Продукція > DXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.93 грн
5000+8.70 грн
7500+8.27 грн
12500+7.30 грн
17500+7.03 грн
25000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 160V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.34 грн
10+41.12 грн
100+22.71 грн
500+14.98 грн
1000+11.87 грн
2500+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.38 грн
25+17.12 грн
100+13.21 грн
250+11.72 грн
500+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.15 грн
50+34.71 грн
250+23.36 грн
1000+13.54 грн
3000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.50 грн
100+23.67 грн
500+17.02 грн
1000+15.35 грн
2000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.09 грн
10+33.82 грн
100+18.98 грн
500+14.50 грн
1000+11.80 грн
5000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.71 грн
250+23.36 грн
1000+13.54 грн
3000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes ZetexNPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K
на замовлення 6153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.18 грн
10+33.18 грн
100+19.74 грн
500+15.53 грн
1000+13.05 грн
5000+11.67 грн
10000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes ZetexNPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 413993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
10+31.93 грн
100+21.83 грн
500+16.15 грн
1000+14.72 грн
2000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.46 грн
10000+12.07 грн
15000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.05 грн
500+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.62 грн
212500+14.27 грн
425000+13.28 грн
637500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+36.52 грн
100+20.57 грн
500+15.74 грн
1000+14.15 грн
2500+12.43 грн
5000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.02 грн
22+37.77 грн
100+25.05 грн
500+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+34.03 грн
100+21.97 грн
500+15.76 грн
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.76 грн
5000+12.63 грн
12500+12.50 грн
25000+11.94 грн
62500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+28.05 грн
100+18.01 грн
500+12.85 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.21 грн
11+30.17 грн
100+16.78 грн
500+12.84 грн
1000+11.53 грн
2500+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.96 грн
100+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A
на замовлення 12095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+45.09 грн
100+25.61 грн
500+21.12 грн
1000+18.02 грн
2500+16.57 грн
5000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.00 грн
17+48.00 грн
100+31.33 грн
500+22.44 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.2W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 60...700
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 150MHz
Case: PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.33 грн
500+22.44 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 3.2W; PowerDI®5
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.2W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 60...700
Quantity in set/package: 5000pcs.
Frequency: 150MHz
Case: PowerDI®5
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 740 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.55 грн
10000+16.60 грн
15000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT690BP5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.54 грн
100+24.37 грн
500+17.55 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.82 грн
10+45.81 грн
100+26.09 грн
500+20.37 грн
1000+18.09 грн
2500+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.87 грн
500+19.89 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 0.5A; 3.9W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.9W
Collector-emitter voltage: 180V
Current gain: 150...500
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 70MHz
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT696BK-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT696BK-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 500 mA, 3.9 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.26 грн
50+42.85 грн
100+27.87 грн
500+19.89 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
10+31.19 грн
100+21.68 грн
500+15.89 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.34 грн
21+38.74 грн
100+25.13 грн
500+17.87 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.50 грн
250000+12.34 грн
500000+11.48 грн
750000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.77 грн
5000+11.67 грн
12500+10.84 грн
25000+9.94 грн
62500+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+43.82 грн
100+24.65 грн
500+18.85 грн
1000+15.46 грн
2500+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.13 грн
500+17.87 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.76 грн
50000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.74 грн
11+31.12 грн
100+17.60 грн
500+13.39 грн
1000+11.80 грн
2500+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
12+26.03 грн
100+18.07 грн
500+13.24 грн
1000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT751Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A
на замовлення 8306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+42.55 грн
100+24.16 грн
500+18.64 грн
1000+15.33 грн
5000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.33 грн
500+22.44 грн
1000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 107449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+35.90 грн
100+24.60 грн
500+18.27 грн
1000+16.69 грн
2000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT790AP5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.00 грн
17+48.00 грн
100+31.33 грн
500+22.44 грн
1000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.13 грн
500+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.30 грн
26+31.33 грн
100+20.13 грн
500+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA42-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 151327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
14+22.14 грн
100+14.99 грн
500+10.99 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 2500pcs.
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13DiodesPNP 300V 0.5A SOT89-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+44.22 грн
100+24.44 грн
500+16.15 грн
1000+12.84 грн
2500+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.83 грн
5000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.50 грн
26+31.33 грн
100+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PD-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 100V POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.90 грн
10+54.38 грн
100+32.31 грн
500+26.99 грн
1000+23.61 грн
2500+20.02 грн
5000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes ZetexDXTC3C100PDQ-13
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 100V POWERDI5060-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.18 грн
100+33.08 грн
500+24.15 грн
1000+21.94 грн
2500+19.54 грн
5000+17.76 грн
10000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTC3C100PDQ-13Diodes ZetexDXTC3C100PDQ-13
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060BFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+42.24 грн
100+25.13 грн
500+19.74 грн
1000+16.43 грн
2000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060BFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+37.47 грн
100+24.36 грн
500+17.58 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060CFG-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+40.49 грн
100+22.92 грн
500+17.60 грн
1000+15.95 грн
2000+14.43 грн
4000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 75hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.72 грн
500+21.24 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060CFG-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03060CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.05 грн
18+45.59 грн
100+29.72 грн
500+21.24 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03100CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.74 грн
44+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN03100CFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]