Продукція > 1ED
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1EDN7126UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 1.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7126UXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7126UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 1.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R | на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7126UXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7 Packaging: Cut Tape (CT) Driven Configuration: High-Side or Low-Side DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136GXTMA1 | Infineon Technologies | High-Side T Gate Driver IC | на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136GXTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 5.5ns, 5.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136GXTMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS | на замовлення 3172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7136GXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7136GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 7985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136GXTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 5.5ns, 5.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136GXTMA1 | Infineon Technologies | High-Side T Gate Driver IC | на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136GXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7136GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.2V Bauform - Treiber: VSON SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 7985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7136UXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7 Packaging: Cut Tape (CT) Driven Configuration: High-Side or Low-Side DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R | на замовлення 7741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136UXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Driven Configuration: High-Side or Low-Side DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS | на замовлення 3025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146GXTMA1 | Infineon Technologies | High-Side T Gate Driver IC | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146GXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7146GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146GXTMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7146GXTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 11ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 7947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146GXTMA1 | Infineon Technologies | High-Side T Gate Driver IC | на замовлення 7563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146GXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7146GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Bauform - Treiber: VSON Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146GXTMA1 | Infineon Technologies | High-Side T Gate Driver IC | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146GXTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 11ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 0.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146UXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7 Driven Configuration: High-Side or Low-Side DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7146UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 0.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146UXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 0.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146UXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7 Driven Configuration: High-Side or Low-Side DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146UXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7146UXTSA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS | на замовлення 3195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7511B | Infineon Technologies | Driver 4A 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7511B | Infineon Technologies | Gate Drivers DRIVER IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXTSA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers DRIVER IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2 Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Discontinued at Digi-Key DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXUSA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXUSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2 Input Type: Inverting, Non-Inverting Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Low-Side Channel Type: Single Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns | на замовлення 24069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXUSA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXUSA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXUSA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXUSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXUSA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7512B | Infineon Technologies | Driver 4A 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512B | Infineon / IR | Gate Drivers DRIVER IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7512B | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™ Technology: EiceDRIVER™ Case: PG-SOT23-5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Topology: single transistor Output current: -8...4A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...20V Type of integrated circuit: driver | на замовлення 1385 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7512BXTSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V bis 20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 5-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS | на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7512BXTSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V bis 20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512BXTSA1 | International Rectifier HiRel Products | 1EDN7512BXTSA1 | на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V Supplier Device Package: PG-WSON-6-1 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 86187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS | на замовлення 3524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V Supplier Device Package: PG-WSON-6-1 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7512GXTMA1 | Infineon Technologies | Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550B | Infineon Technologies | Gate Drivers DRIVER IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7550B | Infineon Technologies | Description: 1EDN7550 - GATE DRIVER Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: PG-SOT23-6-3 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7550B | Infineon Technologies | Driver 5A 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550BXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550BXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7550BXTSA1 Код товару: 190751
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 1EDN7550BXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: PG-SOT23-6 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550BXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™ Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: driver Technology: EiceDRIVER™ Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: PG-SOT23-6 Topology: single transistor Output current: -8...4A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...20V Voltage class: 80V | на замовлення 1255 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550BXTSA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7550BXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550BXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550BXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: PG-SOT23-6 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin TSNP T/R | на замовлення 13716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin TSNP T/R | на замовлення 3717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon | Single-Channel Gate Driver; w/ Differential Inputs; Io+/Io- 4/8A; 4,5V~20V; tON/OFF 45/45ns; UVLO 4V; -40°C ~ 150°C; Equivalent: 1EDN7550UXTSA1; 1EDN7550U UI1EDN7550u кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-TSNP-6-13 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin TSNP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin TSNP T/R | на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7550UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 6 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: XFDFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin TSNP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin TSNP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin TSNP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin TSNP T/R | на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-TSNP-6-13 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | Infineon Technologies | Driver 5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin TSNP T/R | на замовлення 3717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 1EDN7550UXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - 1EDN7550UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 6 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: XFDFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

