Продукція > PHT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PHT30016module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT3008module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT3008CFNIEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT3008CTNIEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT3012
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT308CNIEC30A/800V/SCR/1U
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT3715MODULARSmiths Interconnect / IDIArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT40012NIEC400A/1200V/SCR/1U
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT40016NIEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4008module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT45016NI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4508NI
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10LTPHITO223
на замовлення 10153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10LT /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10LT,135NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10LT,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.75A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 374 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10T
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10TNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10T /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10T,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10T,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT4NQ10T,135NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT608CNIEC60A/800V/SCR/1U
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT60S208SN-1-CKTE ConnectivityPHT60S208SN-1-CK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT60S208SN-1-CKTE ConnectivityCategory: Printers and Markers
Description: Heat shrink markers
Type of storage accessories: heat shrink markers
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+14885.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PHT60S208SN-1-CKTE Connectivity AMP ConnectorsDescription: TE CONNECTIVITY / RAYCHEM PHT60S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6148NLTPulsePHT6148NLT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+213.84 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N03PHIS04+ 2SOT-23
на замовлення 27100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N03LT
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N03TPHILIPS
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06CTPHILIPSSOT-223
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LTPH09+
на замовлення 14478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT
Код товару: 154373
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LTNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT,135NXPDescription: NXP - PHT6N06LT,135 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 316136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT,135Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±13V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 290604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 73864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1368+25.84 грн
10000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 1368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±13V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT,135NexperiaMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 238440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1368+25.84 грн
10000+23.04 грн
100000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 1368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT,135
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06LT/NXPNXP08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06TPHILIPSSOT223
на замовлення 192874 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06TNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06T,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 6669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06T,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 8364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1332+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 1332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06T,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06T,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6N06T,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10TNXP10+ TO220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10TNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 36947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1130+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 1130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
10+35.32 грн
100+24.28 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+39.09 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+36.96 грн
385+36.77 грн
500+35.17 грн
1000+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.09 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135NexperiaMOSFETs SOT223 100V 6.5A N-CH
на замовлення 51423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT7249NLTPulse ElectronicsPower Transformers - Board Mount 44.55Uh dcr=0.12mOhms 4200VRMS 2W LLC/SiC Isolation
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT752017MetcalSoldering Irons .01in (0.25mm) 60 dg BEVEL SOLDER TIP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT80N06LTPHI02+ 223
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06L
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06LTNEXPERIADescription: NEXPERIA - PHT8N06LT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7.5 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 7.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 8.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 8.3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06LT
Код товару: 149819
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 7,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 80 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 500/11,2
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06LTNXP08+;
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06LT /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06LT,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±13V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06LT,135NexperiaMOSFETs N-CH TRENCH 55V 7.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06LT,135NXPSOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06LT/NXPNXP08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT8N06T
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHTA0603Y1003BGTAVishay SferniceDescription: RES SMD 100K OHM 0.0375W 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.0375W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 0.060" L x 0.033" W (1.52mm x 0.85mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 215°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.025" (0.64mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 kOhms
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.49 грн
10+615.22 грн
25+573.52 грн
50+511.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PHTA0603Y1003BGTAVishay SferniceDescription: RES SMD 100K OHM 0.0375W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.0375W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±15ppm/°C
Size / Dimension: 0.060" L x 0.033" W (1.52mm x 0.85mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 215°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.025" (0.64mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 kOhms
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+540.04 грн
200+497.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHTE1211HN/N3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHTG-17B.50Thomas & BettsDescription: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW17 50M B
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHTG-23B.50Thomas & BettsDescription: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW23 50M B
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHTG-29B.50Thomas & BettsDescription: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW29 50M B
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHTG-36B.30Thomas & BettsDescription: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW36 30M B
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHTG-48B.30Thomas & BettsDescription: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW48 50M B
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHTU21D
Код товару: 166038
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHTX-100OmegaDescription: PH TRANSMITTER, 2-WIRE, 0 PH TO
Packaging: Bulk
Type: Specialty
Includes: Battery, Manual
For Measuring: PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHTX-45OmegaDescription: PH TRANSMITTER, 2-WIRE, ISOLATED
Packaging: Bulk
Type: Specialty
Includes: Sensor
For Measuring: PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16