Продукція > NDP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NDP6030L | NS | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NDP6030PL | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6030PL | FAIRCHIL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NDP6030PL | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6030PL_Q | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6035AL | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP603A2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP603AL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3 Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP603AL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel FET LL Enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP603AL | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 34234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP603AL | NSC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NDP603ALNS9636 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP605 | на замовлення 165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP605+1 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP6050 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP6050 | onsemi / Fairchild | MOSFET DISC BY MFG 2/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6050L | на замовлення 5245 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP6051 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP6051L | onsemi / Fairchild | MOSFET DISC BY MFG 2/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP605A | на замовлення 6183 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP605BL | на замовлення 373 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP6060 | onsemi | MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6060 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6060 | Fairchild | на замовлення 43200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NDP6060 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; Idm: 144A; 100W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 100W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25µΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 144A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6060 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6060 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6060B | на замовлення 2055 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP6060L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L | onsemi | MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode | на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6060L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode | на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP6060L | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 60nC | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP6060L-NL | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP606B | на замовлення 8910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP610A | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP610BEC | на замовлення 8820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP610BEL | на замовлення 8820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP6670 | на замовлення 8686 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP705+1 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP705+1L | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP7050 | ON Semiconductor | NDP7050 | на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP7050 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7050 | ON Semiconductor | NDP7050 | на замовлення 1134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP7050 | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP7050 | onsemi | MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7050 | ON Semiconductor | NDP7050 | на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP7050 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 7181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP7050L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 37.5A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7050L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 37.5A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP7051 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP7051L | на замовлення 9541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP7052 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP7052L | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP705AE | на замовлення 993 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP7060 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP7060 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060 | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220 N-CH ENHANCE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060 | FAIR | 96+ TO-220 | на замовлення 185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060 Код товару: 168158
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NDP7060. | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDP7060. - MOSFET, DRAIN-SOURCE-SPANNUNG, 60V Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: Lead | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: Lead | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060L | onsemi | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060L | на замовлення 4543 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP7060L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 37.5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7060_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V,75A,NCH,ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7061 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP7061 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 64A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 5561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP7061 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP7061L | на замовлення 4354 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP7061_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NDP706AC | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP706B | на замовлення 1106 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP708A | на замовлення 4208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP708AE | Fairchild Semiconductor | Description: 60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO Packaging: Bulk | на замовлення 3240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NDP708AE | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP708AEL | на замовлення 315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP708B | на замовлення 4209 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP708BE | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP710A | на замовлення 4210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP710AE | на замовлення 4211 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP710AL | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP710B | на замовлення 4212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP75N06 | на замовлення 6466 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NDP80N03 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

