Продукція > DTC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC123JKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.09 грн
33+9.78 грн
100+5.30 грн
500+3.90 грн
1000+3.41 грн
3000+2.79 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146RohmТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC123JKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.35 грн
133+6.14 грн
500+4.02 грн
1500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 44171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.21 грн
100+5.67 грн
500+3.89 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1174+12.05 грн
1936+7.31 грн
2596+5.45 грн
2971+4.59 грн
3704+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 1174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC123JKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.36 грн
87+9.35 грн
133+6.14 грн
500+4.02 грн
1500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 6370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+12.54 грн
2000+7.81 грн
3000+7.78 грн
6000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.14 грн
6000+2.70 грн
9000+2.54 грн
15000+2.21 грн
21000+2.11 грн
30000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2505+5.65 грн
2578+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAT146 (SOT-346(SC-59), Rohm) 100mA 50V
Код товару: 60566
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMROHM08+ T2L
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM FS6T2LROHMSOT23/SOT323
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM-TPMicro Commercial CoDescription: NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc 12Vin 100mA 100mW 150MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM-TPMicro Commercial CoDescription: NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
Quantity in set/package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 142845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.66 грн
10831+3.26 грн
100000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.35 грн
25+13.06 грн
100+5.85 грн
500+4.32 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GON Semiconductor
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 110845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9678+3.66 грн
10831+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 9678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
26+12.00 грн
100+5.86 грн
500+4.59 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LROHMDescription: ROHM - DTC123JMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.96 грн
113+7.22 грн
500+4.72 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2565+5.52 грн
2646+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 2565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-723 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 7119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.09 грн
33+9.78 грн
100+5.30 грн
500+3.90 грн
1000+3.00 грн
5000+2.79 грн
8000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LROHMDescription: ROHM - DTC123JMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+16.09 грн
55+14.96 грн
113+7.22 грн
500+4.72 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMFHAT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMHZGT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.35 грн
24+13.54 грн
100+7.39 грн
500+5.43 грн
1000+4.32 грн
5000+3.48 грн
8000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1R2 LEAK ABSORPTI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.68 грн
100+7.93 грн
500+5.49 грн
1000+4.86 грн
2000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1R2 LEAK ABSORPTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMHZGT2LRohm SemiconductorDTC123JMHZGT2L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT22ROHMSOT523
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LROHM
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 22447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2505+5.65 грн
2578+5.49 грн
5000+5.34 грн
10000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 19911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.85 грн
100+7.40 грн
500+5.13 грн
1000+4.54 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors DGTL NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LROHMDescription: ROHM - DTC123JMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-105AA
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.05 грн
73+11.14 грн
117+6.98 грн
500+4.80 грн
1000+3.50 грн
5000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.62 грн
16000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1316+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JMЎЎT2LROHM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JSA TPROHMTO92
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JSATPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SPT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUROHMSOT323
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.1A 2.2kO SOT-323
на замовлення 17630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.70 грн
25+12.90 грн
100+7.04 грн
500+5.16 грн
1000+4.53 грн
3000+3.76 грн
9000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.08 грн
100+7.53 грн
500+5.21 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC123JU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.05
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC123JU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC123JU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.05 грн
152+5.36 грн
500+4.06 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 12284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4110+3.44 грн
4226+3.35 грн
5000+3.25 грн
10000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 4110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1413+10.01 грн
2273+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 1413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.77 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC123JU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.98 грн
74+11.05 грн
152+5.36 грн
500+4.06 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 25300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4110+3.44 грн
4226+3.35 грн
5000+3.25 грн
10000+3.06 грн
25000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 4110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.1A 2.2kO SOT-323; SC-70; UMT3
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.98 грн
39+8.25 грн
100+4.46 грн
500+3.20 грн
1000+2.86 грн
3000+2.30 грн
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1421+10.56 грн
2159+6.55 грн
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAYangjie TechnologyDescription: SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.57 грн
15000+1.43 грн
30000+1.36 грн
60000+1.20 грн
120000+1.06 грн
300000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAYangjie Electronic TechnologyDTC123JUA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9741+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 9741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUA T106ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUA TC06ROHMSOT23
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUA-HFComchip TechnologyDigital Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUA-HFComchip TechnologyDigital Transistors TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 2.2KOhms 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.83 грн
100+5.47 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC123JUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.04
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAFRAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC123JUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q101, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 18841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 21991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+9.23 грн
4088+3.46 грн
4099+3.45 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
26+12.00 грн
100+5.86 грн
500+4.59 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUAT106ROHMDescription: ROHM - DTC123JUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUB TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 11592 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]