Результат пошуку "nss60200" : 15

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NSS60200LT1G NSS60200LT1G onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9 грн
6000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200LT1G NSS60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200LT1G NSS60200LT1G onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 8119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+ 23.7 грн
100+ 15.12 грн
500+ 10.7 грн
1000+ 9.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSS60200LT1G NSS60200LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.58 грн
34+ 23.98 грн
100+ 13.9 грн
500+ 10.34 грн
1000+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSS60200LT1G NSS60200LT1G onsemi NSS60200L_D-2318436.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 58118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.05 грн
15+ 23 грн
100+ 11.38 грн
1000+ 8.33 грн
3000+ 8.11 грн
9000+ 7.03 грн
24000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSS60200SMTTBG ONSEMI NSS60200SMT-D.PDF Description: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200SMTTBG NSS60200SMTTBG onsemi nss20201dmt-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.53 грн
6000+ 12.37 грн
9000+ 11.48 грн
30000+ 10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200SMTTBG NSS60200SMTTBG onsemi NSS60200SMT_D-2318437.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.03 грн
10+ 39.41 грн
100+ 23.11 грн
500+ 17.82 грн
1000+ 14.93 грн
3000+ 12.24 грн
9000+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSS60200SMTTBG NSS60200SMTTBG onsemi nss20201dmt-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+ 36.3 грн
100+ 23.52 грн
500+ 16.9 грн
1000+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV60200LT1G NSV60200LT1G onsemi NSS60200L_D-2318436.pdf Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
13+ 27.75 грн
100+ 13.4 грн
1000+ 9.13 грн
3000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSS60200LT1G NSS60200LT1G
Код товару: 121380 		nss60200l-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
NSS60200DMTTBG NSS60200DMTTBG onsemi nss20201dmt-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товар відсутній
NSS60200LT1G NSS60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSS60200LT1G NSS60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV60200DMTWTBG NSV60200DMTWTBG onsemi NSS60200DMT_D-2318516.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товар відсутній
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9 грн
6000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 8119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.97 грн
13+ 23.7 грн
100+ 15.12 грн
500+ 10.7 грн
1000+ 9.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSS60200LT1G ONSM-S-A0013300524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSS60200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+36.58 грн
34+ 23.98 грн
100+ 13.9 грн
500+ 10.34 грн
1000+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSS60200LT1G NSS60200L_D-2318436.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 58118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+33.05 грн
15+ 23 грн
100+ 11.38 грн
1000+ 8.33 грн
3000+ 8.11 грн
9000+ 7.03 грн
24000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSS60200SMTTBG NSS60200SMT-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200SMTTBG nss20201dmt-d.pdf
NSS60200SMTTBG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.53 грн
6000+ 12.37 грн
9000+ 11.48 грн
30000+ 10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS60200SMTTBG NSS60200SMT_D-2318437.pdf
NSS60200SMTTBG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.03 грн
10+ 39.41 грн
100+ 23.11 грн
500+ 17.82 грн
1000+ 14.93 грн
3000+ 12.24 грн
9000+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSS60200SMTTBG nss20201dmt-d.pdf
NSS60200SMTTBG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.35 грн
10+ 36.3 грн
100+ 23.52 грн
500+ 16.9 грн
1000+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV60200LT1G NSS60200L_D-2318436.pdf
NSV60200LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+36.18 грн
13+ 27.75 грн
100+ 13.4 грн
1000+ 9.13 грн
3000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSS60200LT1G
Код товару: 121380		 nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
NSS60200DMTTBG nss20201dmt-d.pdf
NSS60200DMTTBG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товар відсутній
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSS60200LT1G nss60200l-d.pdf
NSS60200LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV60200DMTWTBG NSS60200DMT_D-2318516.pdf
NSV60200DMTWTBG
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товар відсутній