Продукція > MMD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMDT5401GOODWORKDescription: PNP600mA 150V 300mW SOT-363
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 150V 200MW 600MA PNP SOT-363
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
42+7.32 грн
100+4.55 грн
500+3.10 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDIODES/ZETEXTransistor PNP; Bipolar; 240; 6V; 320mW; 150V; 200mA; 300MHz; -55°C~150°C; MMDT5401-7-F TMMDT5401-7-F Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.49 грн
100+9.11 грн
500+6.35 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT -150V 200mW
на замовлення 10795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.84 грн
6000+6.13 грн
9000+5.19 грн
15000+4.99 грн
21000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 200MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
6000+6.12 грн
9000+5.18 грн
15000+4.98 грн
21000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT -200mA -150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401.
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2PNP 150V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+17.28 грн
100+10.86 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2PNP 150V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401Q-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 200MA SOT-363
на замовлення 20990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.30 грн
25+16.85 грн
50+13.78 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401Q-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 320mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Application: automotive industry
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 200MA SOT-363
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.47 грн
9000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 160 / 160V 200mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
6000+4.42 грн
9000+4.17 грн
15000+3.66 грн
21000+3.50 грн
30000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.48 грн
6000+5.86 грн
9000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.48 грн
6000+5.86 грн
9000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 76705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.19 грн
100+8.92 грн
500+6.20 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3831+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 160 / 160V 200mW
на замовлення 17001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 160/150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.77 грн
31+13.92 грн
100+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT5451-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 80hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN/PNP 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451.
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451HE3-TPMicro Commercial CoDescription: BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451Q-7Diodes IncorporatedDescription: SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 47955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
16+20.00 грн
100+10.08 грн
500+8.39 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451Q-7Diodes IncorporatedDescription: SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, 150V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
6000+6.08 грн
9000+5.39 грн
30000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451Q-7Diodes ZetexNPN / PNP Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451Q-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT363 T&R 3K
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551Yangjie Electronic TechnologyMMDT5551
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6697+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 6697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551SLKORTransistor 2xNPN; 300; 200mW; 180V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701; MMDT5551 SLKOR TMMDT5551 SLK
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 200MW 200MA NPN+NPN SOT-363
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551MERRYTransistor 2xNPN; 300; 200mW; 160V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701; MMDT5551 MERRY TMMDT5551 MER
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 200MW 200MA NPN+NPN SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551GOODWORKDescription: 600mA 150V 300mW SOT-363
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551LITEON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 160V 200mW
на замовлення 34556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 97529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDiodes Inc./ZetexSOT-363 BIPOLAR TRANSISTOR DUAL NPN ROHS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.68 грн
25+16.77 грн
29+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDIODES/ZETEXTransistor Dual NPN; Bipolar; 160V; 6V; 250; 300MHz; 200mA; 200mW; -55°C~150°C; MMDT5551-7-F TMMDT5551-7-F Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; SOT363; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
6000+3.81 грн
9000+3.60 грн
15000+3.15 грн
21000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-AU_R1_007A1PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, 160 V, 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 29710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.45 грн
100+7.80 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-JSM(K4N)JSMSEMITransistor 2xNPN; 300; 200mW; 160V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMDT5551-7-F; MMDT5551-TP; MMDT5551_R1_00701; MMDT5551 JSMICRO TMMDT5551 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT 200mA 160V
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 80...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.32 грн
27+15.88 грн
100+9.86 грн
500+7.09 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551HE3-TPMicro Commercial CoDescription: DUAL NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
17+17.89 грн
100+11.32 грн
500+7.93 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551HE3-TPMicro Commercial CoDescription: DUAL NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551_R1_00701PanJit SemiconductorCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; SOT363
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551_R1_00701Panjit International Inc.Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
27+11.32 грн
100+7.01 грн
500+4.84 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551_R1_00701PanjitBipolar Transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, 160 V, 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5551_R1_00701Panjit International Inc.Description: NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 0.5A 1280mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf TRANS
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
на замовлення 1032000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.76 грн
6000+9.46 грн
9000+9.01 грн
15000+7.97 грн
21000+7.69 грн
30000+7.41 грн
75000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDTA06-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 80 V, 500 mA, 900 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 163MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA06-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 80V 500MA SOT-26
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Frequency - Transition: 163MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 900mW
на замовлення 1036436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.93 грн
100+17.87 грн
500+12.70 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDTA141DWDiotec SemiconductorDescription: BIASED BJT SOT-363 PNP 10000OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]