Продукція > RN2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN2404,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A(SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.98 грн
16+21.07 грн
100+10.87 грн
500+7.32 грн
1000+5.50 грн
3000+4.11 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2404,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.78 грн
42+19.51 грн
100+11.54 грн
500+6.61 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2404,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.54 грн
500+6.61 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404?TE85L?TOSHIBASOT23-YD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404SOT23-YD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404T5LFTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404TE85L(YD)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405(T5L,T)
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405(T5LND)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405(TE85L)TOSHSOT23
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405(TE85R)
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405(YE)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor PNP 2.2kohm -100mA -50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2405,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 54073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.21 грн
160+5.10 грн
500+3.22 грн
1500+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2405,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 54073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.25 грн
100+8.21 грн
160+5.10 грн
500+3.22 грн
1500+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2405,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.61 грн
124+6.58 грн
159+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2405,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.71 грн
9000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2405,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.61 грн
124+6.58 грн
159+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2405,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.71 грн
9000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.96 грн
20+16.67 грн
100+9.06 грн
500+6.76 грн
1000+5.92 грн
3000+4.04 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.21 грн
100+8.26 грн
500+5.72 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405/YETOSHIBA09+
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405T5LFTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406TOSSOT-23
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406(T5LCANO)TOSHIBASOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406,LFToshibaDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT323 50V
на замовлення 62401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.22 грн
49+6.65 грн
100+3.62 грн
500+2.58 грн
1000+2.30 грн
3000+1.39 грн
6000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
6000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.21 грн
100+8.26 грн
500+5.72 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.69 грн
19+17.55 грн
100+6.34 грн
1000+4.67 грн
3000+3.69 грн
9000+3.27 грн
24000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406-TE85L
на замовлення 6882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406/TE85LTOSHIBA98+ SOT-23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406T5LFTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(T5L.T)TOSHIBASOT23-YH
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(T5L.T) SOT23-YHTOSHIBA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(T5L.T) SOT23-YHTOSHIBA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(T5L.T)SOT23-YH
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(T5R
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(TE85R)TOSHIBASOT23-YH
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(TE85R) SOT23-YHTOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407(TE85R)SOT23-YH
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
33+9.36 грн
100+5.03 грн
500+3.71 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.21 грн
100+8.26 грн
500+5.72 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.08 грн
24+13.86 грн
100+7.52 грн
500+5.57 грн
1000+4.95 грн
3000+4.04 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407LXGF(TToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407T5L.TSOT23-YJTOSHIBA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407T5R.TSOT23-YHTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407TE85RSOT23-YHTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2408,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.14 грн
157+5.20 грн
213+3.82 грн
500+2.77 грн
1500+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2408,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.14 грн
157+5.20 грн
213+3.82 грн
500+2.77 грн
1500+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2408,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2408,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Resistors Included: R1 and R2
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.60 грн
100+7.86 грн
500+5.45 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.98 грн
23+14.26 грн
100+7.73 грн
500+5.64 грн
1000+4.81 грн
3000+4.11 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
6000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2408,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.45 грн
68+12.03 грн
116+7.05 грн
500+4.85 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2408,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2408,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.03 грн
116+7.05 грн
500+4.85 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409TOSHIBA07+ SOT-23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409 LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BRT TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409(TE85L)ToshibaDigital Transistors S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP S-MINI -50V -100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP S-MINI -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP S-MINI -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LFToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
43+7.17 грн
100+4.40 грн
500+3.00 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF(BToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF(BToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF(BToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2409,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.90 грн
139+5.88 грн
177+4.59 грн
500+3.36 грн
1500+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.08 грн
18+17.87 грн
100+10.45 грн
1000+6.20 грн
3000+3.34 грн
9000+2.86 грн
24000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
6000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2409,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.78 грн
42+19.51 грн
100+11.54 грн
500+6.61 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2409,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.54 грн
500+6.61 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409LF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409LXGF(TToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410TOSHIBASOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410,LFToshibaDigital Transistors 4.7kohm 50V 0.1A TO-236MOD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+6.94 грн
100+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.74 грн
15+21.87 грн
100+12.75 грн
500+8.64 грн
1000+6.83 грн
3000+3.97 грн
6000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2410,LXHFToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]