Продукція > EGF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EGF1D | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 22187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 9128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D Код товару: 175898
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D | onsemi | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | On Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 22187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Випрямний діод SMD, Io, A = 1, Uзвор, В = 200, Uf (max), В = 1, If, А = 1, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 15 @ 4, 1, Тексп, °C = -65...+175, Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 50, I, мкА @ Ur, В = 10 @ 200,... Діоди Корпус: SMA Од. вим: шт кількість в упаковці: 7500 шт | на замовлення 86 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 4045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | onsemi | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 14239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D DO214 | GS | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D DO214AC-ED | GS | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D DO214 | GS | на замовлення 2820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D DO214AC-ED | GS | на замовлення 130000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D-2HE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-2HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-2HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 7312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA Код товару: 180469
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 7211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 5289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200V 50ns | на замовлення 5971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 5289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3\5CA | Vishay | Rectifiers 1A,200V,50NS,UF SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3\67A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,50NS,UF SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DDO214- | GS | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1DDO214AC-ED | GS | на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1DHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 205 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE367A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_B\H | Vishay | Rectifiers 1A,200V,50NS,SUPERECT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_B\I | Vishay | Rectifiers 1A,200V,50NS,SUPERECT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D_Q | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1NCDCDE050 | Eaton Electrical | Industrial Current Sensors PWR SENSOR,GFI,50MA,SS-DC,NORM DE-EN,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1NCDCDE100 | Eaton Electrical | Industrial Current Sensors PWR SENSOR,GFI,100MA,SS-DC,NORM DE-EN,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTDE050 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,50MA,SPDT,AUTO R,NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTDE100 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,100MA,SPDT,AUTO R,NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTDET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,5-10-30MA,SPDT,AUTO R,NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTNE050 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,50MA,SPDT,AUTO R,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTNE100 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,100MA,SPDT,AUTO R,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTNET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,5-10-30MA,SPDT,AUTO R,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T | VISHAY | 10+ SOP32 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/2KA | Vishay | DO-214 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay | DO-214 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 12794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 5236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 5939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 1300 Volt | на замовлення 33236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 4242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | DO-214 Діоди та діодні збірки | на замовлення 500 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | VISHAY | Description: VISHAY - EGF1T-E3/67A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 3 V, 75 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) | на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 18735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 4115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay | Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin Case GF1 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101 | на замовлення 13095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101 | на замовлення 14388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/I | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. |

