 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 32.24 грн |
STP4NK80ZFP |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 71.75 грн |
10+ | 60.77 грн |
19+ | 52.44 грн |
51+ | 49.95 грн |
STW14NK50Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.84 грн |
3+ | 166.84 грн |
9+ | 116.54 грн |
23+ | 110.71 грн |
Транзистор польовий STD4NK50ZT4 3A 500V N-ch DPAK |
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 14.69 грн |
Транзистор польовий STP14NK50ZFP 14A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 34 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 51.45 грн |
Транзистор польовий STP14NK60ZFP 13.5А 600V N-ch TO-220F |
на замовлення 51 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 60.46 грн |
Транзистор польовий STP4NK60Z 4A 600V N-ch ТО-220 |
на замовлення 55 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 16.67 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]