Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 34 68 102 136 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 170 204 238 272 306 340 348  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
JANS2N2369AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2369AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 20V UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/317
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2369AUBCMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 20V 3SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: UBC
Grade: Military
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 360 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/317
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2369AUBCMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2369AUBC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 0.05A 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 0.05A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/376
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT SMT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 0.05A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UA
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/376
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 0.05A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/376
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UB Waffle
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 0.05A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/376
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UBCMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 60V 0.05A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/376
Grade: Military
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UBCMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UBC Waffle
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UBCMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UBC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2484UBC/TRMicrochip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: UBC
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2857Semicoa SemiconductorsPolarity NPN Low power, ultra-high frequency transistor.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2857Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2857UBSemicoa SemiconductorsTrans RF BJT NPN 15V 0.04A 200mW 4-Pin Case UB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2857UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2857UB-LCMicrosemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 15V UB
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Qualification: MIL-PRF-19500/343
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2904Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2904Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2904AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2904AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2904A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2904ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2904ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Grade: Military
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBCMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBCMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UBC Waffle
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBCMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBC/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Grade: Military
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907A/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Grade: Military
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT SMT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBCMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-CLCC
Packaging: Bulk
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UBC
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBCMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBC/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UBC
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-CLCC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919L/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919UMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919U/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920Microchip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Grade: Military
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-78-6
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13468.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920LMicrochip TechnologyDescription: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920L/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920UMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920UMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920UMicrochip TechnologyDescription: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Grade: Military
Supplier Device Package: 6-SMD
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920U/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920U/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920U/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2946AMicrochip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-46
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2946AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7686.87 грн
100+6872.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Grade: Military
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 34 68 102 136 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 170 204 238 272 306 340 348  Наступна Сторінка >> ]