Продукція > PHT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PHT4NQ10 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHT4NQ10LT | PHI | TO223 | на замовлення 10153 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT4NQ10LT /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT4NQ10LT,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-73 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.75A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 374 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT4NQ10LT,135 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT4NQ10T | на замовлення 1614 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHT4NQ10T | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT4NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT4NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT4NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT4NQ10T,135 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT4NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT608C | NIEC | 60A/800V/SCR/1U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT60S208SN-1-CK | TE Connectivity | PHT60S208SN-1-CK | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6148NLT | Pulse | PHT6148NLT | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6N03 | PHIS | 04+ 2SOT-23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N03LT | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHT6N03T | PHILIPS | на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PHT6N06 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHT6N06CT | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 4817 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06LT | NXP Semiconductors | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06LT | PH | 09+ | на замовлення 14478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06LT Код товару: 154373
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PHT6N06LT /T3 | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06LT,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 238440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6N06LT,135 | Nexperia | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06LT,135 | NXP | Description: NXP - PHT6N06LT,135 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 316136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6N06LT,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±13V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-73 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06LT,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 73864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6N06LT,135 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHT6N06LT,135 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±13V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-73 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk | на замовлення 312304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6N06LT/NXP | NXP | 08+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06T | PHILIPS | SOT223 | на замовлення 192874 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06T | NXP Semiconductors | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06T,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SC-73 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk | на замовлення 8364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6N06T,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6N06T,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 6669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6N06T,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SC-73 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6N06T,135 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6NQ10T | NXP | 10+ TO220 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 12204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 36947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | MOSFETs SOT223 100V 6.5A N-CH | на замовлення 51423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT6NQ10T,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT7249NLT | Pulse Electronics | Power Transformers - Board Mount 44.55Uh dcr=0.12mOhms 4200VRMS 2W LLC/SiC Isolation | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHT752017 | Metcal | Soldering Irons .01in (0.25mm) 60 dg BEVEL SOLDER TIP | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT80N06LT | PHI | 02+ 223 | на замовлення 1879 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT8N06 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHT8N06L | на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHT8N06LT | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PHT8N06LT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7.5 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 7.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 8.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 8.3 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT8N06LT Код товару: 149819
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-223 Напруга сток-витік Uds, V: 55 V Струм стоку Idd, A: 7,5 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 80 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 500/11,2 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PHT8N06LT | NXP | 08+; | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT8N06LT /T3 | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT8N06LT,135 | Nexperia | MOSFETs N-CH TRENCH 55V 7.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT8N06LT,135 | NXP | SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT8N06LT,135 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-73 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±13V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT8N06LT/NXP | NXP | 08+; | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHT8N06T | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHTA0603Y1003BGTA | Vishay Sfernice | Description: RES SMD 100K OHM 0.0375W 0603 Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 0.0375W Tolerance: ±0.1% Features: Anti-Sulfur Package / Case: 0603 (1608 Metric) Temperature Coefficient: ±15ppm/°C Size / Dimension: 0.060" L x 0.033" W (1.52mm x 0.85mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 215°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.025" (0.64mm) Part Status: Active Resistance: 100 kOhms | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHTA0603Y1003BGTA | Vishay Sfernice | Description: RES SMD 100K OHM 0.0375W 0603 Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.0375W Tolerance: ±0.1% Features: Anti-Sulfur Package / Case: 0603 (1608 Metric) Temperature Coefficient: ±15ppm/°C Size / Dimension: 0.060" L x 0.033" W (1.52mm x 0.85mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 215°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.025" (0.64mm) Part Status: Active Resistance: 100 kOhms | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PHTE1211HN/N3 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PHTG-17B.50 | Thomas & Betts | Description: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW17 50M B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHTG-23B.50 | Thomas & Betts | Description: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW23 50M B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHTG-29B.50 | Thomas & Betts | Description: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW29 50M B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHTG-36B.30 | Thomas & Betts | Description: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW36 30M B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHTG-48B.30 | Thomas & Betts | Description: CONDUIT H/L CRSE PA/E NW48 50M B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHTU21D Код товару: 166038
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PHTX-100 | Omega | Description: PH TRANSMITTER, 2-WIRE, 0 PH TO Packaging: Bulk Type: Specialty Includes: Battery, Manual For Measuring: PH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PHTX-45 | Omega | Description: PH TRANSMITTER, 2-WIRE, ISOLATED Packaging: Bulk Type: Specialty Includes: Sensor For Measuring: PH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

