Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N2905AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/291 Grade: Military DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/291 Grade: Military Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUB | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUBC | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UBC Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UBC Packaging: Bulk Package / Case: 3-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UBC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2906AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N2907A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/291 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907A/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/291 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UBC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-CLCC Packaging: Bulk Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UBC Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-CLCC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2907AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2919 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2919/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2919L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2919L/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2919U | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2919U/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920 | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18 Qualification: MIL-PRF-19500/355 Grade: Military DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk Supplier Device Package: TO-78-6 | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N2920L | Microchip Technology | Description: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920U | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920U | Microchip Technology | Description: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS Qualification: MIL-PRF-19500/355 Grade: Military Supplier Device Package: 6-SMD DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2920U/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2946A | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-46 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N2946A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3019 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N3019 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5 Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N3019/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3019S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3019S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3057A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3057A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO46 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3057A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3421 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Voltage Regulator | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3421 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3421S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3421S | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3439 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3439L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3439L | Microchip Technology | Description: POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3439U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3439U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3439UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3439UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3439UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440 | MIT | 04+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440L | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO-5 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440UA/TR | Microchip Technology | JANS2N3440UA/TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499L | Microsemi Corporation | Description: SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499L/TR | Microsemi Corporation | Description: SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3500 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3500L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3500L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N3501 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/366 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO5 Qualification: MIL-PRF-19500/366 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |