Продукція > DTC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC123EE
Код товару: 139287
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
31+9.72 грн
38+7.90 грн
100+5.47 грн
250+4.52 грн
500+3.93 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE-TPMicro Commercial ComponentsPre-Biased Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1132+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 1132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
24+12.56 грн
100+7.85 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+16.75 грн
1364+10.40 грн
1866+7.60 грн
2174+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.99 грн
100+6.84 грн
500+4.73 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC123EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTLRohmЦифровой транзистор NPN 100MA 50V, SC-89, SOT-490 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1471+12.57 грн
2000+9.43 грн
3000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA; 50V EMT3F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+12.26 грн
1873+7.57 грн
2560+5.54 грн
2907+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 1157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EEFRATLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17143+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 17143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17143+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 17143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123EET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
41+7.33 грн
100+4.50 грн
500+3.07 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 32888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17143+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 17143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GOn SemiconductorЦифровой транзистор NPN, 2.2/2.2 кОм, SC-75-3, SOT-416 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 165065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6522+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohmЦифровой транзистор 2.2/2.2 кОм, SC-75-3, SOT-416 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 165365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1573+17.20 грн
2000+10.77 грн
3000+7.96 грн
6000+6.80 грн
24000+6.09 грн
96000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 1573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.11 грн
43+9.81 грн
100+6.14 грн
500+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.16 грн
100+8.23 грн
500+5.71 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-416
на замовлення 6118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLROHMDescription: ROHM - DTC123EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAROHMSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKA
Код товару: 129643
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKA-T146
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146
Код товару: 217155
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146RohmЦифровой транзистор 2.2/2.2 кОм, SC-59, SOT-346 Транзистори
на замовлення 69 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
69+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2505+5.66 грн
2578+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC123EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146RohmТранзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 20 @ 20 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 мА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 1685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.12 грн
100+5.62 грн
500+3.86 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 35340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1170+12.12 грн
1911+7.42 грн
2623+5.41 грн
3013+4.54 грн
3887+3.26 грн
6000+2.90 грн
9000+2.37 грн
15000+2.27 грн
21000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 1170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM FS6T2LROHMSOT23/SOT323
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 158573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.67 грн
10831+3.27 грн
100000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1021+13.89 грн
1352+10.49 грн
2000+8.68 грн
5000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 1021 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
30+10.10 грн
100+6.25 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
2000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.67 грн
10831+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4190+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 4190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VMT T/R
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2565+5.53 грн
2646+5.36 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2565+5.53 грн
2646+5.36 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMHZGT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMHZGT2LRohm SemiconductorDTC123EMHZGT2L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
24+12.56 грн
100+7.85 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
2000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 31990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2505+5.66 грн
2578+5.50 грн
5000+5.35 грн
10000+5.03 грн
25000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+17.87 грн
100+11.29 грн
500+7.91 грн
1000+7.04 грн
2000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 15204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7693+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 7693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors DGTL NPN 50V 100MA
на замовлення 14647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1345+24.76 грн
2000+15.59 грн
5000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 1345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123ESATPROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU09+
на замовлення 62318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123EU T106ROHMSOT23
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.