Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP14NK50ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP14NK50Z TSTP14NK50Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+145.15 грн
98+143.70 грн
105+134.14 грн
500+123.36 грн
1000+110.97 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.29 грн
50+143.83 грн
100+134.26 грн
500+123.47 грн
1000+111.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.6A; Idm: 48A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.69 грн
10+182.01 грн
50+168.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP14NK50ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFPSTMN-кан. MOSFET 500V, 14A, 0.38Ом, 30Вт, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+454.62 грн
10+260.89 грн
100+238.21 грн
500+181.62 грн
2000+158.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 500V-0.34ohms Zener SuperMESH 14A
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 35W; -55°C~150°C; STP14NK50ZFP TSTP14NK50ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFP
Код товару: 2275
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,38 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/69
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 95 шт
  • 65 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.31 грн
50+182.31 грн
100+166.10 грн
500+129.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+454.20 грн
54+260.65 грн
100+238.00 грн
500+181.46 грн
2000+158.44 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK50ZPF
Код товару: 104307
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZSTMN-кан., 600V, 0.45 Ом, 13.5A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13.5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZF
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+134.31 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A STP14NK60ZFP TSTP14NK60ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.12 грн
4+332.15 грн
8+223.48 грн
16+142.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.54 грн
10+156.48 грн
25+141.66 грн
50+130.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMN-кан., 600V, 0.45 Ом, 13.5A, TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+331.84 грн
61+231.55 грн
89+159.64 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFP
Код товару: 901
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 187 шт
  • 164 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+47.00 грн
10+44.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ ||
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.32Ω
Power dissipation: 90W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.21 грн
10+150.72 грн
25+144.13 грн
50+139.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50NSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP14NM50N TSTP14NM50N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N
Код товару: 127161
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.04 грн
50+150.29 грн
100+145.61 грн
500+126.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50NSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP15076127STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 127mm; W: 76mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Material: metallized film bag
Version: ESD
Closing system: self-seal
Length: 127mm
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 75µm
Width: 76mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+575.62 грн
5+504.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.93 грн
50+179.54 грн
100+162.07 грн
500+129.22 грн
1000+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.63 грн
50+186.93 грн
100+167.36 грн
500+131.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 117nC
Pulsed drain current: 440A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.29 грн
5+142.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.93 грн
79+179.54 грн
100+162.07 грн
500+129.22 грн
1000+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.94 грн
50+127.02 грн
100+114.99 грн
500+88.10 грн
1000+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+188.58 грн
76+185.89 грн
100+166.42 грн
500+130.97 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 127nC
Pulsed drain current: 440A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+198.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 100 V STRIPFET F7 POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 50 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+190.50 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 30 V 80A -55 to 175
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF04STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+143.49 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+108.25 грн
138+102.02 грн
500+94.77 грн
1000+91.05 грн
2000+83.86 грн
5000+79.01 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.02 грн
50+128.45 грн
100+116.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF04STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Pulsed drain current: 320A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+108.86 грн
100+102.60 грн
500+95.30 грн
1000+91.55 грн
2000+84.34 грн
5000+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF55
Код товару: 112613
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.91 грн
10+268.90 грн
100+218.42 грн
500+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF55ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF55STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 55V 0.005 OHM 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP150NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.91 грн
53+268.90 грн
100+218.42 грн
500+187.58 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP15102152STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 152mm; W: 102mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Version: ESD
Closing system: self-seal
Length: 152mm
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 75µm
Width: 102mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+716.64 грн
5+628.39 грн
10+591.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP15127203STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 203mm; W: 127mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Version: ESD
Closing system: self-seal
Length: 203mm
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 75µm
Width: 127mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+928.62 грн
5+812.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP15152203STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 203mm; W: 152mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Version: ESD
Closing system: self-seal
Length: 203mm
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 75µm
Width: 152mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1154.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP15152254STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 254mm; W: 152mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Version: ESD
Closing system: self-seal
Length: 254mm
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 75µm
Width: 152mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1264.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP15203254STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 254mm; W: 203mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Version: ESD
Closing system: self-seal
Length: 254mm
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 75µm
Width: 203mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP15203305STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 305mm; W: 203mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Version: ESD
Closing system: self-seal
Length: 305mm
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 75µm
Width: 203mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1662.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP15254305STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 305mm; W: 254mm; Thk: 75um; 100pcs; <100GΩ
Length: 305mm
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
Material: metallized film bag
Quantity in set/package: 100pcs.
Version: ESD
Closing system: self-seal
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: metallised; shielding
Thickness: 75µm
Width: 254mm
Type of antistatic accessories: protection bag
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1920.21 грн
5+1674.34 грн
10+1573.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP1545CT
на замовлення 7577 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP15810STMicroelectronicsMOSFETs TO 220 AB NON ISOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP15810
Код товару: 167973
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP15810STMicroelectronicsDescription: *
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 110A, -
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 57ns, 33ns
Supplier Device Package: TO-220
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Input Type: Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N05L
Код товару: 109117
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N05L
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N06
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N06LSTMicroelectronicsMOSFET REORD 511-STP16NE06L TO-220 N-CH 60V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N06L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N25
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 378mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 378mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP15N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]