Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6690Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.30 грн
10+49.52 грн
100+29.89 грн
500+24.32 грн
1000+21.88 грн
2500+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+33.54 грн
1000+32.52 грн
2500+28.93 грн
5000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A
Код товару: 52356
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A-NBNP006onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A-NBNP006ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A-NBNP006 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A-NBNP006Fairchild SemiconductorDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1089+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A-NL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AFDS6690AS
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ANLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 59264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.99 грн
1000+44.26 грн
10000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.99 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.99 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V NCH POWER TRENCH SYNCFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.99 грн
1000+44.26 грн
10000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.99 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS
Код товару: 169096
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.99 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.99 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.99 грн
1000+44.26 грн
10000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+47.99 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS-NBNU001onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASNLFAIRCHILD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS_NBNU001onsemi / FairchildMOSFET 30V,NCH,SO8,POWER TRENCH SYNCFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS_TNBNU001onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A_NBBM015AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A_NBNP006onsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 27661 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690NLFAIRCHILD
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 87831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
10000+102.61 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
10000+102.61 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 164686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
10000+102.61 грн
100000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
10000+102.61 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 124950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
10000+102.61 грн
100000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 372836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+77.59 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690S_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6692 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692onsemiMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
582+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+61.22 грн
1000+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 9A 11.5 OHM NCH POWER TR
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6692A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.47
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 1.47
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+61.22 грн
1000+56.46 грн
10000+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694
Код товару: 52710
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.67 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.67 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.67 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.67 грн
1000+56.87 грн
10000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 15 V
на замовлення 28954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.67 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694NLFAIRCHILD
на замовлення 44500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694SFSC09+
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694S-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694SNLFAIRCHILD
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694_NLFAIRCHILD
на замовлення 44500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SonsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,6mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6699S TFDS6699s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6699S-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6812FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6812AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6812AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6814FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS682A-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.98 грн
50+69.42 грн
100+58.93 грн
500+50.42 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+74.20 грн
100+57.76 грн
500+45.94 грн
1000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875onsemi / FairchildMOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.10 грн
10+69.55 грн
100+51.21 грн
500+44.87 грн
1000+37.14 грн
2500+34.84 грн
5000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.67 грн
180+78.86 грн
204+69.54 грн
300+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.12 грн
10+79.67 грн
25+78.86 грн
100+67.06 грн
250+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.93 грн
500+50.42 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875-NLFDS
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875A
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]