Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5233T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200 Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | на замовлення 2482 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 37066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 29070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 113000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 201272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 37272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G SC70-3 | ON-Semiconductor | NPN 50V 100mA 202mW MUN5233T1G ON Semiconductor TMUN5233t1g кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA | на замовлення 49470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5234DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5234T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5234T1 - MUN5234T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5234T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5234T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5234T1G | ON | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5234T1G | onsemi | Description: MUN5234 - NPN BIPOLAR DIGITAL TR | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5234T1G | On Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5234T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5234T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5234T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 34191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5234T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5234T1G/BL3 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5235 | onsemi | SS SC70 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5235D | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5235DW1 | onsemi | LESHANBE SS SC88 BR XSTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 567000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 567000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Транзистор подвоєний цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 80 @ 5 мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корп кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 5274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | на замовлення 5316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | On Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 1814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 140 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 41284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235DW1T2 | onsemi | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 92770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 45018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 45018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 26957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 85960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5235T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 92770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5236DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 35900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | на замовлення 35900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1G | ON Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5236DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 121000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236DW1T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5236T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5236T1 - MUN5236T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 2788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 44980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5237DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 44980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN | на замовлення 38545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 5213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | на замовлення 9274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | на замовлення 42985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5237T1 - MUN5237T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. |

