Продукція > FQI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQI7N80TU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI7N80TU | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI7N80TU | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.2A Power dissipation: 167W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 26.4A Gate charge: 52nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI7P06TU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK | на замовлення 2199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 740 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI8N60C | onsemi / Fairchild | MOSFETs QFC 600V 1.2OHM I2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI8N60CTU | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI8N60CTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V | на замовлення 24810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI8N60CTU | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI8N60CTU | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 | на замовлення 6985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI8N60CTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI8N60CTU | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI8N60CTU | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI8N60CTU | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI8N60CTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI8N60CTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI8N60CTU | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI8P10TU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI9N08LTU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI9N08TU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI9N15TU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FQI9N25CTU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI9N50CTU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V | на замовлення 39199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FQI9N50TU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|