Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTA123JUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTA123JUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123J
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.047
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUAFRAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUAHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUAHE3-TPMicro Commercial CoDescription: BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 100MA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUAT106ROHMDescription: ROHM - DTA123JUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123J
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 173279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3808+3.72 грн
4732+2.99 грн
5396+2.62 грн
6000+2.52 грн
24000+2.06 грн
96000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUB TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
28+10.79 грн
100+5.25 грн
500+4.11 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUBHZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP SOT-323FL 2.2kO Input Resist
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL TRANSISTOR -100MA-50V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123JUT106
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TCAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS-SS PNP SOT23 50V
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TCAT116Rohm SemiconductorDescription: PNP, SOT-23, R1 ALONE TYPE DIGIT
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
18+17.44 грн
100+8.81 грн
500+6.74 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TCAT116Rohm SemiconductorDescription: PNP, SOT-23, R1 ALONE TYPE DIGIT
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TET1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TET1GonsemiDigital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TET1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TKAROHM
на замовлення 12574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TKA T146ROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TM3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TM3T5GSanyo ElectricDTA123TM3T5G
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7732+3.66 грн
10000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 7732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTA123TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TM3T5GSanyoDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Bulk
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 260 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9427+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 9427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7732+3.66 грн
10000+3.25 грн
100000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 7732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCA-HFComchip TechnologyDigital Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCA-HFComchip TechnologyDigital Transistors TRANS DIGITAL PNP 50V 200mW SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCA-TPMicro Commercial CoDescription: PNPDIGITALTRANSISTORSSOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors PNP 50Vcc 5V 100mA 200mW -0.3Vo -3.9mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCA-TPMicro Commercial CoDescription: PNPDIGITALTRANSISTORSSOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
17+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTA123YCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.50 грн
527+1.54 грн
556+1.36 грн
1000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP SOT-23 2.2kO Input Resist
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTA123YCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+5.36 грн
233+3.50 грн
527+1.54 грн
556+1.36 грн
1000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 350 mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
22+14.27 грн
100+7.78 грн
500+4.49 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 22 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.21 грн
100+5.70 грн
500+3.92 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2052+6.89 грн
2500+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 2052 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 22 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1471+13.01 грн
2389+5.92 грн
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YCAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 33
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
87+4.86 грн
129+3.27 грн
500+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YEROHM10+ SOT-523
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE FRATLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE(52)ROHM01+ SOT-323
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTA123YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.02 грн
70+11.70 грн
111+7.32 грн
500+5.03 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
16+19.55 грн
100+9.86 грн
500+7.55 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.96 грн
2936+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 2852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTA123YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.70 грн
111+7.32 грн
500+5.03 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3TLROHMDescription: ROHM - DTA123YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+16.01 грн
73+11.14 грн
131+6.24 грн
500+4.25 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
28+10.79 грн
100+6.73 грн
500+4.65 грн
1000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3TLROHMDescription: ROHM - DTA123YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.14 грн
131+6.24 грн
500+4.25 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.78 грн
6000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP -100mA; -50V EMT3F
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
26+12.00 грн
100+5.86 грн
500+4.59 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YEFRATLRohm SemiconductorDescription: PNP DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YEFRATLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YEFRATLRohm SemiconductorDescription: PNP DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
13+23.40 грн
100+12.41 грн
500+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YETLROHMDescription: ROHM - DTA123YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.16 грн
33+25.20 грн
100+15.85 грн
500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+21.36 грн
100+10.78 грн
500+8.97 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YETLROHMDescription: ROHM - DTA123YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.85 грн
500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YETLROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 100MA
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2333+6.06 грн
2500+5.88 грн
5000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 2333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+31.95 грн
553+25.58 грн
629+22.52 грн
2000+18.98 грн
3000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YKROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YKAROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 100MA
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
19+16.68 грн
100+8.86 грн
500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YKAT146ROHMDescription: ROHM - DTA123YKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3457+4.09 грн
4262+3.32 грн
5000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
19+16.45 грн
100+8.02 грн
500+6.28 грн
1000+4.36 грн
2000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors Digital Trans w/Res VMT3
на замовлення 4294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YSROHMTO-92S
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YUROHM
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA123YU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP -50V -0.1A 2.2kO SOT-323
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  Наступна Сторінка >> ]