Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 129398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+103.26 грн
500+92.93 грн
1000+85.71 грн
10000+73.68 грн
100000+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+127.94 грн
100+89.82 грн
500+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch NexFET Powe r MOSFETs A 595-CSD A 595-CSD17556Q5BT
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17556Q5B
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
10+174.58 грн
100+138.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+140.55 грн
500+117.54 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 191W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+132.27 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+109.89 грн
5000+106.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 3.2W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 1.15mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsMOSFETs 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5T
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.09 грн
10+161.52 грн
50+124.52 грн
100+105.68 грн
500+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.51 грн
500+163.83 грн
1000+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.88 грн
5000+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 96W
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+182.05 грн
100+130.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+119.03 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.42 грн
5000+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.84 грн
10+129.99 грн
25+129.88 грн
100+109.36 грн
250+99.77 грн
500+85.93 грн
1000+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+131.41 грн
100+90.68 грн
500+68.75 грн
1000+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.84 грн
109+129.88 грн
125+109.36 грн
250+99.77 грн
500+85.93 грн
1000+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-Ch Pwr MOSFET A 595-CSD17570Q5BT A A 595-CSD17570Q5BT
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+107.50 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
на замовлення 6707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 0.74mΩ
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.71 грн
10+167.18 грн
100+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17570Q5BT /Texas Instruments
Код товару: 109943
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFETs
на замовлення 7632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
11+28.68 грн
100+19.09 грн
500+14.33 грн
1000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WSON6
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A 6SON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17571Q2 (Texas Instruments)
Код товару: 199547
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.25 грн
100+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.88 грн
10+123.00 грн
100+87.73 грн
500+68.82 грн
1000+58.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.06 грн
11+71.18 грн
25+70.88 грн
100+62.23 грн
250+57.44 грн
500+54.97 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5BT
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.18 грн
200+70.88 грн
220+64.53 грн
250+62.04 грн
500+57.26 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.88 грн
115+123.00 грн
162+87.73 грн
500+68.82 грн
1000+58.07 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BG4Texas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+86.42 грн
500+82.34 грн
1000+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.03 грн
10+119.94 грн
100+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsMOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17573Q5B
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+75.56 грн
500+66.67 грн
750+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 1.19Ω
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 195W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.58 грн
5000+35.15 грн
10000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.96 грн
10+82.31 грн
100+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsMOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD17575Q3T
на замовлення 35802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+118.96 грн
172+82.31 грн
245+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.70 грн
10+82.36 грн
25+81.54 грн
100+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+58.59 грн
750+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 108
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 108W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.77 грн
6+75.48 грн
25+66.25 грн
100+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+95.71 грн
50+72.22 грн
100+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 108
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.16 грн
16+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD17575Q3
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 184A; 125W; -55°C ~ 150°C; CSD17576Q5BT CSD17576Q5B TCSD17576q5b
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]