Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N5666U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 300V 5A TO-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794U | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794U/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794UC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794UC | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794UC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794UC/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5795 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5795A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5796A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5796U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5796UC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/561 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193 | Microchip / Microsemi | MOSFETs Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193U3 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 5A TO-39 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6249T1 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 200V 10A TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6250T1 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 275V 10A TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6251 | Microchip / Microsemi | Microchip Technology | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6251T1 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6676 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 15A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 6 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6676T1 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 15A TO254 Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-254 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6678 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 6 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6678T1 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO254 Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-254 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6849 | Microchip / Microsemi | MOSFET P Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6849 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6987 | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-116 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/558 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6987 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| Jans2N6987/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6987U | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/558 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6987U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6988 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 400mW PNP Quad - Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6988 | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-116 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/558 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6989 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6989 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Mounting Type: Through Hole Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/559 Grade: Military Supplier Device Package: TO-116 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Power - Max: 1.5W Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 4 NPN (Quad) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6989/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6989U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Quad - Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6989U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/559 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6989U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR QUAD SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/559 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6989U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Quad - Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6990 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 400mW 14-Pin FPAK Tray | на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N6990 | Aeroflex | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 400mW 14-Pin FPAK Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6990 | Microchip / Microsemi | MOSFETs 50V 800mA 400mW NPN Quad - Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6990 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 400mW 14-Pin FPAK Tray | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N6990 | Semicoa Semiconductors | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14-Pin FPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6990 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 14-Flatpack Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 NPN (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 14-Flatpack Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/559 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N7371 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N7371 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V Supplier Device Package: TO-254AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N7372 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 5A TO254 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N7373 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 50UA TO254 Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-254 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N918 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 0.05A TO-72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/301 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N918 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 50mA 200mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N918/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N918UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 50mA 200mW NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N918UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 0.05A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/301 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N918UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N918UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 0.05A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW Qualification: MIL-PRF-19500/301 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N930 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 45V 0.03A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW Qualification: MIL-PRF-19500/253 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N930UB | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N930UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2218 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2218 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2218A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2218A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2218AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2218AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2219 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2219 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2219A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2219A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2219AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2219AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUA/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUB | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUB/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUBC | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2221AUBC/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2222AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2222AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2222AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2222AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2222AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANSD2N2222AUB | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |