Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5236T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 2788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5236T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5237DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 44980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 44980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | на замовлення 9274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 5213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN | на замовлення 38545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | на замовлення 42985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5237T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5237T1 - MUN5237T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5237T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5238T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5238T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5238T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5240T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5240T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5240T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5240T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5241T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5241T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5241T1G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 15989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5241T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1 | onsemi | SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1 - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | на замовлення 11750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 13800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 74185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 19210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 60 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.385W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 82145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T1G | On Semiconductor | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 . SOT-363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Транзистор NPN подвоєний, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25, Р, Вт = 0,25, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312D | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312DW1 | на замовлення 9080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1 | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 26194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 17411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 26194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Power dissipation: 0.385W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 100 Base-emitter resistor: 22kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V | на замовлення 2780 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 1050000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 1050000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5312DW1T1G TMUN5312dw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2 | на замовлення 20500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 176850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 416982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DW1T2G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5312DWT1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5312T1 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1 | onsemi | SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1 | на замовлення 153000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 22kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.187W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-88 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5313DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-88 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V | на замовлення 35186 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5313DW1T1G Транзистор Код товару: 222940
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5313DWT1G | на замовлення 2020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5314DW1 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5314DW1 | onsemi | onsemi SS SC88 BR XSTR DUAL 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | на замовлення 273230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 81230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5314DW1T1 - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

