Продукція > MWI

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MWI75-06A7IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1.3 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: E2
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E2
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 75 Amps 600V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-06A7TIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 90A 280W E2
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1.3 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: E2
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E2
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-06A7TIXYSIGBT Modules 75 Amps 600V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-06A7TIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 60A
Power dissipation: 280W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Application: motors
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-06A7TIGBT-шестерка, Vces=600V, Ic25=90A, Ic80=60A, Vce(sat)=2.1V, термистор Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12AIXYS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12A8IGBT-шестерка, Vces=1200V, Ic25=125A, Ic80=85A, Vce(sat)=2.2V Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12A8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 125A 500W E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules IGBT MOD 1200V, 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12A8TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 125A 500W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12E8IGBT-NPT3-шестерка, Vces=1200V, Ic25=130A, Ic80=90A, Vce(sat)=2.2V Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12E8ABB07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12E8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12T7TIXYSIGBT Modules 75 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12T7TIXYSDescription: IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12T7TIGBT-шестерка, Vces=1200V, Ic25=105A, Ic80=75A, Vce(sat)=1.7V Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12T8TIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 110A 360W E3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 360 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: E3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E3
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI75-12T8TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 75 Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWI80-12T6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules 80 Amps 1200V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWI80-12T6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC915GMB
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC915NR2
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930GNR1
на замовлення 566 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930GNR1NXP USA Inc.Description: IC RF AMP CEL 900MHZ TO272 WB-16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930GNR1NXP USA Inc.Description: IC RF AMP CEL 900MHZ TO272 WB-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930GR1Freescale Semiconductor - NXPDescription: IC PWR AMP RF 30W TO272-16GW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930N
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930NR1NXP USA Inc.Description: IC AMP CELLULAR 900MHZ TO272WB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-272 WB-16
Current - Supply: 90mA
Gain: 30dB
Voltage - Supply: 26V
RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA
Frequency: 900MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930NR1NXP USA Inc.Description: IC AMP CELLULAR 900MHZ TO272WB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-272 WB-16
Current - Supply: 90mA
Gain: 30dB
Voltage - Supply: 26V
RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA
Frequency: 900MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5983.64 грн
10+5372.40 грн
25+4983.09 грн
100+4384.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930NR1,528NXP USA Inc.Description: WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 900MHz
RF Type: Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA
Voltage - Supply: 26V
Gain: 30dB
Current - Supply: 90mA
Supplier Device Package: TO-272 WB-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930R1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930R1Freescale Semiconductor - NXPDescription: MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930R1a
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930R5Freescale Semiconductor - NXPDescription: MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930R5
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWIC930W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MWINT840GA
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2