Продукція > DTA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA123JUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA123JUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123J Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.047 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUAFRAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUAHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: BIPOLAR TRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA123JUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123J Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 173279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123JUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUB TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3F DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-85 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123JUBHZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-323FL 2.2kO Input Resist | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3F DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-85 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1316 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3F DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-85 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR -100MA-50V | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123JUT106 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DTA123TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1413 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123TCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS-SS PNP SOT23 50V | на замовлення 10290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-23, R1 ALONE TYPE DIGIT Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-23, R1 ALONE TYPE DIGIT Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123TET1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123TET1G | onsemi | Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123TET1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123TKA | ROHM | на замовлення 12574 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DTA123TKA T146 | ROHM | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DTA123TM3T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123TM3T5G | Sanyo Electric | DTA123TM3T5G | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123TM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA123TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123TM3T5G | Sanyo | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-723 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Bulk Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 260 mW | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistors TRANS DIGITAL PNP 50V 200mW SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCA-TP | Micro Commercial Co | Description: PNPDIGITALTRANSISTORSSOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors PNP 50Vcc 5V 100mA 200mW -0.3Vo -3.9mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCA-TP | Micro Commercial Co | Description: PNPDIGITALTRANSISTORSSOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA123YCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1471 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 2.2kO Input Resist | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA123YCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 350 mW Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 22 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor | на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 22 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YCAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Case: SOT23 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Current gain: 33 Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 2.2kΩ Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar | на замовлення 856 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YE | ROHM | 10+ SOT-523 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE FRATL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2896 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE(52) | ROHM | 01+ SOT-323 | на замовлення 6999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA123YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA123YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA123YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 199 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA123YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: UMT3F DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-85 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA; -50V EMT3F | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: UMT3F DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-85 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1421 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YEFRATL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: PNP DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YETL | ROHM | Description: ROHM - DTA123YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123Y Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YETL | ROHM | Description: ROHM - DTA123YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123Y Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 7550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YK | ROHM | SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YKA | ROHM | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1263 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTA123YKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123Y Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 527 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: VMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital Trans w/Res VMT3 | на замовлення 4294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Supplier Device Package: VMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YS | ROHM | TO-92S | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTA123YU | ROHM | на замовлення 2590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DTA123YU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DTA123YU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -50V -0.1A 2.2kO SOT-323 | на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

