НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXTP2008ZQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.16 грн
2000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 13379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.08 грн
25+60.78 грн
50+50.46 грн
100+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTAonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.44 грн
3000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZQTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZQTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 152MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.44 грн
100+46.23 грн
500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZQTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.91 грн
2000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZQTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
557+17.76 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 152MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.33 грн
2000+30.37 грн
3000+28.99 грн
5000+25.76 грн
7000+24.90 грн
10000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZQTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.48 грн
2000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 152MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 40V PNP Low Sat
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 152MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 152MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.80 грн
100+38.85 грн
500+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 152MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2009ZTA
Код товару: 142698
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2010ZZETEXSOT-89 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 20913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+66.42 грн
100+51.68 грн
500+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTOADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.26 грн
4000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTOADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.57 грн
4000+32.69 грн
6000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+67.78 грн
100+52.73 грн
500+41.94 грн
1000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADIODES/ZETEXPNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.28 грн
5000+25.09 грн
7000+23.00 грн
10000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 56028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.10 грн
25+63.43 грн
50+52.71 грн
100+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.67 грн
2000+26.54 грн
3000+26.28 грн
5000+25.09 грн
7000+23.00 грн
10000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.26 грн
3000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 263000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTADIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
10+57.20 грн
100+38.07 грн
250+33.55 грн
500+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZDiodes Inc./ZetexTRANS PNP LO SAT 60V 4.3A SOT89 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZSOT89 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012Z-13RDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.53 грн
100+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADIODES/ZETEXTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTP2012ZTA TZXTP2012ZTA Diodes
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 9811000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.56 грн
2000+25.18 грн
3000+24.00 грн
5000+21.27 грн
7000+20.53 грн
10000+19.81 грн
25000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+29.46 грн
500+26.13 грн
1000+24.41 грн
2000+21.22 грн
5000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1893000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.27 грн
2000+19.30 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1893000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.27 грн
2000+19.30 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes Inc./ZetexTRANS PNP LO SAT 60V 4.3A SOT89 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 9811508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.80 грн
100+38.85 грн
500+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.89 грн
2000+18.40 грн
5000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.89 грн
2000+18.40 грн
5000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTG
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.25 грн
2000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.96 грн
13+60.39 грн
25+59.43 грн
100+46.93 грн
500+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.07 грн
3000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.17 грн
2000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.56 грн
12+64.33 грн
25+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V PNP Med Power
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.04 грн
2000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+72.91 грн
25+61.56 грн
50+51.16 грн
100+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013ZDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 68269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+52.08 грн
100+36.06 грн
500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2013ZTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.