Продукція > DTA

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTA115TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TSATP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TU3T106ROHMDescription: ROHM - DTA115TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA115T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP, SOT-323, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTA115TU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
25+12.27 грн
100+7.66 грн
500+5.30 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TUAROHM07+ SOT-323
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
46+6.51 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115TUT106
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115UUT106
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin TO-92 Box
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EONSEMIDescription: ONSEMI - DTA123E - DTA123E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123Eonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAYangjie Electronic TechnologyDTA123ECA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9741+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 9741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAYangjie TechnologyDescription: SOT-23 PNP 0.2W -0.1A Transisto
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.55 грн
15000+1.42 грн
30000+1.35 грн
60000+1.19 грн
120000+1.05 грн
300000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
250+1.97 грн
425+1.03 грн
500+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAMicrodiode Electronics (MDD)DTA123ECA
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.80 грн
42000+1.65 грн
63000+1.54 грн
84000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors PNP -50Vcc 5Vin 200mW -100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECA-TPMicro Commercial CoDescription: PNP DIGITAL TRANSISTOR, SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
21+14.88 грн
100+7.90 грн
500+4.88 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECA-TPMicro Commercial CoDescription: PNP DIGITAL TRANSISTOR, SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP, SOT-23, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 8159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTA123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
27+11.14 грн
100+6.91 грн
500+4.78 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTA123ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1780+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 1780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
870+0.87 грн
899+0.84 грн
920+0.82 грн
953+0.77 грн
988+0.68 грн
1026+0.63 грн
1053+0.62 грн
1096+0.59 грн
Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
31+9.95 грн
100+6.16 грн
500+4.23 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEROHMSOT523
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2233+6.35 грн
2500+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 2233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
17+17.95 грн
100+9.07 грн
500+7.54 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTA123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1098+12.92 грн
1490+9.52 грн
1717+8.26 грн
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 1098 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
28+10.77 грн
100+6.70 грн
500+4.63 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3TLROHMDescription: ROHM - DTA123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3TLROHMDescription: ROHM - DTA123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP -100mA; -50V EMT3F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEFRATLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEFRATLRohm SemiconductorDescription: PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EEFRATLRohm SemiconductorDescription: PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
16+19.07 грн
100+10.10 грн
500+6.24 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5465+5.19 грн
10000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 5465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTA123EET1 - DTA123EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 101481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.78 грн
100000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
30+10.10 грн
100+5.46 грн
500+4.03 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTA123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 202443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 15629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9494+2.99 грн
10601+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 9494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
6000+2.34 грн
9000+1.99 грн
30000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EETLROHMDescription: ROHM - DTA123EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EETLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 100MA
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.97 грн
2936+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 2852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 5519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
17+18.17 грн
100+8.87 грн
500+6.94 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKROHMSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAROHM07+ SOT-23
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKA/12ROHMSOT-23 01+
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1024+13.85 грн
1662+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 1024 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAT146RohmTRANS PNP 50V 100MA SOT-346 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAT146RohmТранзистор PNP, Ptot,Вт = 0.2, VCEO,В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 250, hFE = 20 @ 20 мА, 5 В, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.3V @ 500 мкА, 10 мА, Тэксп, °С = -55...+150, R1 = 2.2 кОм, R2= 2.2 кОм,... Транзистори Корпус: SOT-346 Очікується: 500
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 2350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAT146ROHMDescription: ROHM - DTA123EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
29+10.40 грн
100+6.46 грн
500+4.45 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.