Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N3440UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440UA/TR | Microchip Technology | JANS2N3440UA/TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3440UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO-5AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN Lond-Lead Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499L/TR | Microsemi Corporation | Description: SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN 3 Pin Cre Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3499UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN 3 Pin Cre Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3500 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3500L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3500L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: U4 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3501UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3506A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3506AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3634 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3634L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3634UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3634UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3635 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3635L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3635L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3635UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3635UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3635UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3635UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3636 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3636L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3636UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3636UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N3637/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637L | Microsemi | Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637L | Semicoa Semiconductors | Trans GP BJT PNP 140V 1A 3-Pin TO-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637L | Microsemi | Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N3637L-DESTRUCT | Microsemi | Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N3637UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3637UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3700 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N3700UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3700UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3700UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3700UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3735 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/395 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3735 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 1.5A 1W Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3735L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/395 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3735L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 1.5A 1W Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3737 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 1.5A 500mW Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3737 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO-46 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Supplier Device Package: TO-46 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/395 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3737UB | Microsemi | Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 500mW 4-Pin Case UB Waffle | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N3737UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/395 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3737UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 1.5A 500mW 3-Pin CER Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3737UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 1.5A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/395 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3740 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 4A 25W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3740 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 4A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W Qualification: MIL-PRF-19500/441 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3741 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 4A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W Qualification: MIL-PRF-19500/441 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3741 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3741U4 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10UA U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V Supplier Device Package: U4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3763 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3810 | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3810L | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3810L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3810L/TR | Microsemi Corporation | Description: BJTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3810L/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3810U | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3810U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3810U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50MA 350MW Dual Small-Signal BJT THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3866 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3866A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3866AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3866UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3867 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3867 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 40V 3A TO-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3867S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3867S | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3868 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 3MA TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/350 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N3868 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3868S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N3868S | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.003A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N4029 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N4029 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 1A TO18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |