Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1407(TE85L)TOSHIBASOT23-XH
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+9.26 грн
1579+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407(TE85LF)SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407(XH)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LFToshibaDigital Transistors 10kohm /47kohm 50V 0.1A TO-236MOD
на замовлення 8769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF(TToshibaSilicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF(TToshibaSilicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+8.35 грн
113+6.70 грн
500+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.28 грн
100+8.29 грн
500+5.74 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1407,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407<TE85L,F>TOSHIBASOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407?TE85R?TOSHIBASOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407LF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1407T5LFTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408TOSSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408 LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V NPN BRT TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(T5L,T)ToshibaDigital Transistors S-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(T5LFT)ToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3113+4.54 грн
3206+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
43+7.09 грн
100+4.38 грн
500+2.98 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LFToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LFToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF(BToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF(BToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1408,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1408,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1408,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1408,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408=DTC124XK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408LF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408LXGF(TToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408TE85R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409TOSHIBA06+ SOT-23
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.38 грн
6000+2.04 грн
9000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LFToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 14443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
43+7.09 грн
100+4.38 грн
500+2.98 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LF(BToshibaRN1409,LF(B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1774+7.98 грн
1834+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 1774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LF(B
Код товару: 103301
Додати до обраних Обраний товар
TOSHIBAТранзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LF(BToshibaRN1409,LF(B
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3312+4.27 грн
3410+4.15 грн
5000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1409,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1409,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1409,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1409,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1409,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1409,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1409TE85R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410TOSHIBASOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410(T5R.M)TOSHIBASOT23-X1K
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410(T5R.M) SOT23-X1KTOSHIBA
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410(TE85L F)TOS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.27 грн
2014+7.02 грн
2500+6.82 грн
5000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410(XK)TOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.38 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
43+7.09 грн
100+4.38 грн
500+2.98 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1410,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1410,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1410,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1410,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1410,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1410,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410-XKTOS
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410/XKTOSHIBA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410SOT23-XKTOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410T5LFTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410TE85L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410TE85LSOT23-XKTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410\XKTOSHIBASOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411(TE85L,F)TOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.59 грн
190+2.25 грн
215+1.98 грн
500+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+14.11 грн
1037+13.64 грн
2500+13.24 грн
5000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 1003 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411(TE85R)TOSHIBASOT23-XM
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]