Продукція > DTC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC123EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.31 грн
500+5.76 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohmЦифровой транзистор 2.2/2.2 кОм, SC-75-3, SOT-416 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLROHMDescription: ROHM - DTC123EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 165065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6522+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 165365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1573+17.16 грн
2000+10.75 грн
3000+7.94 грн
6000+6.78 грн
24000+6.08 грн
96000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 1573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-416
на замовлення 6118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.74 грн
23+14.18 грн
100+7.73 грн
500+5.71 грн
1000+5.09 грн
3000+5.02 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
43+9.90 грн
100+6.20 грн
500+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAROHMSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKA
Код товару: 129643
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKA-T146
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146RohmТранзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 20 @ 20 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 мА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 1405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 35340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1170+12.10 грн
1911+7.40 грн
2623+5.39 грн
3013+4.53 грн
3887+3.25 грн
6000+2.89 грн
9000+2.36 грн
15000+2.26 грн
21000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 1170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.21 грн
100+5.67 грн
500+3.89 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146
Код товару: 217155
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146RohmЦифровой транзистор 2.2/2.2 кОм, SC-59, SOT-346 Транзистори
на замовлення 69 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
38+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2505+5.65 грн
2578+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.14 грн
6000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC123EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.09 грн
33+9.78 грн
100+5.30 грн
500+3.90 грн
1000+3.41 грн
3000+2.79 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM FS6T2LROHMSOT23/SOT323
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.21 грн
30+10.82 грн
100+5.85 грн
500+4.32 грн
1000+3.34 грн
5000+2.58 грн
8000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4190+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 4190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GON Semiconductor
на замовлення 6060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 158573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.66 грн
10831+3.26 грн
100000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1021+13.86 грн
1352+10.47 грн
2000+8.67 грн
5000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.66 грн
10831+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
2000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VMT T/R
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2565+5.52 грн
2646+5.35 грн
5000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2565+5.52 грн
2646+5.35 грн
5000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMHZGT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.35 грн
24+13.54 грн
100+7.39 грн
500+5.43 грн
1000+4.32 грн
5000+3.48 грн
8000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.68 грн
100+7.93 грн
500+5.49 грн
1000+4.86 грн
2000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMHZGT2LRohm SemiconductorDTC123EMHZGT2L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1345+24.70 грн
2000+15.56 грн
5000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 31990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2505+5.65 грн
2578+5.49 грн
5000+5.34 грн
10000+5.02 грн
25000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.04 грн
100+11.40 грн
500+7.98 грн
1000+7.10 грн
2000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors DGTL NPN 50V 100MA
на замовлення 14647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.46 грн
17+19.23 грн
100+10.59 грн
500+7.94 грн
1000+6.27 грн
5000+4.53 грн
8000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LROHM05+ SOT523
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 15204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7693+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 7693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ESATPROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUR0HM09+
на замовлення 62318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU T106ROHMSOT23
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.04 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
920+15.39 грн
1440+9.83 грн
1916+7.38 грн
2219+6.15 грн
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.68 грн
100+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+8.70 грн
150+5.45 грн
334+2.44 грн
500+2.04 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 0.1A 2.2kO SOT-323
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.70 грн
19+17.55 грн
100+9.68 грн
500+6.13 грн
1000+4.53 грн
3000+3.76 грн
6000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1340+10.56 грн
2159+6.55 грн
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 1340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+12.60 грн
85+9.59 грн
169+4.82 грн
500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1421+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 6312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+9.89 грн
2270+6.23 грн
3139+4.51 грн
3624+3.76 грн
4226+2.99 грн
6000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.98 грн
39+8.25 грн
100+4.46 грн
500+3.20 грн
1000+2.86 грн
3000+2.30 грн
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.59 грн
169+4.82 грн
500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
54+7.88 грн
80+5.28 грн
100+4.46 грн
500+3.14 грн
1000+2.75 грн
3000+2.31 грн
6000+2.10 грн
9000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 7576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.31 грн
4412+3.21 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.77 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUAROHMSOT-323
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUAYangjie Electronic TechnologyDTC123EUA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUA-T106
на замовлення 706 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EUAT106SOT323-22ROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU\22ROHMSOT-323
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAYangjie Electronic TechnologyDigital Transistors (Built-in Resistors)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9741+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 9741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAYangjie TechnologyDescription: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.51 грн
15000+1.38 грн
30000+1.31 грн
60000+1.16 грн
120000+1.02 грн
300000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]