Продукція > IPQ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPQC60T010S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+918.52 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1496.43 грн
10+1178.14 грн
25+960.26 грн
100+889.85 грн
250+855.33 грн
750+824.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1373.86 грн
10+1057.11 грн
25+990.66 грн
100+861.11 грн
250+828.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2186.65 грн
5+1767.85 грн
10+1510.12 грн
50+1320.74 грн
100+1134.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T010S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.06mA
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11986 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+631.43 грн
50+572.87 грн
100+486.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+957.62 грн
10+753.40 грн
25+635.11 грн
100+584.03 грн
750+525.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.61 грн
5+734.52 грн
10+631.43 грн
50+572.87 грн
100+486.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.24 грн
5+818.28 грн
10+734.52 грн
50+668.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.88mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+928.62 грн
10+729.59 грн
25+614.40 грн
100+576.43 грн
250+565.39 грн
750+506.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+734.52 грн
50+668.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.88mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.53 грн
10+694.10 грн
25+646.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+692.64 грн
5+604.85 грн
10+517.07 грн
50+469.66 грн
100+394.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+517.07 грн
50+469.66 грн
100+394.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.79 грн
10+705.24 грн
100+532.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+461.76 грн
1500+423.37 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T040S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T040S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+454.24 грн
50+416.56 грн
100+342.41 грн
250+339.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T040S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC60T040S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.43 грн
5+483.24 грн
10+454.24 грн
50+416.56 грн
100+342.41 грн
250+339.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T040S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.85 грн
10+424.73 грн
25+364.50 грн
100+324.46 грн
250+321.70 грн
500+315.49 грн
750+267.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R017CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1076.41 грн
10+822.13 грн
25+768.48 грн
100+665.91 грн
250+639.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R017CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1374.81 грн
10+1078.90 грн
25+877.42 грн
100+811.84 грн
250+780.09 грн
500+775.25 грн
750+751.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R017CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+623.40 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R017CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R040CFD7Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R040CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC65R040CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+758.68 грн
5+655.59 грн
10+552.50 грн
50+470.41 грн
100+394.18 грн
250+386.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.89 грн
10+505.26 грн
25+469.15 грн
100+403.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R040CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPQC65R040CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+758.68 грн
5+655.59 грн
10+552.50 грн
50+470.41 грн
100+394.18 грн
250+386.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R040CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R040CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.66 грн
10+525.56 грн
100+381.07 грн
500+339.65 грн
750+317.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R125CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R125CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.54 грн
10+259.60 грн
25+200.89 грн
100+175.35 грн
250+160.85 грн
500+151.18 грн
750+140.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC65R125CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.73 грн
10+190.26 грн
25+174.76 грн
100+148.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2