Продукція > BFP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 198600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 7655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 80GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 45289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 278550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 80GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 | на замовлення 3092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 116989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 | на замовлення 80900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon | RF Transistor NPN 2.6V 35mA 85GHz 75mW Surface Mount 4-TSFP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 38278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327 | Rochester Electronics, LLC | Description: ULTRA LOW-NOISE TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 10348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 57GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 57GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 5678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 Код товару: 143195
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > ВЧ | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 3.7V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.12W Case: SOT343 Current gain: 150 Mounting: SMD Frequency: 60GHz | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843 BOARD | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Power - Max: 125mW Gain: 13.5dB ~ 25dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 416931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 202913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Power - Max: 125mW Gain: 13.5dB ~ 25dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 176565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 381000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon | TRANSISTOR RF NPN AMP SOT-343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP843FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327 | Infineon Technologies | Description: ULTRA LOW-NOISE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: SOT-343 Part Status: Active | на замовлення 194705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 24.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 154705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP843H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 24.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3 | на замовлення 8762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 8307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 107411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFP92AW-GS08 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BFP93A | infineon | SOT143 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFPB-50-2-3 | MARATHON SPECIAL PRODUCTS | Description: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - BFPB-50-2-3 - DISTRIBUTION TERMINAL BLOCK, 3P, STUD Anschlussverfahren an der Lastseite: Stud Anschlussverfahren an der Netzseite: Stud Nennspannung: 1 Netzseitige Anschlüsse pro Pol: - Nennstrom: 1.605 Drahtdurchmesser an der Lastseite, max.: - Drahtdurchmesser an der Netzseite, max.: - Lastseitige Anschlüsse pro Pol: - Produktpalette: BFPB Series Anzahl der Pole: 3 Pole SVHC: Lead | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFPB3714 | Marathon Special Products | Conn Power Terminal Block 4 POS 1.62mm Panel Mount 1605A | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BFPB5023 | Marathon Special Products | Conn Power Terminal Block 3 POS 2.12mm Panel Mount 1605A | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

