Продукція > BSR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSR16,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB Collector-emitter voltage: 60V Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 200MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 0.25W Collector current: 0.6A Pulsed collector current: 0.8A Current gain: 50...300 | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR16/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR16-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR16-QR | Nexperia USA Inc. | Description: IC Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR16-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 600 mA, PNP switching transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR16.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR16.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60V, -800mA, 350mW, SOT-23, SMD tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 15026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR16.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60V, -800mA, 350mW, SOT-23, SMD tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 15026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/DG/B3,215 | NXP Semiconductors | BSR16/DG/B3,215 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/DG/B3215 | NXP | Description: NXP - BSR16/DG/B3215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/DG/B3215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/DG/B4,215 | NXP Semiconductors | BSR16/DG/B4,215 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/DG/B4,215 | Nexperia | BSR16/DG/B4,215 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/DG/B4,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR16/DG/B4,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/DG/B4215 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA BSR16 - SMALL SIGNAL BI Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR16/DG/B4VL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/DG/B4VL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR16/DG/B4VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/DG/B4VL | Nexperia | BSR16/DG/B4VL | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR16/LF1R | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP SOT23 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSR17A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 350 Übergangsfrequenz ft: 300 Bauform - Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A/U92 | NATIONAL | 09+ | на замовлення 45018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A_D87Z | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A_D87Z | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT23 HI-SPD SWITCH - MARK U92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR17A_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18/D76 | ON | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR18A | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR18A - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 503 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18A | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18A | ONS/FAI | PNP SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18A | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18A | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18A/T92 | PHILIPS | на замовлення 38671 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR18A_D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18A_D87Z | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18A_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18B | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18B | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSR18B | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR18R | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSR19 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A T/R | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A,215 | NXP | NPN 160V 0.3A SOT-23 Транзистори | на замовлення 618 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR19A,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR19A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 300MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR19A/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 160V 300MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSR19A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR19A,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 149361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR19A,215 Код товару: 158841
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR19A-QR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 180V .6A NPN BJT | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR19A-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR19A-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR19A-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR20 | на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSR202N | INFINEON | SOT-23 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR202N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR202N L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 3.8A SOT-23-3 | на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1147 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 Код товару: 142665
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59 Case: SC59 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 3.8A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V | на замовлення 2466 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1147 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR202NL6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.033 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR20A | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR20A | NXP | Малосигнальный транзистор SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR20A транзистор Код товару: 106410
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR30 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR30/SOT89/MPT3 | на замовлення 809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 1.35 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 1.35 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR30,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR30-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR30-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR30-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR302KL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR302N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3 | на замовлення 3933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR302NL6327 | Infineon technologies | на замовлення 2351 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59 Case: SC59 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 3.7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SC59-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3 | на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSR302NL6327HTSA1 - BSR302 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR302NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SC59-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR30F | Nexperia USA Inc. | Description: BSR30/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR30F | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSR30/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR30F | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |

