Продукція > HUF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUFA75623S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75623S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 32730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75631S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75631SK8FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75637P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75637P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75637P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75637P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 552 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75637S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75637S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75637S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639P3onsemi / FairchildMOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3STFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3STFairchild SemiconductorDescription: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+113.32 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3ST-F085AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+110.63 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75639S3ST-F085AON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CHAN UltraFET Pwr 56A 100V 0.025Ohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75645P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75645S3Sonsemi / FairchildMOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75645S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+195.64 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75645S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.07 грн
10+244.10 грн
100+175.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75645S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+167.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75645S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75652G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 515W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75823D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 14A TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75823D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 14A TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75829D3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75829D3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75831SK8TFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75842P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75842P3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 6317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75842S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75842S3SRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75842S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75852G3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75852G3-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75852G3-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75852G3-F085Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+244.55 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75852G3-F085onsemiMOSFETs N-CHAN UltraFET Pwr 75A 150V 0.016Ohm
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76404DK8TonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 62V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76404DK8TFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 10474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 8963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 41265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8TonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+103.25 грн
100+70.61 грн
500+53.14 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085onsemiMOSFETs 60V Dual N-Channel LogicLevel PwrMOSFET
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA76407DK8T-F085 - DUAL MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8TF085PonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
на замовлення 28745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3onsemi / FairchildMOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3Sonsemi / FairchildMOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1222+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 1222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3STonsemi / FairchildMOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3ST-B76008Aonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3ST-R4974onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3ST_B76008Aonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3ST_F085Aonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3ST_NR4974onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3ST_R4974onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3ST_SN00067onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3ST_SN00068onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 22068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 15443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA76413D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 15443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 12343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA76413D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 12343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8TonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8Tonsemi / FairchildMOSFET 20a 60V 0.056 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8TonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8TFAI04+
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T транзистор
Код товару: 200972
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T-F085PonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413DK8T_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76413P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 23A TO220-3
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76419D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76419D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76419D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]