Продукція > RN1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1314,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1314,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1315(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1315(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1315,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1315,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1315,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1315,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN , R1=2.2kOhm, R2=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-323) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1315,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1315,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1315,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1315,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1316(TE85L) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1316(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1316,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1316,LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1316,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1316,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1316,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms | на замовлення 8770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1316,LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1316,LF(B | Toshiba | RN1316,LF(B | на замовлення 6469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1316,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1316,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1316,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1316,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1316,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1316,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1316,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1316,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1316,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1316,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1316,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1316,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1316,LXHF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1316,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN , R1=4.7kOhm, R2=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-323) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1316,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1316,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1317(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 10K x 4.7Kohms | на замовлення 4003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1318(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors 100mA 50volts 3Pin 47K x 10Kohms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131C/RM | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 WiFly GSX 802.11b/g Mod Commercial Temp | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131C/RM | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 1000Kbps 44-Pin SMD Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131C/RM | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - RN131C/RM - WLAN-Modul, 802.11 b/g, äußerst energiesparende Embedded-TCP/IP-Lösung, gewerbliche Anwendungen tariffCode: 85176200 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Modulanwendungsbereiche: Drahtlose Verbindungen rohsCompliant: YES euEccn: NLR Modulschnittstelle: UART isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES HF-Frequenz: 2.48GHz usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131C/RM | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 1000Kbps 44-Pin SMD Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131C/RM | Microchip | 44 MODULE 38X20X4MULP WIFI 802.11 B/G SURFACE MOUNT MODULE W/ON-BOARD ANTEN кількість в упаковці: 20 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131C/RM | Microchip Technology | Description: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -85dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Memory Size: 8MB Flash, 2MB ROM, 128kB RAM Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 18dBm Data Rate: 54Mbps Protocol: 802.11b/g Current - Receiving: 40mA Current - Transmitting: 210mA Antenna Type: Integrated, Chip + U.FL Modulation: CDK, DBPSK, DQPSK, DSSS, OFDM RF Family/Standard: WiFi Serial Interfaces: SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131C/RM475 | Microchip Technology | Description: ULP WIFI 802.11 B/G SURFACE MOUN | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131C/RM475 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 ULP WiFi 802.11 Module w on brd Ant | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131C/RM475 | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 11000Kbps 44-Pin Tray | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131C/RM480 | Microchip Technology | WiFi/802.11 Modules ULP WiFi 802.11 b/g surface mount module w/on-board antenna and U.FL connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131C/RM481 | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 11000Kbps 44-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131C/RM481 | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 11000Kbps 44-Pin Tray | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131C/RM481 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 ULP WiFi 802.11 b/g U.FL connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131C/RM481 | Microchip Technology | Description: RX TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL SMD | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131C/RMHWD350 | Microchip Technology | Microchip Technology | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 1000Kbps 44-Pin SMD Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM | Microchip | 44 MODULE 38X20X4MULP WIFI 802.11 B/G SURFACE MOUNT MODULE WITH ON-BOARD AN кількість в упаковці: 20 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM Код товару: 59067
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN131G-I/RM | Microchip Technology | Description: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL SMD Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Memory Size: 8MB Flash, 2MB ROM, 128kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -85dBm Package / Case: Module Packaging: Tray Part Status: Active Serial Interfaces: SPI, UART RF Family/Standard: WiFi Modulation: CDK, DBPSK, DQPSK, DSSS, OFDM Antenna Type: Integrated, Chip + U.FL Current - Transmitting: 140mA Current - Receiving: 40mA Protocol: 802.11b/g Data Rate: 54Mbps Power - Output: 18dBm Voltage - Supply: 3.3V DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131G-I/RM | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 1000Kbps 44-Pin SMD Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 WiFly GSX 802.11b/g Mod, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM245 | Microchip Technology | Microchip Technology | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM441 | Microchip Technology | Microchip Technology ULP WiFi 802.11 b/g surface mount module with on-board antenna and UFL connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM441 | Microchip Technology | WIFLY GSX 802.11 b/g WIRELESS LAN MODULE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM475 | Microchip Technology | Description: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -85dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Memory Size: 8MB Flash, 2MB ROM, 128kB RAM Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3V ~ 3.7V Power - Output: 18dBm Data Rate: 54Mbps Protocol: 802.11b/g Current - Receiving: 40mA Current - Transmitting: 140mA Antenna Type: Integrated, Chip + U.FL Modulation: CDK, DBPSK, DQPSK, DSSS, OFDM RF Family/Standard: WiFi Serial Interfaces: SPI, UART Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131G-I/RM475 | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 11000Kbps 44-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM475 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 ULP WiFi 802.11 Module w on brd Ant | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM475 | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 11000Kbps 44-Pin Tray | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131G-I/RM480 | Microchip Technology | WiFi Modules (802.11) ULP WiFi 802.11 b/g surface mount module with on-board antenna and UFL connector | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM481 | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 11000Kbps 44-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM481 | Microchip Technology | Module 802.11b/g 2.48GHz 11000Kbps 44-Pin Tray | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN131G-I/RM481 | Microchip Technology | Description: RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT UFL | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN131G-I/RM481 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 ULP WiFi 802.11 b/g nUFL connector | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN134-I/RM | Microchip Technology | Description: RX TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN13JTN242 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1400 | TOSHIBA | 04+ SOT23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401 | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 43300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1401 LXHF | Toshiba | SOT346S-MINI 50V NPN BRT TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401(CT5L | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1401(CT5L.T) | NEC | N/A 05+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401(T5L,F,T) | TOSHIBA | 01+ | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401(T5L. | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1401(T5L.T) | TOSHIBA | SOT-23 05+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401(T5R,F,T) | TOSHIBA | (SOT23) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401(TE85L,ND) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 1515 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401(TE85LF) | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401(XA) | на замовлення 1032 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1401,LF | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm | на замовлення 10822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401,LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401,LF | Toshiba | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI TO-236 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 23630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LF(B | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1613 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401,LF(T | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1401,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1401,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1401,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1401,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) | на замовлення 8666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1401,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1401,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401LF(T | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

