Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF36ER100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 500MA 580 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 580mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 45MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 500 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 275mA 1.8Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 275MA 1.8 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.8Ohm Max
Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 4.8MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 275 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER102KVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 100MA 17.4 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 17.4Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER1R0KVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 920MA 240 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 240mOhm Max
Q @ Freq: 45 @ 25.2MHz
Frequency - Self Resonant: 140MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 920 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER1R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 790MA 320 MOHM
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 320mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 121MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 790 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 40 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 9.9MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 155 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER270JVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 940mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 7.6MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Supplier Device Package: Axial
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 390 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER270JVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 940mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 7.6MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Supplier Device Package: Axial
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 390 mA
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
26+11.90 грн
28+11.06 грн
50+9.77 грн
100+9.22 грн
250+8.53 грн
500+7.91 грн
1000+7.46 грн
2500+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 940mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 7.6MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 390 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER271KVishay DaleDescription: FIXED IND 270UH 146MA 5.8 OHM TH
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.8Ohm Max
Q @ Freq: 65 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 2.8MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Inductance: 270 µH
Current Rating (Amps): 146 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 750MA 350 MOHM
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 110MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 750 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER330KVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 370MA 1.03 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.03Ohm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 6.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER331KVishay DaleDescription: IRF-36 330 10% ER E3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER3R3JVishayRF inductors - Leaded 3.3 UH 5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER470KVishay / DaleRF inductors - Leaded 47uH 10%
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.22Ohm Max
Q @ Freq: 45 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 6.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 340 mA
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.08 грн
29+10.62 грн
31+9.85 грн
50+8.71 грн
100+8.21 грн
250+7.59 грн
500+7.04 грн
1000+6.64 грн
2500+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
Current Rating (Amps): 126 mA
Inductance: 470 µH
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 2.25MHz
Q @ Freq: 60 @ 796kHz
DC Resistance (DCR): 7.7Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER4R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 620MA 390MOHM TH
Current Rating (Amps): 620 mA
Inductance: 4.7 µH
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 80MHz
Q @ Freq: 70 @ 7.96MHz
DC Resistance (DCR): 390mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER4R7KVishayRF inductors - Leaded 4.7 UH 10%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER561KVishay DaleDescription: IRF-36 560 10% ER E3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 306MA 1.47 OHM TH
DC Resistance (DCR): 1.47Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Current Rating (Amps): 306 mA
Inductance: 68 µH
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 5.7MHz
Q @ Freq: 40 @ 2.52MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER821KVishay DaleDescription: FIXED IND 820UH 100MA 12 OHM TH
Current Rating (Amps): 100 mA
Inductance: 820 µH
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 1.85MHz
Q @ Freq: 55 @ 796kHz
DC Resistance (DCR): 12Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER8R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 8.2UH 530MA 520MOHM TH
Current Rating (Amps): 530 mA
Inductance: 8.2 µH
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 53MHz
Q @ Freq: 70 @ 7.96MHz
DC Resistance (DCR): 520mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36RU151JVishayFixed Inductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703International RectifierN-MOSFET HEXFET 30V 210A 230W 0,0024Ω IRF3703 TIRF3703
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF
Код товару: 33794
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 210 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0028 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+108.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+174.05 грн
1000+163.46 грн
10000+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+174.05 грн
1000+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+174.05 грн
1000+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInternational RectifierDescription: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 7666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+136.26 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+174.05 грн
1000+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704
Код товару: 18284
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704IRTO-220AB
на замовлення 16540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704SInfineon / IRMOSFETs MOSFET, 20V, 64A, 9 mOhm, 19 nC Qg, D2-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704SPBF
Код товару: 38392
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704STRLIOR2000
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704STRRIR01+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1996 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704Z
Код товару: 99465
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 47 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+30.50 грн
10+26.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZCLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 67A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZCSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZCSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZCSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 67A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.18 грн
500+132.89 грн
1000+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZCSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 67A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.18 грн
500+132.89 грн
1000+123.48 грн
10000+105.73 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZCSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 67A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.18 грн
500+132.89 грн
1000+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZCSTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZCSTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 67A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 67A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 67A 7.9mOhm 8.7nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZS
Код товару: 99466
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 47 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZSPBF
Код товару: 38393
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.1mOhms 8.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3704ZSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706IRF3706 Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706IRF3706 Транзисторы HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706SPBFIR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706SPBFInternational RectifierN-кан. MOSFET 20V, 77A, 0.0085Ом, 88Вт, D2PAK (HEXFET) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3706STRRPBFIT
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3707Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3707IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3707LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 62A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3707LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 62A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3707PBFIR09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3707PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]