Продукція > ZXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTP19060CGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19060CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 5A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19060CGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19060CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19060CW | Diodes Incorporated | Description: DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19060CZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19060CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19060CZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19060CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.5 A, 26.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 26.7W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19060CZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 4.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 450mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19060CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19060CZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 4.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 450mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.4 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19060CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19060CZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19060CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.5 A, 26.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 26.7W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19060CZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 4.5A | на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19100CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CFFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 100V Transistor | на замовлення 11036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19100CFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 35344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19100CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT-23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 142MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19100CGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 142MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 80605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CGTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 2A | на замовлення 3167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19100CZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19100CZQTA | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 107000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19100CZQTA | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 107000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 2A | на замовлення 1171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 295mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 142MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP19100CZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 142MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2006E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2006E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 17900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2006E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6 Power - Max: 1.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Supplier Device Package: SOT-23-6 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 350mA, 3.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2006E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP Low Sat | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT223 | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZQTA | Diodes Zetex | 30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | на замовлення 2356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat | на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 51121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 152MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 152MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 152MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Power - Max: 2.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 152MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA Код товару: 142698
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89-3 Power - Max: 2.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 152MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 550mA, 5.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 152MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2009ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V PNP Low Sat | на замовлення 5276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2010Z | ZETEX | SOT-89 10+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: E-Line-3 Packaging: Bulk | на замовлення 20913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012A | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTOA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTOA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN | на замовлення 4112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

