Продукція > DTC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 2646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 747 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC123JEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC123JEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 23092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.19 грн
10000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.19 грн
10000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1 - DTC123JET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 36969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GON-SemiconductorPrebias NPN 200mW 100mA 50V DTC123JET1G ONSemiconductor TDTC123jet
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 36969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
46+6.51 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.16 грн
100+8.23 грн
500+5.71 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 28947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
810+17.52 грн
1287+11.02 грн
1799+7.88 грн
2017+6.78 грн
3000+5.22 грн
6000+4.45 грн
9000+3.25 грн
15000+3.22 грн
21000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 810 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-416
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohmЦифровой транзистор NPN, 2.2/2.2 кОм, SC-75-3, SOT-416 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 28947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.89 грн
44+17.52 грн
100+11.02 грн
500+7.60 грн
1000+6.28 грн
3000+5.01 грн
6000+4.45 грн
9000+3.25 грн
15000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
Frequency: 250MHz
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
67+6.23 грн
100+4.53 грн
500+3.81 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 31198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2703+5.24 грн
2783+5.09 грн
5000+4.96 грн
10000+4.67 грн
25000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 2703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 2646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKROHM
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKARohmТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAROHM09+
на замовлення 156018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKARectron USADescription: TRANS PRE-BIASED 200MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 46.2 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKA T146ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAFROHMSOT23
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.76 грн
65+11.77 грн
100+7.80 грн
500+5.45 грн
1000+4.34 грн
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC123JKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2930+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 2930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1205+11.77 грн
1819+7.80 грн
2509+5.65 грн
2919+4.68 грн
3417+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 1205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC123JKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 51130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
28+10.69 грн
100+6.63 грн
500+4.56 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2605+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 2605 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146RohmТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.69 грн
6000+3.19 грн
9000+3.00 грн
15000+2.61 грн
21000+2.50 грн
30000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146 (SOT-346(SC-59), Rohm) 100mA 50V
Код товару: 60566
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMROHM08+ T2L
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM FS6T2LROHMSOT23/SOT323
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM-TPMicro Commercial CoDescription: NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc 12Vin 100mA 100mW 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM-TPMicro Commercial CoDescription: NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.67 грн
10831+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 110845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 142845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.67 грн
10831+3.27 грн
100000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
26+11.89 грн
100+5.81 грн
500+4.55 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LROHMDescription: ROHM - DTC123JMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-723 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 7119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2565+5.53 грн
2646+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LROHMDescription: ROHM - DTC123JMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMHZGT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMHZGT2LRohm SemiconductorDTC123JMHZGT2L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1R2 LEAK ABSORPTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
24+12.56 грн
100+7.85 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
2000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1R2 LEAK ABSORPTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT22ROHMSOT523
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1316+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.79 грн
100+8.02 грн
500+5.55 грн
1000+4.91 грн
2000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LROHMDescription: ROHM - DTC123JMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 22447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2505+5.66 грн
2578+5.50 грн
5000+5.35 грн
10000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors DGTL NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMЎЎT2LROHM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JSA TPROHMTO92
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JSATPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUROHMSOT323
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC123JU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.05
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.1A 2.2kO SOT-323
на замовлення 16627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
25+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.