Продукція > NTM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4709NT3G | на замовлення 13516 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTMFS4741N | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTMFS4744NT1G | ON | 05+ | на замовлення 587 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4744NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4744NT1G | onsemi | MOSFET NFET 30V 53A 10MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4744NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN | на замовлення 153685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1031 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4744NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4744NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4744NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 902 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4744NT3G | onsemi | MOSFET NFET 30V 53A 10MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4821N | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 30V 58.8A 6.95 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4821NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4821NT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V TR | на замовлення 7004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4821NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 38.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4821NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4821NT1G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.8A, DFN-5 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 81458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4821NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4821NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 716 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4821NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 38.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4821NT1GNTMFS4821NT3G4821N | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTMFS4821NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4823NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 256 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4823NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4823NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4823NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4823NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4823NT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4823NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4825NFET1G | onsemi | MOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4825NFET1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V | на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4825NFET1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4825NFET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4825NFET1G - MOSFET, N CH, W SCH, 30V, 17A, SO8FL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4825NFET3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4825NFET3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 171A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4826NET1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4826NET1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4826NET1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4826NET3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4826NET3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4826NET3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4827NET1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4827NET1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4827NET1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4827NET3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4827NET3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4827NET3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833N | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk | на замовлення 16335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4833NAT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NST1G | onsemi | MOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 30 V, 156 A, SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NST1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SO-8FL Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NST3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SO-8FL Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NT1G | onsemi | MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM | на замовлення 8943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NT3G | ON Semiconductor | NTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4833NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 156A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM | на замовлення 11144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NT3G | ON Semiconductor | NTMFS4833NT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4833NT3G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTMFS4834NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4834NT1G | ON | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4834NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4834NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4834NT1G | onsemi | MOSFET NFET 30V 130A 3MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4834NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 822 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 7374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G | ONN | на замовлення 1215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: SO-8 FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1024741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 520360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G Код товару: 133508
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 794741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk | на замовлення 223000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4835NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4836N | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4836NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 115775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4836NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4836NT1G | onsemi | MOSFET NFET 30V 90A 4MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4836NT1G | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTMFS4836NT3G | onsemi | MOSFET NFET 30V 90A 4MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4836NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/90A 5DFN Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2677 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4837NHT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 17115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT1G Код товару: 179189
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V | на замовлення 17115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT1G | ON Semiconductor | на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A/75A 5DFN Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3016 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT1G | onsemi | MOSFET NFET S08FL 30V 74A 5mOhm | на замовлення 873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT3G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTMFS4837NHT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 625 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4837NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 47.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 12 V | на замовлення 219215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS4837NT1G | onsemi | MOSFET NFET 30V 16A 5MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4837NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/74A 5DFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 47.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 74A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS4837NT1G | на замовлення 1744 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

