Продукція > MUN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3165+4.47 грн
3290+4.30 грн
3433+4.12 грн
3580+3.81 грн
6000+3.37 грн
15000+3.09 грн
30000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 78189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1073+13.19 грн
1741+8.13 грн
2408+5.87 грн
2763+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 1073 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 23555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
57+7.38 грн
65+6.46 грн
112+3.77 грн
500+2.75 грн
1000+2.43 грн
1500+2.28 грн
3000+2.07 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.26 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9375+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 9375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5396+2.62 грн
6000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 5396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.22 грн
102+7.41 грн
103+7.34 грн
167+4.36 грн
250+3.99 грн
500+3.69 грн
1000+3.53 грн
3000+3.39 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.51 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 310 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.18 грн
10000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211T1 - MUN5211T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+8.16 грн
147+5.16 грн
500+3.74 грн
1000+3.06 грн
3000+2.19 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2723+5.20 грн
3547+3.99 грн
4088+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 2723 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
93+4.53 грн
124+3.39 грн
139+3.04 грн
500+2.43 грн
1000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.55 грн
60000+2.35 грн
120000+2.31 грн
150000+2.21 грн
240000+2.02 грн
300000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
6000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 77065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.57 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 34070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2733+5.18 грн
3632+3.89 грн
4110+3.44 грн
5515+2.47 грн
6000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 2733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.56 грн
60000+2.35 грн
120000+2.32 грн
150000+2.22 грн
240000+2.02 грн
300000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON-SemiconductorTranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4412+3.21 грн
9000+3.02 грн
27000+2.95 грн
51000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 4412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,202, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 500 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
6000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5209+2.72 грн
6000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 5209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.04 грн
87+8.77 грн
95+8.00 грн
139+5.25 грн
250+4.64 грн
500+3.42 грн
1000+2.97 грн
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GON-SemiconductorTranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G
Код товару: 113765
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 34070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G/DTC114EUPANASONIC09+ SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212onsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 40833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.49 грн
10000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 10574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
30+10.34 грн
100+6.44 грн
500+4.43 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.18 грн
56+13.56 грн
100+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON-Semiconductor2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.39 грн
6000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.66 грн
10831+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 60...100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 45948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+3.48 грн
356+2.12 грн
497+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212PW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.18 грн
10000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 110724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.18 грн
10000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1 - MUN5212T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 62700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.18 грн
10000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.20 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 60...100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.19 грн
6000+2.00 грн
9000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 12456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
36+8.60 грн
100+4.67 грн
500+3.44 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T2
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213MOTSOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213ON SemiconductorON Semiconductor SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213-T1
на замовлення 2091000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213/8CON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6508+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 6508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 212800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6508+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 6508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
на замовлення 233800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 5323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6508+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 6508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6508+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 6508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2530+5.59 грн
3062+4.62 грн
4077+3.47 грн
9000+3.00 грн
24000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 2530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.11 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 33146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
9000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.38 грн
80+9.48 грн
135+5.59 грн
1000+4.46 грн
3000+3.10 грн
9000+2.67 грн
24000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3979+3.55 грн
9000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G
Код товару: 174648
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+16.70 грн
850+16.64 грн
853+16.60 грн
1000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+2.56 грн
507+1.49 грн
640+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
6000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.80 грн
46+16.75 грн
100+16.10 грн
250+14.86 грн
500+14.22 грн
1000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
42+10.06 грн
61+6.93 грн
100+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]