Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC536KE-NP-AA | ON Semiconductor | 2SC536KE-NP-AA | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KE-NP-AA | onsemi | Description: SMALL SIGNAL NPN SILICON Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KE-NP-AA | ON Semiconductor | 2SC536KE-NP-AA | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KF-NP | onsemi | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 37638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KF-NP | ON Semiconductor | 2SC536KF-NP | на замовлення 37088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KF-NP | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC536KF-NP - 2SC536KF-NP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KF-NP-AA | onsemi | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KF-NP-AA | ON Semiconductor | 2SC536KF-NP-AA | на замовлення 70500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KF-NP-AA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC536KF-NP-AA - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KF-NP-AA | ON Semiconductor | 2SC536KF-NP-AA | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KG-NP-AA | ON Semiconductor | 2SC536KG-NP-AA | на замовлення 19944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KG-NP-AA | onsemi | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 27444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536KG-NP-AA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC536KG-NP-AA - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 22944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536NF-NPA-AT | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO92 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC536NF-NPA-AT | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.15A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC536NF-NPA-AT | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC536NF-NPA-AT - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2078 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC536NF-NPA-AT | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 500mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536NF-NPA-AT | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 434069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536NF-NPA-AT | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 500mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 386069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536NG-NPA-AT | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 1689582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536NG-NPA-AT | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.15A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC536NG-NPA-AT | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC536NG-NPA-AT - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 582 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC536NG-NPA-AT | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 500mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 1689582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC536NG-NPA-AT | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO92 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC537 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5374/NA | SANYO | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5374A-TL-E | onsemi | Description: RF TRANS NPN 10V 5.2GHZ SMCP Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB @ 1GHz Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 7mA, 3V Frequency - Transition: 5.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMCP | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC5374A-TL-E | onsemi | Description: RF TRANS NPN 10V 5.2GHZ SMCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB @ 1GHz Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 7mA, 3V Frequency - Transition: 5.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMCP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5374A-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 100MA 10V FT=5.2G | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5374A-TL-E | ONSEMI (VIA ROCHESTER) | Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5374A-TL-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC5374A-TL-E | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 10V 0.1A 100mW 3-Pin SMCP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC5376 | TOSHIBA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5376-A | TOSHIBA | SOT-523 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5376-A,LF(B | Toshiba | 2SC5376-A,LF(B | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC5376-B | TOSHIBA | SOT-523 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5376-B,LF(B | Toshiba | 2SC5376-B,LF(B | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC5376-B,LF(B | Toshiba | 2SC5376-B,LF(B | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC5376-B/FB | TOSHIBA | SOT-423 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5376F-B | TOSHIBA | на замовлення 224000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5376F-B(T3SONYF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5376F-B(TL3,PPF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5376F-B(TPL3,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5379 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC538 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5380 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5380 | Toshiba | Замена на 2SC5252 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5382-4000 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5382-4112 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5383 | MITSUBISHI | на замовлення 38290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5383-T111-1E | MITSUBISHI | SOT-423 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5383-T111-1F | ISAHAY | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5383/LF | MITSUMI | 09+ | на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5383\LF | MITSUMI | SOT-323 | на замовлення 9100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5384 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC5384-T111-1C | ISHAYA | SOT23 | на замовлення 2926 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5385 | NEC | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5386 Код товару: 84791
Додати до обраних
Обраний товар
| Savantic | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3P fT: 1,7 MHz Uceo,V: 600 V Ucbo,V: 1500 V Ic,A: 8 A Монтаж: THT | у наявності: 1 шт
|
| ||||||||
| 2SC5386 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-3PH-IS,ACTIVE,DISCON(06-04)/PHASE-OUT(07-07)/OBSOLETE(07-10), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5387 Код товару: 84789
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3P fT: 1,7 MHz Uceo,V: 600 V Ucbo,V: 1500 V Ic,A: 10 A Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||
| 2SC5387 (F,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5387 (Q,M) | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5388 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5388 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 25852
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3PF Uceo,V: 700 V Ucbo,V: 1500 V Ic,A: 5 A Примітка: Дарлінгтон Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||
| 2SC5389 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC538A | NEC | CAN | на замовлення 458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC538AZ | на замовлення 3560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC538Z | на замовлення 3557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC539 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5395 Код товару: 171058
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5397 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC5398 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC539Z | на замовлення 3540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC54 | NEC | CAN | на замовлення 485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC540 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5408 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC5409-T1 | NEC | SOT363 | на замовлення 2520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5409-T1(T97) | на замовлення 4370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC541 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5411 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-3PH-IS,ACTIVE,DISCON(06-04)/PHASE-OUT(07-07)/OBSOLETE(07-10), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5411 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5411 Код товару: 47331
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TOP-3 fT: 2 MHz Uceo,V: 600 V Ucbo,V: 1500 V Ic,A: 14 A h21: 40 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||
| 2SC5411 | SANYO | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5414AE | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 0.1A 3NP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5414AE-AA | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 0.1A 3NP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-NP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5414AF | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 0.1A 3NP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-NP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5414AF-AA | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 0.1A 3NP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-NP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5415 | SANYO | на замовлення 514 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5415AE-TD-E | onsemi | Description: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP Frequency - Transition: 6.7GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 800mW Gain: 9dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PCP Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5415AE-TD-E | onsemi | RF Bipolar Transistors ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR | на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC5415AF-TD-E | onsemi | RF Bipolar Transistors RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC5415AF-TD-E | ONSEMI (VIA ROCHESTER) | Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: PCP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Übergangsfrequenz: 6.7GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 659000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC5415AF-TD-E | onsemi | Description: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 800mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 6.7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5415E-TD | SANYO | на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5418 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC54190RA | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 300V 0.07A MT-2 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MT-2-A1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC54190RA | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 300V 0.07A MT-2 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MT-2-A1 Frequency - Transition: 50MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC542 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SC5421 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC5422 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC5422 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT HIGH VOL-3PLH,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(08-07)/OBSOLETE(09-10), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

