Продукція > ZXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTP2008ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 13379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat | на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 152MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 152MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 152MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V PNP Low Sat | на замовлення 5276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 152MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 152MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 152MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA Код товару: 142698
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXTP2010Z | ZETEX | SOT-89 10+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 20913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTOA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTOA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN | на замовлення 4112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 74 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | DIODES/ZETEX | PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 56028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat | на замовлення 2178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 263000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012GTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 5.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Pulsed collector current: 15A Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz Manufacturer standard package: 1000pcs. | на замовлення 996 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012Z | Diodes Inc./Zetex | TRANS PNP LO SAT 60V 4.3A SOT89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012Z | SOT89 10+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXTP2012Z-13R | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | DIODES/ZETEX | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTP2012ZTA TZXTP2012ZTA Diodes кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat | на замовлення 3907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 9811000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1893000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4.3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1893000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Inc./Zetex | TRANS PNP LO SAT 60V 4.3A SOT89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 9811508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 392 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4.3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ZTG | на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP2013G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Med Power | на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 3029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2013ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2013ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 68269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

