Продукція > NTD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTD4965N-35GON Semiconductor
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4965N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.39W (Ta), 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4965N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.39W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 15 V
на замовлення 26115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4965NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/68A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4965NT4GON Semiconductor
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4965NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4965NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/68A DPAK-3
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+38.72 грн
100+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4965NT4GonsemiMOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4969N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4969N-1G - NTD4969N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4969N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 15 V
на замовлення 43490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4969N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4969NT4GON Semiconductor
на замовлення 34950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4969NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A DPAK
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4969NT4GON SemiconductorMOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH
на замовлення 36245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4969NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4969NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A DPAK
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 774 pF @ 15 V
на замовлення 17337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
820+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 820 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970N-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
776+45.57 грн
1000+42.02 грн
10000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 774 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4970N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.011 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.6W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970N-35G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 38A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4970NT4G - NTD4970NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2455+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 2455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4970NT4GON Semiconductor
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4979N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4979N-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 41A 9MOHM
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4979NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 462897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4979NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4N60onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 184994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4N60ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4N60 - 4A, 600V, 2.4OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 184994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4N60T4MotorolaDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03R-035onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1817+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 1817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03R-1GON07+;
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03R-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
на замовлення 35200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 2019 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03R-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD50N03R-35G - MOSFET, N, 25V, I-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 35200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3570+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03R-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
на замовлення 3559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD50N03RT4G - NTD50N03RT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 85643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
на замовлення 85643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 2019 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03RT4GON0648+ TO-252
на замовлення 8496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD50N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5406NonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5406NGON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5406NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.2A/70A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 32 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5406NGonsemiMOSFET NFET 40V HD3E
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5406NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.2A/70A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 32 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5406NT4GON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5407N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5407NGON07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5407NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 32 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5407NT4GON Semiconductor
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5407NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 32 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5411NT4G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5412NT4G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5413NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5413NT4GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5413NTG
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5414NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5414NT4GON Semiconductor
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5426NT4G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GonsemiMOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.16 грн
100+68.37 грн
500+51.40 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.01 грн
10+106.48 грн
100+80.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5803NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 76A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5804NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5804NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5804NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5804NT4G - MOSFET, N CH, 40V, 69A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5804NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5805NT4GON10+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5806NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5806NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5806NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5807NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862N-1GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862N-1GON Semiconductor
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.68 грн
500+53.59 грн
1000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 325-334 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GOn SemiconductorMOSFET N-CH 60V 98A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5862NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.51 грн
10+110.55 грн
100+75.68 грн
500+53.59 грн
1000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5862NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NL-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5865NLT4G
Код товару: 178182
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]