Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BDW1T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 720798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BE-6327 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856BE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC856BE6327 - BC856 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 11960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11960 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BE6327 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC856BE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BE6433 | INFINEON | 03+ | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BFHWQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1110A-3/SWP T&R 5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BFHWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFHWQ-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFHWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFHWQ-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | PNP Small Signal Transistor | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | PNP Small Signal Transistor | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | PNP Small Signal Transistor | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | PNP Small Signal Transistor | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K | на замовлення 4866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | BC856BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSW-7 | Diodes Zetex | PNP Small Signal Transistor | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BH RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BH RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-23, -80V, -0.1A, PNP Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BH RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 65V 0.1A SOT-23 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -80Vcbo -65Vceo Vebo -5V 310mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 65V 0.1A SOT-23 Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BHZGT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .15A BJT TRANSR | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.15A 350mW Automotive 3-Pin SST T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 65V 0.15A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BHZGT116 Код товару: 221526
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC856BHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 65V 0.15A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.15A 350mW Automotive 3-Pin SST T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BHZGT116 | Rohm | TRANS PNP 65V 0.15A SST3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BL3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 170785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1 | ON Semiconductor | Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 120 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 163728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BLT1 - TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 551133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 86620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1 | ON | SOT23 | на замовлення 246000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 100MA SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 540133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 85 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1G | BC856BLT1G Транзисторы | на замовлення 1044 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC856BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 12018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1750 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1G | BC856BLT1G Транзисторы | на замовлення 1043 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC856BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BLT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 12018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 132 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC856BLT1G | On Semiconductor | SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|

