Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFR120Z | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR120Z - AUIRFR120 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR120Z | International Rectifier | Description: PFET, 8.7A I(D), 100V, 0.19OHM, Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR120Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR120ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR120ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR120ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2307Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2307Z | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2307ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2307ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2307ZTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2307ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2405 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2405 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2405TR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2405TRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2405TRL | International Rectifier | Description: AUIRFR2405 - MOSFET N-CHANNEL SI Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Part Status: Active Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2405TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2407 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR2407 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2407 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2407 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2407TR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2407TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2407TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Produktreihe HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR2407TRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2407TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR2407TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 42 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Produktreihe HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0218 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR2407TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2607Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2607Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 22mOhms | на замовлення 3858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2607ZTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 22mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2607ZTRL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 22mOhms | на замовлення 2658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2607ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2607ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 22mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms | на замовлення 2253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905Z | International Rectifier | Description: AUIRFR2905Z - 55V-60V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTR | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 11.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR2905ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms | на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3504TR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504TRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504Z | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR3504Z - AUIRFR3504 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 69 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504Z | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 30nC On-state resistance: 9mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3504ZTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3607 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3607 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3607TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3607TRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3607TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3710Z | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3710Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3710ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3710ZTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms | на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3710ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3710ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3710ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3710ZTRL | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| AUIRFR3710ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3710ZTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3806 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3806 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3806 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3806 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3806TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3806TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3806TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR3806TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3806TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms | на замовлення 12532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3806TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3806TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR3806TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR3806TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR3806TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR4104 | International Rectifier | N-MOSFET 40V 42A 140W 5.5mΩ AUIRFR4104 International Rectifier TAUIRFR4104 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR4104 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR4104 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR4104 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR4104 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR4104 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR4104 - AUIRFR4104 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR4104TR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFR4104TRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFR4104TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |