Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6694SFSC09+
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694S-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694SNLFAIRCHILD
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694_NLFAIRCHILD
на замовлення 44500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SonsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,6mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6699S TFDS6699s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699S-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6812FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6812AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6812AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6814FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS682A-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+73.52 грн
100+57.23 грн
500+45.52 грн
1000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.84 грн
180+79.04 грн
204+69.69 грн
300+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875onsemi / FairchildMOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.32 грн
10+79.84 грн
25+79.04 грн
100+67.20 грн
250+42.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875-NLFDS
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875A
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ANLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875A_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875NLFAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875_NL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6876FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.85 грн
500+80.85 грн
1000+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AonsemiMOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.87 грн
10+80.61 грн
25+80.04 грн
100+67.61 грн
250+61.26 грн
500+53.54 грн
1000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AONS/FAISO8, Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: SO8
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+86.08 грн
100+58.03 грн
500+43.18 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A/FSCFSC08+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890ANLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+77.20 грн
511+69.47 грн
1000+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+77.20 грн
511+69.47 грн
1000+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 66856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
539+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 11135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6892A - TRANSISTOR, MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 10479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6892AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6892A_NF40FAIRCHILD09+
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894NS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AS
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6894AZFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898FDSSOP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 12966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AFairchild2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A Fairchild TFDS6898a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.75 грн
7+60.49 грн
10+55.43 грн
50+45.04 грн
100+41.22 грн
500+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A
Код товару: 46542
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AFairchild/ON Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1+780.00 грн
10+111.06 грн
100+95.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A-NF40FAIRSOP8
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A-NLFAI
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A/FSCFSC08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A2FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898ANLFAIRCHILD
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+72.02 грн
547+64.82 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+72.02 грн
547+64.82 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+72.02 грн
547+64.82 грн
1000+59.78 грн
10000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.70 грн
10+79.42 грн
100+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZONS/FAIMOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+72.02 грн
547+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.