Продукція > RN1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1401LXGF(T | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401S,LF(D | Toshiba | Transistor Silicon NPN Epitaxial Type | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1401T5LFT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1401TE85L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1401TE85L.F | на замовлення 2630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1401TE85R(XA) | на замовлення 8830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1402 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402 LXHF | Toshiba | SOT346S-MINI 50V NPN BRT TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402(T5LCANO,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 2855 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402(TE85L | на замовлення 2513 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1402(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 4181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402(TE85LF) | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402(TE85R) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1402(TL85L,ND,F) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402(XB) | на замовлення 39825 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1402,LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 25915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402,LF | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm | на замовлення 12761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402,LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402,LF(B | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402,LF(T | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1583 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1402,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 51645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1402,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 51645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1402,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1402,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) | на замовлення 8720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402,LXHF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1402,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1402,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402/TE85L | TOSHIBA | SOT-23 04+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402/XB | TOSHIBA | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1402=DTC114EK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1402LF(T | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402LXGF(T | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402S,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402S,LF(D | Toshiba | Transistor Silicon NPN Epitaxial Type | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1402S,LF(D) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.1A 10 kOhm 100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402T5LFT | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1402T5LFT | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1402TE85L | на замовлення 80900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1402TE85L(XB) | на замовлення 287744 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1402XB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1403 | TOSHIBA | 06+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403 LXHF | Toshiba | SOT346S-MINI 50V NPN BRT TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403(T5LND) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 3007 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 468 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1403(TE85LF) | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403(XC) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1403,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1403,LF | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm | на замовлення 9068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403,LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403,LF(T | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1389 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403,LF(T | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 789 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1403,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1403,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1403,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1403,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1403,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1403,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) | на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1403,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1403,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1403,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1403/XC | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RN1403=DTC124EK | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1403LXGF(T | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403T5LFT | Toshiba | Digital Transistors NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1403TE85L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1404 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404 LXHF | Toshiba | Digital Transistors SOT346S-MINI 50V NPN BRT TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404(T5L,T) | на замовлення 1592 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1404(T5L,T) | Toshiba | Digital Transistors S-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404(TE85L) | на замовлення 1021 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN1404(TE85L) | Toshiba | Digital Transistors S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1404(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404(TE85L,F) | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404(TE85L,OKI) | Toshiba | Digital Transistors S-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404(TE85LF) | Toshiba | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404(XD) | TOSHIBA | 99+ | на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1404,LF | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404,LF | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm | на замовлення 17790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404,LF(T | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 887 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1404,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1404,LXGF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1404,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1404,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 29980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1404,LXHF | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) | на замовлення 5690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN1404,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1404,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1404,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1404,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1404,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RN1404-XD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

