Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5135DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1G | ONN | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 12019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 10823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1G | On Semiconductor | SOT363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1G (SOT363, ON) 2хтранзистор Код товару: 153435
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-363 Напруга Uке, V: 50 V Напруга Uкб, V: 50 V Струм Iк, A: 0,1 A | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| MUN5135T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 11112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 33043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 73000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5136DW1T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5136DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5136DW1T1G | onsemi | Digital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP 50V | на замовлення 9830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5136DW1T1G | onsemi | Description: MUN5136 - DUAL BIAS RESISTOR TRA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Resistor - Base (R1): 100kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5136T1 | ON | SOT-323 01+ | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5136T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5136T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5136T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5136T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5136T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5136T1G | onsemi | Digital Transistors SS SC70 BR XSTR PNP 50V | на замовлення 29749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5136T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk | на замовлення 5975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5137DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP | на замовлення 13595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5137T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5137T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5137T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5137T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5137T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5137T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5137T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5138T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5138T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5138T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5138T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5140RT1 | на замовлення 156000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5140T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5140T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5140T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5141T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5141T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5141T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211 | MOTOROLA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5211 | onsemi | SS SC70 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211-(TX) | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5211DW1 | onsemi | onsemi SS SC88 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1 | на замовлення 597000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 50443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 60 | на замовлення 1180 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 7114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2800 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 13247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | на замовлення 70916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | On Semiconductor | SOT-363 100mA 250mW Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 50443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 7114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211T1 - MUN5211T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1 | onsemi | Description: TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 310 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 34070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,202, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 500 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON-Semiconductor | Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 13829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 34070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON-Semiconductor | Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 4124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G Код товару: 113765
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V | на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 60 | на замовлення 1274 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

