Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS3107-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107-7P | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS3107-7P - AUIRFS3107 55V-60V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 260A 2.6 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 260A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS3107TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS3107TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | MOSFET 75V 230A 3 mOhm Automotive MOSFET | на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS3206 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3206 | Infineon / IR | MOSFET 60V 210A 3 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3206 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS3206 - AUIRFS3206 55V-60V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3206TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3206TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3206TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3206TRL | Infineon Technologies | MOSFETs 60V 210A 3 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3206TRL-IR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3206TRR | Infineon Technologies | MOSFET 60V 210A 3 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3207Z | Infineon / IR | MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3207Z | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS3207Z - AUIRFS320 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3207Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3207Z-INF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3207ZTRL | Infineon / IR | MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3207ZTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3207ZTRR | Infineon / IR | MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306 | Infineon / IR | MOSFET Auto 60V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | MOSFET Auto 60V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS3306TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3306TRR | Infineon Technologies | MOSFET Auto 60V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3307Z | Infineon Technologies | MOSFET 75V 120A 5.8 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3307Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3307ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET 75V 120A 5.8 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3307ZTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3307ZTRR | Infineon / IR | MOSFET 75V 120A 5.8 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3607 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3607 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS3607TRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS3607TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3806 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS3806 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3806 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3806 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3806TRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3806TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3806TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET_)40V,60V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS3806TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS4010 - AUIRFS4010 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010 | Infineon Technologies | MOSFET 100V 170A 4.7 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 190A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010-7P Код товару: 185354
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AUIRFS4010-7P | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS4010-7P - AUIRFS4010 120V-300V N-CHANNEL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010-7P | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 190A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010-7TRL | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010-7TRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4010TRL | Infineon Technologies | MOSFET 100V 170A 4.7 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115 | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(120V 300V) | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115-7P Код товару: 107776
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AUIRFS4115-7P | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(120V 300V) | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115-7P | International Rectifier | Description: AUIRFS4115 - 120V-300V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4115-7P | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS4115-7P - AUIRFS4115 120V-300V N-CHANNEL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 93 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115-7P | Infineon Technologies | Description: AUIRFS4115 - 120V-300V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 35170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4115-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(120V,300V) Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4115-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115-7TRL | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(120V 300V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115TRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115TRL | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(120V 300V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4115TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 99A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4127 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4127 | Infineon / IR | MOSFET MOSFET_(120V 300V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4127TRL | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS4127TRL - AUIRFS4127 120V-300V N-CHANNEL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 73 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4127TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4127TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4127TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4127TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4127TRL | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(120V 300V) | на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4127TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AUIRFS4127TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AUIRFS4310 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |