Продукція > PMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMN27UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UN,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 653 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP,115NexperiaMOSFET P-CH -20 V -5.7 A
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UP,115-NXPNXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UPHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27UPHNexperiaMOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN27XPE,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE,115NexperiaMOSFET PMN27XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPE115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEA,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 4.4A 20V
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2184+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 2184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEA,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN27XPEA,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4005 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEAXNexperiaMOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN27XPEAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
на замовлення 989779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.36 грн
500+9.05 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNexperiaMOSFETs PMN280ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+6.52 грн
9000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+10.39 грн
89+9.10 грн
107+7.53 грн
500+6.27 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN280ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.35 грн
100+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UNPHILIPSSOT363
на замовлення 19520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UN,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 16992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
582+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN28UNEXNexperiaMOSFET PMN28UNE/SOT457/SC-74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAHNexperiaMOSFET PMN30ENEA/SOT457/SC-74
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 667mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.28 грн
500+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.01 грн
6000+6.65 грн
9000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperia40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.4 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.38 грн
38+21.42 грн
100+11.28 грн
500+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperia40 V N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
18+17.43 грн
100+10.62 грн
500+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30ENEAXNexperiaMOSFET PMN30ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 11723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.22 грн
14+23.42 грн
100+12.01 грн
1000+8.22 грн
3000+6.97 грн
9000+6.42 грн
24000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNNexperiaNexperia PMN30UN/SOT457/SC-74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UN115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL, MOSFET
на замовлення 597000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNENexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNE115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNE115NXPDescription: NXP - PMN30UNE115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6887+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 6887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.18 грн
100+9.52 грн
500+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.028 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.24 грн
46+17.88 грн
108+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 558 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNEXNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 20V 4.8A
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
20+16.35 грн
100+6.01 грн
500+5.94 грн
1000+5.73 грн
3000+5.04 грн
6000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 530mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.46 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.97 грн
20+16.12 грн
100+6.49 грн
500+5.87 грн
1000+5.38 грн
3000+3.66 грн
6000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperia USA Inc.Description: PMN30UN/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.70 грн
50+13.51 грн
100+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5017+7.07 грн
10000+6.31 грн
100000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 5017 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.78 грн
55+14.90 грн
121+6.70 грн
500+5.60 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperia USA Inc.Description: PMN30UN/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNHNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.32 грн
100+8.87 грн
500+8.08 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.49 грн
41+19.73 грн
100+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNXNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 7627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.07 грн
19+17.55 грн
100+7.80 грн
500+7.11 грн
1000+5.38 грн
3000+4.90 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPNexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperiaMOSFETs PMN30XPA/SOT457/SC-74
на замовлення 50911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
14+23.42 грн
100+10.36 грн
1000+9.18 грн
3000+7.25 грн
9000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.35 грн
6000+8.27 грн
9000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.91 грн
37+21.99 грн
100+12.00 грн
500+10.47 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
12+25.65 грн
100+16.39 грн
500+11.62 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.00 грн
500+10.47 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.16 грн
42+19.57 грн
100+13.61 грн
500+10.54 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.45 грн
6000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 5.4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.026 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.61 грн
500+10.54 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 5.3A
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.54 грн
13+25.56 грн
100+12.08 грн
500+11.05 грн
1000+9.11 грн
3000+7.66 грн
6000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.17 грн
50+21.22 грн
100+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPEXNexperia20 V, P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
9000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.36 грн
50+29.16 грн
100+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+23.78 грн
100+15.22 грн
500+10.79 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 5.2A
на замовлення 95804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
11+30.96 грн
50+19.67 грн
100+17.19 грн
1000+12.56 грн
3000+10.49 грн
6000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
9000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30XPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN30XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34LNNXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34LNPHILIPSSOT163
на замовлення 18960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UNNXP SemiconductorsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UPNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN34UP,115NexperiaMOSFET 20V 5 A P-CH TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN35EN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN35EN,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN35EN,125NexperiaMOSFET N-Chan 30V 5.1A
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN35EN,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]