Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1404/XDTOSHIBA09+
на замовлення 24018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404<TE85L,F>TOSHIBASOT23
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404=DTC144EK
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404LXGF(TToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404S,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404S,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k
на замовлення 4856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404S,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404T5LFTToshibaDigital Transistors NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404TE85L
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404TE85L(XD)
на замовлення 11285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404TE85LFToshibaDigital Transistors X34 Pb-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404TE85R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404\XDTOSHIBASOT-23
на замовлення 24100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405TOSHIBASOT23
на замовлення 32600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405(T5LCANO,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 8807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.27 грн
2014+7.02 грн
2500+6.82 грн
5000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.27 грн
2014+7.02 грн
2500+6.82 грн
5000+6.40 грн
10000+5.78 грн
25000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405(XE)
на замовлення 7044 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.00 грн
100+4.97 грн
500+3.40 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LFToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LFToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LF(BToshibaRN1405,LF(B
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LF(BToshibaBipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1405,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 39990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+12.60 грн
101+8.06 грн
153+5.33 грн
500+3.56 грн
1000+2.85 грн
5000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1405,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 39990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.60 грн
101+8.06 грн
153+5.33 грн
500+3.56 грн
1000+2.85 грн
5000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1405,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
9000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1405,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.61 грн
124+6.58 грн
159+5.14 грн
500+3.76 грн
1500+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1405,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
9000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1405,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.61 грн
124+6.58 грн
159+5.14 грн
500+3.76 грн
1500+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHFToshibaRN1405,LXHF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.91 грн
100+8.05 грн
500+5.58 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1405,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.78 грн
42+19.43 грн
100+11.54 грн
500+6.59 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1405,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.54 грн
500+6.59 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405/T5LTOSHIBA98+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405/XETOSHIBA09+
на замовлення 20518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405S,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405T5LFTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1405T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406 LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V NPN BRT TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(T5LCANO,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(T5LND,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1274+11.11 грн
1316+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 1274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85L.F
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85LF)ToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406(TE85LF)SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LFToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.23 грн
100+5.09 грн
500+3.48 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LFToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 4.7kohm
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LF(BToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LF(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1701+8.32 грн
2064+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 1701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1406,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1406,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1406,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.45 грн
500+6.57 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1406,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.79 грн
48+16.99 грн
100+8.45 грн
500+6.57 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406/XF
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406=DTC143ZK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406LF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406LXGF(TToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406S,LF(DToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5085+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 5085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406S,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406T5LFTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406TE85L
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407(TE85L)TOSHIBASOT23-XH
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+14.11 грн
1037+13.64 грн
2500+13.24 грн
5000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407(TE85LF)SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407(XH)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LFToshibaDigital Transistors 10kohm /47kohm 50V 0.1A TO-236MOD
на замовлення 5683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+7.02 грн
100+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.87 грн
115+7.13 грн
185+4.41 грн
500+2.99 грн
1500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF(TToshibaSilicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 792 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.87 грн
115+7.13 грн
185+4.41 грн
500+2.99 грн
1500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
23+13.66 грн
100+8.51 грн
500+5.90 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.79 грн
48+16.99 грн
100+8.45 грн
500+6.57 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.45 грн
500+6.57 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407<TE85L,F>TOSHIBASOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407?TE85R?TOSHIBASOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]