Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STFW24NM60NSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO-3PH
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW26NM60NSTMicroelectronicsArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Vgs (Max): 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
30+117.82 грн
120+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.54 грн
128+111.03 грн
130+109.03 грн
200+104.91 грн
500+96.93 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW2N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.64 грн
74+191.14 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STTransistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 63W; -50°C ~ 150°C; STFW3N150 TSTFW3N150
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+148.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+309.39 грн
47+302.25 грн
76+186.63 грн
100+164.91 грн
300+133.66 грн
600+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+155.01 грн
600+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STFW3N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.04 грн
30+197.25 грн
120+163.08 грн
510+129.54 грн
1020+120.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+155.01 грн
600+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.92 грн
5+224.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMMOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3PF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.88 грн
10+185.28 грн
25+149.64 грн
100+137.93 грн
300+120.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150
Код товару: 127853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 6102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.00 грн
10+301.86 грн
25+186.38 грн
100+164.70 грн
300+133.49 грн
600+123.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+359.24 грн
50+353.59 грн
100+190.47 грн
500+179.12 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N150??
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N170STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N170STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STFW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW3N170STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.69 грн
30+178.63 грн
120+170.05 грн
510+157.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-PF Tube
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.08 грн
10+274.57 грн
25+247.51 грн
100+236.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2
Код товару: 182296
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-PF Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STFW40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.86 грн
30+259.47 грн
60+236.12 грн
120+203.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW42N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW42N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW45N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
на замовлення 299 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+584.81 грн
40+361.31 грн
100+261.57 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 4 A, Ptot, Вт = 63, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 30, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
30+745.76 грн
120+639.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+413.90 грн
46+312.37 грн
100+261.35 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+206.12 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+466.93 грн
3+384.94 грн
5+356.43 грн
10+319.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+206.12 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.94 грн
10+313.17 грн
100+262.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW60N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 46A ISOWATT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW69N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW69N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.23 грн
30+556.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STFW69N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW6N120K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STFW6N120K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFW8N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFW8N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19