Продукція > HUF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HUFA76409D3ST_R4974 | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76409D3ST_SN00067 | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76409D3ST_SN00068 | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76409P3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76409T3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk | на замовлення 22068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76413D3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413D3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - HUFA76413D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 15443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1233 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413D3S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413D3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | на замовлення 15443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76413D3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | на замовлення 12343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76413D3ST | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413D3ST | ONSEMI | Description: ONSEMI - HUFA76413D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 12343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1188 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8T | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8T | onsemi / Fairchild | MOSFET 20a 60V 0.056 Ohm Logic Level N-Ch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8T | FAI | 04+ | на замовлення 9400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8T | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8T транзистор Код товару: 200972
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| HUFA76413DK8T-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8T-F085 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8T-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 5.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8T-F085P | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413DK8T_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76413P3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419D3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: I-PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419D3S | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419D3S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419D3ST | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76419D3ST | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419D3ST | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch | на замовлення 3786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419D3ST_QF085 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419P3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3 | на замовлення 18893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76419S3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76419S3S | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419S3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419S3ST | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76419S3ST | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| HUFA76423D3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76423D3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76423D3S | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76423D3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA | на замовлення 8598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 902 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76423P3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76423S3S | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| HUFA76423S3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO-263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76423S3ST | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| HUFA76423S3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO-263AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429D3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429D3 | onsemi / Fairchild | MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch | на замовлення 4876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429D3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429D3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429D3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V | на замовлення 2546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76429D3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V | на замовлення 38668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76429D3ST | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429D3ST-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76429D3ST-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429D3ST-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 20a 60V 0.027 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429D3ST-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76429D3ST_QF085 | Fairchild Semiconductor | Description: 20A, 60V, 0.029OHM, N CHANNEL , | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 294 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429D3_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 197 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429P3 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 437 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429P3 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429S3S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429S3S | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| HUFA76429S3ST | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76429S3ST | Fairchild | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| HUFA76432P3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76432S3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76432S3S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76432S3ST | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76432S3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V | на замовлення 2829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76437P3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 71A TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76437S3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76437S3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76437S3ST | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 226 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76439P3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 155W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V | на замовлення 1551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76439S3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76439S3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76439S3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76443P3 | onsemi / Fairchild | MOSFET 75a 60V 0.0095 Ohm Logic Level N-Ch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76443P3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76443P3_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76443S3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76443S3S | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76443S3ST | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76445P3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76445S3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 25 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76445S3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76504DK8T | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 5053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76609D3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76609D3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1069 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76609D3ST | ONSEMI | Description: ONSEMI - HUFA76609D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 844 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76609D3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76609D3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76609D3ST | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76609D3ST_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76609D3ST_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V | на замовлення 2281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| HUFA76609D3ST_NL | ONSEMI | Description: ONSEMI - HUFA76609D3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1885 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76619D3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 18A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76619D3S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 18A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| HUFA76619D3S | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |