Продукція > PMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMN27UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP,115NexperiaMOSFET P-CH -20 V -5.7 A
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP,115-NXPNXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UPHNexperiaMOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UPHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE,115NexperiaMOSFET PMN27XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN27XPE,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEA,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN27XPEA,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4005 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEA,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 4.4A 20V
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2184+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 2184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
на замовлення 989779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEAXNexperiaMOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.51 грн
100+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNexperiaMOSFETs PMN280ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UNPHILIPSSOT363
на замовлення 19520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UN,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UNEXNexperiaMOSFET PMN28UNE/SOT457/SC-74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAHNexperiaMOSFET PMN30ENEA/SOT457/SC-74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperia40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
18+17.59 грн
100+10.72 грн
500+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperia40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
6000+6.71 грн
9000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperiaMOSFET PMN30ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 11723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 667mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNNexperiaNexperia PMN30UN/SOT457/SC-74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UN115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL, MOSFET
на замовлення 597000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNENexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNE115NXPDescription: NXP - PMN30UNE115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNE115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 20V 4.8A
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.32 грн
100+9.61 грн
500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperia USA Inc.Description: PMN30UN/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5017+7.05 грн
10000+6.30 грн
100000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 5017 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 530mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperia USA Inc.Description: PMN30UN/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+18.87 грн
50+13.62 грн
100+11.17 грн
500+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 7627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPNexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
12+25.89 грн
100+16.54 грн
500+11.73 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
6000+8.34 грн
9000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperiaMOSFETs PMN30XPA/SOT457/SC-74
на замовлення 50911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 5.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.55 грн
6000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.44 грн
50+21.42 грн
100+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 5.3A
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEXNexperia20 V, P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
9000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.00 грн
100+15.36 грн
500+10.89 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 5.2A
на замовлення 95804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
9000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34LNNXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34LNPHILIPSSOT163
на замовлення 18960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UNNXP SemiconductorsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UPNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UP,115NexperiaMOSFET 20V 5 A P-CH TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN35EN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN35EN,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN35EN,125NexperiaMOSFET N-Chan 30V 5.1A
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN35EN,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN35EN125NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 360642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]