Продукція > BSS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS05-12VARCO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS10PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS100INFINEON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS100onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS100InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS101INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS11PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS110onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS110onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS110INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119infineon03/04+ SOT23
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 E6327INFINEONsSh/23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 E6433Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 E7796Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 E7796Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 E7978Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 E7978Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 86725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3551+9.96 грн
10000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 L7796Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119 L7978Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 86725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2358+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 2358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 29882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.47 грн
20+16.51 грн
100+9.13 грн
500+5.78 грн
1000+5.02 грн
3000+4.39 грн
6000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119N H6327Infineon
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119N H7796Infineon TechnologiesBSS119NH7796
на замовлення 8803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7110+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 7110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119N H7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6918+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 6918 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119N H7796Infineon TechnologiesBSS119NH7796
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7110+4.98 грн
10000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 7110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 190 мA, 10 В, Ugs(th) = 2,3 В @ 13 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 250 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 70723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
100+9.55 грн
500+6.62 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1
Код товару: 118883
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
907+15.60 грн
1450+9.76 грн
1909+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 907 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
6000+4.71 грн
9000+3.96 грн
24000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
6000+4.28 грн
9000+3.60 грн
24000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
6000+4.24 грн
9000+3.56 грн
24000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.11 грн
250+8.86 грн
1000+5.00 грн
5000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6, Rds = 6 Ом, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.26 грн
87+8.70 грн
88+8.62 грн
139+5.26 грн
250+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
33+12.75 грн
50+8.89 грн
100+7.63 грн
500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.42 грн
6000+4.69 грн
9000+4.43 грн
15000+3.88 грн
21000+3.71 грн
30000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
6000+4.71 грн
9000+3.96 грн
24000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.35 грн
25+13.22 грн
100+7.52 грн
500+5.78 грн
1000+5.02 грн
3000+4.25 грн
6000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.90 грн
68+12.11 грн
250+8.86 грн
1000+5.00 грн
5000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1InfineonN-Channel 100V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.54 грн
49+15.60 грн
100+9.76 грн
500+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 18803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4724+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 4724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesBSS119NH7978XTSA1
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2667+13.26 грн
10000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 2667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 98450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1771+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 1771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesBSS119NH7978XTSA1
на замовлення 14450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2667+13.26 грн
10000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 2667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS12PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 456398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.02 грн
500+7.14 грн
1500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
125+3.64 грн
300+1.52 грн
500+1.36 грн
3000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123GOODWORKDescription: 100V 170mA 6@10V SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
53+5.74 грн
100+3.54 грн
500+2.40 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123CHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123Yangzhou Yangjie ElectronicN-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1689000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7178+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 7178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123REALCHIPTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SOT23 RealChip TBSS123 REA
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.59 грн
100+5.94 грн
500+4.08 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.81 грн
6000+1.55 грн
9000+1.45 грн
15000+1.25 грн
21000+1.19 грн
30000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.90 грн
49+15.40 грн
100+10.45 грн
500+7.60 грн
1000+6.10 грн
3000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ONS/FAIN-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
6000+8.19 грн
9000+8.03 грн
12000+7.38 грн
27000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123onsemiMOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 331599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.47 грн
22+14.98 грн
100+8.15 грн
500+6.55 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.92 грн
9000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123Analog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
12+25.51 грн
100+14.46 грн
500+8.58 грн
1000+7.60 грн
3000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.90 грн
6000+1.63 грн
9000+1.52 грн
15000+1.32 грн
21000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123YFWTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.04 грн
46+16.51 грн
100+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1689000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123
Код товару: 220789
Додати до обраних Обраний товар
JCETТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 0,17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 29/1,4
Монтаж: SMD
у наявності: 2000 шт
  • 2000 шт - склад
7+3.00 грн
10+2.20 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123MDD(Microdiode Electronics)Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123FairchildN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 9 12 15 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]