Продукція > 2N5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N5192 SL H PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GOn SemiconductorTRANS NPN 80V 4A TO225AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+68.41 грн
1000+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G
Код товару: 178450
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.35 грн
11+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.83 грн
10+62.54 грн
100+41.62 грн
500+30.64 грн
1000+27.94 грн
2000+25.66 грн
5000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192RCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193Central Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5193 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193Broadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 10...100
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+11.94 грн
45+9.93 грн
100+8.77 грн
500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5193.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5193. - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194Central Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 10...120
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+11.94 грн
45+9.93 грн
100+8.85 грн
500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5194 - 2N5194, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194onsemiDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.63 грн
50+63.44 грн
100+56.71 грн
500+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5194GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5195 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195
Код товару: 62231
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Power Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 4A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO126
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 7A
Type of transistor: PNP
Current gain: 7...80
Kind of package: tube
Case: TO126
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+13.90 грн
40+11.58 грн
100+10.18 грн
500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195ST09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195 (Замена КТ818Г)STMTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195 SL HCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195 SL H PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195..MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5195.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+42.97 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GOn SemiconductorTRANS PNP 80V 4A TO225AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.85 грн
10+79.32 грн
100+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+41.53 грн
11+38.30 грн
50+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.32 грн
451+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.87 грн
10+58.60 грн
100+38.87 грн
500+28.54 грн
1000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195G
Код товару: 154610
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196InterFETJFET JFET N-Channel Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196SILICONIX
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196Vishay / SiliconixJFET 50V 15pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196-1Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196-2Vishay / SiliconixJFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5196-E3Vishay / SiliconixJFET 50V 15pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5197InterFETJFET JFET N-Channel Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5197SILICONI
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5197Vishay / SiliconixJFET 50V 15pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5198InterFETJFETs JFET N-Channel Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5198MOT
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5198Vishay / SiliconixJFETs 50V 15pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5199MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N519AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N52CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N520MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5200MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5201MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202MSC/MOT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 75Vcer 50Vceo 6.0Vebo 35W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 75Vcer 50Vceo 6.0Vebo 35W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5202AMSC/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5203MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5204Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+745.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5204IR
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5204NIR
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5205IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5205Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+745.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5206Vishay SemiconductorsSCRs 1000 Volt 35 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5206Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+745.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5206IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5207Solid State Inc.Description: TO 48 22 AMP SCR
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 35 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-48
Current - Off State (Max): 1.7 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.3 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-208AA, TO-48-3, Stud
Packaging: Box
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+773.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5207IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 50V 0.05A TO-92-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.00 грн
10+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50Vceo 50Vcbo 4.5Vebo 50mA 350mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V,50mA,350mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5209 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 50V 50MA 350MW TH TRANSISTOR-SMA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]