Продукція > FQI

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQI7N10LTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N10LTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQI7N10LTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N10TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N60B
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N60TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N60TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.69 грн
10+138.80 грн
100+100.79 грн
500+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N60TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N80TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N80TUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 26.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N80TUonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.71 грн
10+200.06 грн
25+169.13 грн
100+144.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7P06TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60Consemi / FairchildMOSFETs QFC 600V 1.2OHM I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+172.27 грн
25+140.83 грн
100+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 24810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
1000+135.84 грн
10000+117.32 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTUFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8P10TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI9N08LTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI9N08TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI9N15TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI9N25CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+97.93 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI9N50CTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 39199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+130.45 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI9N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+94.40 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2