Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17570Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 93nC On-state resistance: 0.74mΩ Dimensions: 5x6mm Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17570Q5BT | Texas Instruments | MOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET | на замовлення 6707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17570Q5BT /Texas Instruments Код товару: 109943
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD17571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17571Q2 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6 Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: WSON6 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 2.4nC On-state resistance: 24mΩ Power dissipation: 2.5W Drain current: 7.6A Drain-source voltage: 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17571Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17571Q2 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFETs | на замовлення 7632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17571Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-SON (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17571Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17571Q2 (Texas Instruments) Код товару: 199547
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17573Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5BT | на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17573Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17573Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V | на замовлення 13504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17573Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17573Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17573Q5BG4 | Texas Instruments | MOSFETs 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17573Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5B | на замовлення 619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17573Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC On-state resistance: 1.19Ω Dimensions: 5x6mm Power dissipation: 195W Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17573Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V | на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17575Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17575Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17575Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17575Q3 | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD17575Q3T | на замовлення 35802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 108 Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8 Kind of channel: enhancement Case: VSON-CLIP8 Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC On-state resistance: 2.6mΩ Dimensions: 3.3x3.3mm Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 108W | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V | на замовлення 2846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17575Q3 | на замовлення 4538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage Verlustleistung: 108 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17575Q3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 184A; 125W; -55°C ~ 150°C; CSD17576Q5BT CSD17576Q5B TCSD17576q5b кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD17576Q5BT | на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V | на замовлення 3755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) | на замовлення 10250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Packaging: Cut Tape (CT) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) | на замовлення 10477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17576Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: VSON-CLIP8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC On-state resistance: 2.4mΩ Dimensions: 5x6mm Power dissipation: 125W Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V | на замовлення 388 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17577Q3A Код товару: 178585
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q3AT | на замовлення 15734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 53W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC Dimensions: 3.3x3.3mm | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 53W; VSONP8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 53W Case: VSONP8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 27nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 9902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q5AT | на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A | на замовлення 5349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |

