Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1418T-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PCP | на замовлення 322002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1419 | onsemi | BIP PNP 1.5A 160V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419 | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1419S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419S-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419S-TD-E | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Type of transistor: PNP Mounting: SMD Collector current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 160V Frequency: 120MHz Current gain: 140...280 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419S-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 Verlustleistung: 1.5 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419S-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419S-TD-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419S-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419T-TD-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V | на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419T-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419T-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-E - TRANS, BIPOLAR, PNP, 160V, 1.5A, SOT-89 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419T-TD-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SA1419 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419T-TD-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V | на замовлення 1639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419T-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1419T-TD-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA142 | NEC | CAN | на замовлення 865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1424 | NEC | SOT23 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1424-T2B | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1425-Y,T2F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.8A MSTM Packaging: Bulk Package / Case: SC-71 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: MSTM Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1428 Код товару: 152652
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-33 Гранична частота fT, МГц: 100 МГц Напруга Uке, В: 50 В Напруга Uкб, В: 50 В Струм Iк, А: 2 А | товару немає в наявності
|
| ||||||
| 2SA1428-O,T2CLAF(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A MSTM Packaging: Bulk Package / Case: SC-71 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MSTM Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1428-O,T2CLAF(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A MSTM Packaging: Bulk Package / Case: SC-71 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MSTM Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1428-O,T2WNLF(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A MSTM Packaging: Bulk Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MSTM Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: SC-71 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1428-Y(F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1428-Y(T2TR,A,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A MSTM Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MSTM Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: SC-71 Packaging: Bulk Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1428-Y(TPF2) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT MSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1428-Y,T2F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A MSTM Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: SC-71 Packaging: Bulk Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MSTM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1428-Y,T2F(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A MSTM Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MSTM Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: SC-71 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1429-Y(T2OMI,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 80V 2A MSTM Packaging: Bulk Package / Case: SC-71 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: MSTM Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1429-Y(T2TR,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 80V 2A MSTM Packaging: Bulk Package / Case: SC-71 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: MSTM Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA142H | на замовлення 3689 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA143 | NEC | CAN | на замовлення 498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1434-TB-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin CP | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1434-TB-E | onsemi | Description: BIP PNP 0.1A 50V Packaging: Bulk | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1434-TB-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1434-TB-E - 2SA1434-TB-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1435 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 0.3A 3-Pin NP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1435 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1435 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1435-AA | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.3A TO-220ML Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Supplier Device Package: TO-220ML Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1435-AA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1435-AA - 2SA1435-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1435-AA | ON Semiconductor | 2SA1435-AA | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1436 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1437 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1438 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA144 | NEC | CAN | на замовлення 458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1441 Код товару: 152653
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Напруга Uке, В: 60 В Напруга Uкб, В: 100 В Струм Iк, А: 5 А | товару немає в наявності
|
| |||||||
| 2SA1441 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1441(016)-S6-AZ | Renesas | 2SA1441(016)-S6-AZ | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1441(016)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1441(2)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1441(2)-S6-AZ | Renesas | 2SA1441(2)-S6-AZ | на замовлення 6084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1441(5)-S6-AZ | Renesas | 2SA1441(5)-S6-AZ | на замовлення 6805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1441(5)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1442 | NEC | TO220/ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1443 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1443 Код товару: 43503
Додати до обраних
Обраний товар
| SAV | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220F Гранична частота fT, МГц: 80 МГц Напруга Uке, В: 60 В Напруга Uкб, В: 100 В Струм Iк, А: 10 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 400 Примітка: 30 Вт | товару немає в наявності
|
| ||||||
| 2SA1443(1)-S6-AZ | Renesas | 2SA1443(1)-S6-AZ | на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1443(1)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: 10A, 100V, PNP Packaging: Bulk | на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1444 | NEC | 09+ | на замовлення 10108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1444(3)-S6 | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA145 | NEC | CAN | на замовлення 369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1450 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1450S-AA | onsemi | Description: 0.5A, 80V, PNP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1450T | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1450T-AA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1450T-AA - 2SA1450T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1450T-AA | ON Semiconductor | Trans RF BJT PNP 80V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1450T-AA | ON Semiconductor | Trans RF BJT PNP 80V | на замовлення 20573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1450T-AA | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A 3-NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 30973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1451A-Y | TOSHIBA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SA1455K | ROHM | SOT-3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1455K-S/GS | NO | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SA1455KT146R | ROHM | SOT23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1458 | NEC | TO92S | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1458TO92S | NEC | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SA146 | на замовлення 3689 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1460 | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1460-T-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1461 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1461-T2B | TOSHIBA | OT23-Y23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1461-T2B OT23-Y23 | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SA1461-T2B-A | Renesas | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 200mW T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1461-T2B-A | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS PNP 40V 510MHZ SC-59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 510MHz Supplier Device Package: SC-59 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1461-T2BSOT23-Y23 | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SA1462-T1B | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SA1462-T1B-A | Renesas | Trans GP BJT PNP 15V 0.05A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1048235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1462-T1B-A | Renesas | Trans GP BJT PNP 15V 0.05A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 469139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1462-T1B-A | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANS PNP 15V 0.05A SC-59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 1.8GHz Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 1519374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1462-T1B/Y33 | NEC | на замовлення 4315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SA1462-T2 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SA1462-T2B | SANYO | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1463 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SA1463-T1-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: TRANS PNP 45V 1A SC-62 Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SC-62 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 2 W | на замовлення 93421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1463-T1-AZ | Renesas | Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold T/R | на замовлення 93405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| 2SA1463-T1/1K/IK | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SA1464 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

