Продукція > BCW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 486 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215 DC-Stromverstärkung hFE: 215 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V PNP | на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT3 | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW30LT3 - BCW30LT3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT3 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30T116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100MA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SST3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SST3 Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30T146 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW30TA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW30_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 258018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 500mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31 BK | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 20V 0.1A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31 TR | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 20V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW31,215 Код товару: 194333
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW31,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW31,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW31 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW31,215 | NXP | Транзистори | на замовлення 14084 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 32315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW31,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW31,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW31 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW31GD1 | ROHM | 96+ 23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31LT1 | на замовлення 5614 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW31R | PHILIPS | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SST3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31TAD1 | ZETEX | 99+ 23 | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW31_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 500mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 32V .1A NPN BJT | на замовлення 10263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW32,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW32,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW32,235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 32V .1A NPN BJT | на замовлення 5428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32235 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BCW32 - SMALL SIGNA Packaging: Bulk | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32D2 | FAIRCHILD | 00+ SOT-23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32GD2 | ROHM | 96+ SOT-23 | на замовлення 24100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32LT1 | ON Semiconductor | Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23 Packaging: Bulk | на замовлення 423000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1 | ON Semiconductor | на замовлення 5773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW32LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 393000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1 - BCW32LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 423000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 7547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 16868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2660 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW32R | T | на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW32T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SST3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32T116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 100MA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32T146 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW32TAD2 | ZETEX | 00+ SOT-23 | на замовлення 18100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW32_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

