Продукція > NTD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTD5802NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.16 грн
100+68.37 грн
500+51.40 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GonsemiMOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5803NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 76A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5804NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5804NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5804NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5804NT4G - MOSFET, N CH, 40V, 69A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5804NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5805NT4GON10+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5806NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5806NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5806NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5807NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862N-1GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GOn SemiconductorMOSFET N-CH 60V 98A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 325-334 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NL-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.98 грн
100+23.99 грн
500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4G
Код товару: 178182
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.92 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.25 грн
5000+56.71 грн
12500+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.16 грн
5000+13.39 грн
7500+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GTECH PUBLICN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C; NTD5865NLT4G TNTD5865nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GonsemiMOSFETs Single N-CH 60V 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.68 грн
10+91.06 грн
100+76.87 грн
500+65.77 грн
1000+51.72 грн
2500+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLonsemi NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NL-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 29549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.72 грн
100+22.52 грн
500+16.18 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 675 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 29374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GTECH PUBLICTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+343.78 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4GOn SemiconductorDPAK 4/Power MOSFET 60V 19A 39mOhm Single N-Channel DPAK Logic Level Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G
Код товару: 172926
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 33 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 675/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+35.00 грн
10+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C434NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C434NT4GonsemiMOSFET T6 40V SL IN DPAK
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C434NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/160A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C446NT4GonsemiRF Amplifier lo Noise amp SMT, 3.5 - 7.0 GHz
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C446NT4GonsemiDescription: NTD5C446 - SINGLE N-CHANNEL POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 240687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C464NT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V SL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4GonsemiDescription: T6 60V LL DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4GonsemiMOSFETs Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 155A, 2.5mohm
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4GonsemiDescription: T6 60V LL DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+88.76 грн
100+62.34 грн
500+52.97 грн
1000+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLonsemionsemi T6 60V LL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4GON SemiconductorNTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+229.50 грн
5000+227.24 грн
10000+224.88 грн
25000+214.67 грн
30000+196.75 грн
50000+186.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4GON SemiconductorNTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+295.32 грн
53+270.14 грн
100+232.76 грн
250+214.34 грн
500+191.71 грн
1000+182.98 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4GON SemiconductorNTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.32 грн
10+271.46 грн
25+270.14 грн
100+232.76 грн
250+214.34 грн
500+191.71 грн
1000+182.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C668NLonsemi T6 60V LL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C668NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/48A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
10+119.10 грн
100+85.72 грн
500+66.59 грн
1000+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C668NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/48A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C668NLT4GonsemiMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C688NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5N50onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5N50-001onsemiDescription: NFET DPAK 500V 1.8R
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5N50-001-MOMotorolaDescription: NFET DPAK 500V 1.8R
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5N50T4onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5N50T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5N50T4 - 5A, 500V, 1.7OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5N50T4GON09+ TO252
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6-34-33MDescription: NOTED BY POST-IT, TODAYS TOP THR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6-36-23MDescription: NOTED BY POST-IT, LIGHT GREEN "M
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD600N80S3ZonsemiMOSFETs SF3 800V 600MOHM DPAK
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD600N80S3ZonsemiDescription: MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD600N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD600N80S3ZonsemiDescription: MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
на замовлення 9285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+119.10 грн
100+95.77 грн
500+73.84 грн
1000+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD600N80S3ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60H02RT4
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02RonsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02RON07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02R-001onsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD60N02R-001 - NTD60N02R-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 152772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]