Продукція > MUN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MUN5334DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 29907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.34 грн
100+6.44 грн
500+4.43 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5334DW1T1GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 26376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5334DW1T1G
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5334DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.39 грн
6000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1onsemionsemi SS SC88 BR XSTR DL SPCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1MOTOROLA23
на замовлення 60100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1ON05+
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1/35
на замовлення 188900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3371+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.39 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
42+10.15 грн
60+6.99 грн
100+5.94 грн
500+4.11 грн
1000+3.54 грн
1500+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.36 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5335DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+8.87 грн
124+6.12 грн
134+5.65 грн
140+5.20 грн
250+4.60 грн
500+4.19 грн
1000+3.98 грн
3000+3.77 грн
6000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2748+5.15 грн
2891+4.89 грн
3043+4.65 грн
3212+4.25 грн
6000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 2748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.01 грн
500+4.14 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.35 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5335DW1T2G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+13.11 грн
2000+8.83 грн
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5335DW1T2GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5335DW1T2G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.51 грн
75+10.89 грн
111+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5336DW1T1GON Semiconductor
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5336DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5336DW1T1GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN / PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.22 грн
39+10.82 грн
100+8.39 грн
500+5.84 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5336DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
30+10.34 грн
100+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5336DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4673+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 4673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5336DW1T1GonsemiDigital Transistors Complementary NPN+PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5336DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5336DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5338DW1T3GON Semiconductor4.7k, 10k Complementary Bias Resistor Transistors Consumer Industrial Qualified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5338DW1T3GonsemiDigital Transistors 4.7kO, 10kO Complementary Bias Resistor Transistors
на замовлення 18884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5338DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5338DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.75 грн
20000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17